コア/シェル構造およびコア/ダブルシェル構造量子ドットは通常、成長を制御し、凝集を防ぎ、溶液中での分散を促進するために、有機キャッピングリガンド(典型的にはオレイン酸などの長い炭化水素鎖を持つ)でコーティングされます。[ 24 ] しかし、これらの有機コーティングは、光生成後に非放射再結合 を引き起こす可能性があり、生成された電荷キャリアが光子放出なしに散逸する(例えば、フォノン を介して、または欠陥状態へのトラップを介して)可能性があり、これにより蛍光量子収率、つまり吸収された光子から放出される蛍光への変換効率が低下します。[ 25 ] これに対処するために、量子ドットコアの周囲に半導体層を成長させることができます。コアとシェル材料のバンドギャップ に応じて、ナノ結晶の蛍光特性を調整できます。さらに、各層の厚さと量子ドットの全体的なサイズを調整することで、光ルミネセンス 発光波長に影響を与えることができます。量子閉じ込め効果 により、量子ドットのサイズが小さくなるにつれて発光スペクトルが青方偏移する傾向があります。[ 26 ] 量子ドットヘテロ構造には、タイプI、逆タイプI、タイプII、逆タイプIIの4つの主要なカテゴリがあります。[ 27 ]
タイプ I 量子ドットは、より大きなバンドギャップを持つ第 2 の半導体材料でカプセル化された半導体コアで構成されており、量子ドット表面の非放射再結合サイトをパッシベーションして量子収率 を向上させることができます。逆タイプ I 量子ドットは、より小さなバンドギャップを持つ半導体層を持ち、シェルに非局在化した電荷キャリアをもたらします。タイプ II および逆タイプ II ドットの場合、コアの伝導帯または価電子帯のいずれかがシェルのバンドギャップ内に位置しており、これによりコアとシェルの電荷キャリアの空間的分離がもたらされます。[ 27 ] これらのコア/シェルシステムすべてにおいて、外層の堆積により格子不整合が生じる可能性があり、これにより光ルミネセンス性能を低下させることなく厚いシェルを成長させる能力が制限される可能性があります。
性能低下の一因として、格子にかかる物理的な歪みが挙げられます。ZnSe/ZnS(タイプI)とZnSe/CdS(タイプII)量子ドットを比較した事例では、コアシェル歪みの影響をよりよく理解するために、コーティングされていないZnSeコアの直径(TEM を用いて取得)を、キャップされたコアの直径(有効質量近似モデルで計算)[格子歪み源]と比較しました。[ 28 ] タイプIヘテロ構造は圧縮歪みを誘発し、コアを「圧縮」する一方、タイプIIヘテロ構造は引張歪みの下でコアを伸ばす効果があることがわかりました。[ 28 ] 量子ドットの蛍光特性はナノ結晶のサイズによって決まるため、コア寸法の変化によって発光波長がシフトし、格子不整合を是正して量子収率を向上させるために中間半導体層が必要である理由がさらに証明されます。[ 29 ]
このようなコア/ダブルシェルシステムの1つは、CdSe/ZnSe/ZnSナノ結晶です。[ 29 ] CdSe/ZnSナノ結晶とCdSe/ZnSeナノ結晶を比較した研究では、格子不整合のため、前者のPL収率は後者の84%であることがわかりました。ダブルシェルシステムを研究するために、コアCdSeナノ結晶の合成後、ZnS外殻の前にZnSe層をコーティングしたところ、蛍光効率が70%向上しました。さらに、2つの追加層により、発光スペクトルの劣化の原因となる光酸化に対するナノ結晶の耐性が向上することがわかりました。
これらのコア/ダブルシェルシステムにも表面パッシベーション 技術を適用するのが一般的です。前述のように、オレイン酸は コロイド 安定性を促進し、ナノ結晶の成長を制御するために使用される有機キャッピングリガンドの1つであり、リガンド交換と表面機能化の2回目のラウンドを開始するためにも使用できます。[ 24 ] [ 30 ] しかし、有機リガンドがPL効率に悪影響を与えるため、全無機量子ドットを得るためのさらなる研究が行われてきました。そのような研究の1つでは、オレイン酸リガンドを金属塩に置き換えるリガンド交換プロセスを介して、高輝度発光の全無機ナノ結晶(ILAN)が合成され、既存の赤色および緑色発光量子ドットと同等のフォトルミネッセンス量子収率を持つことがわかりました。[ 24 ]
生産 紫から深紅へと徐々に変化する発光を示す量子ドット 量子ドットを作製する方法はいくつかある。考えられる方法としては、コロイド合成、自己組織化 、電気ゲート法などが挙げられる。
製造 量子ドットを作成するために必要な静電ポテンシャルは、 いくつかの方法で実現できます。これには、外部電極[ 42 ] 、ドーピング、歪み[ 43 ] 、または不純物が含まれます。自己組織化量子ドットの サイズは通常5~50 nmです。リソグラフィで パターン化されたゲート電極によって定義された量子ドット、または半導体ヘテロ構造内の2次元電子ガスをエッチングすることによって定義された量子ドットは、横方向の寸法が20~100 nmになります。
半導体材料が基板上に堆積され、それらの間に格子間隔の差が存在する場合、量子ドットの形成は自発的に起こり得る。[ 1 ]
高度なナノ加工技術を用いることで、量子ドットの相互作用、形状、サイズ、透明度といった特性を操作することが可能となる。
例えば、量子ドットの周囲の金属ゲートに負電圧を印加すると、その応答として量子ドットの直径が徐々に圧縮され始め、その結果、ドット上の電子の数が1つずつ減少し始め、最終的に電子がなくなるまでこれを繰り返すことができます。
前述の性質により、電流の流れをドット上の電子の数として記録することができ、これはエネルギーが変化することを意味します。[ 44 ]
ガリウムヒ素(GaAs)中に埋め込まれたインジウムガリウムヒ素 (InGaAs ) 量子ドット の原子分解能走査透過型電子 顕微鏡画像自己組織化量子ドットは、分子線エピタキシー (MBE) および有機金属気相エピタキシー (MOVPE) において、格子整合していない基板上に材料を成長させる際に、特定の条件下で自発的に核生成します。結果として生じる歪み により、二次元濡れ層 の上に島が形成されます。この成長モードは、ストランスキー・クラスタノフ成長 として知られています。[ 46 ] これらの島はその後埋没して量子ドットを形成します。この方法で成長させた量子ドットで広く使用されているのは、ガリウムヒ素 ( GaAs )中のインジウムガリウムヒ 素( InGaAs ) 量子ドットです。[ 47 ] このような量子ドットは、量子暗号 (すなわち、単一光子源 ) および量子計算 への応用が期待されています。この方法の主な制限は、製造コストと個々のドットの位置を制御できないことです。これらの制約にもかかわらず、この方法で成長させた自己組織化InAs量子ドットは、光学的に広範囲に特性評価されている。個々のドットの陰極発光分光法により、0.15 meV以下の超狭線発光が明らかになり、ゼロ次元構造に対して予測される離散的なデルタ関数のような電子状態密度の直接的な実験的証拠が得られた。[ 48 ] 個々の量子ドットは、遠隔ドープされた量子井戸または横方向量子ドット と呼ばれる半導体ヘテロ構造に存在する二次元電子ガスまたは正孔ガスから作成できます。サンプル表面は薄いレジスト層でコーティングされ、次に電子ビームリソグラフィー によってレジストに横方向パターンが定義されます。このパターンは、エッチングによって電子ガスまたは正孔ガスに転写するか、電子ガスと電極の間に外部電圧を印加できる金属電極を堆積(リフトオフプロセス)することによって転写できます。このような量子ドットは、主に電子または正孔輸送を伴う実験やアプリケーションに関心があり、スピン量子ビット としても使用されます。[ 49 ] このタイプの量子ドットの強みは、ゲート電極による幾何学的サイズ、形状、および閉じ込めポテンシャルの強度を制御することによって、そのエネルギー スペクトルを設計できることです。これらの量子ドットは、トンネル障壁によって導電性リードに容易に接続できるため、トンネル分光法の技術をその調査に適用できます。相補型金属酸化膜半導体(CMOS)技術は 、シリコン量子ドットの 製造に利用できます。超小型(20 nm × 20 nm)のCMOSトランジスタは、−269 °C(4 K )から約−258 °C(15 K )の極低温で動作させると、単一電子量子ドットとして動作します。トランジスタは、電子(正孔)が1つずつ段階的に充電されるため、クーロンブロッケードを示します。チャネルに閉じ込められる電子(正孔)の数は、ゲート電圧によって制御され、最初は電子(正孔)が0個から始まり、1個または複数個に設定できます。[ 50 ]
ウイルス集合体 遺伝子操作されたM13バクテリオファージ ウイルスは、量子ドットバイオコンポジット 構造の作製を可能にする。[ 51 ] 遺伝子操作されたウイルスは、 組み合わせファージディスプレイ による選択法によって特定の半導体 表面を認識できることが以前に示されていた。[ 52 ] さらに、野生型ウイルス (Fd、M13、およびTMV )の 液晶 構造は、溶液濃度、溶液のイオン強度 、および溶液に印加される外部磁場 を制御することによって調整可能であることが知られている。したがって、ウイルスの特異的な認識特性を使用して、無機ナノ結晶を組織化し、液晶形成によって定義される長さスケールにわたって規則的な配列を形成することができる。この情報を使用して、Leeら(2000)は、ファージとZnS 前駆体溶液から自己組織化された、高度に配向した、自己支持型のフィルムを作成することができた。このシステムにより、遺伝子改変と選択によってバクテリオファージの長さと無機材料の種類の両方を変化させることができた。
電気化学的アセンブリ 高度に秩序だった量子ドット配列は、電気化学的 手法によって自己組織化することもできる。電解質と金属の界面でイオン反応を起こすことでテンプレートが作製され、その結果、量子ドットを含むナノ構造が金属上に自発的に集合する。このテンプレートは、選択した基板上にこれらのナノ構造をメサエッチングするためのマスクとして使用される。
大量生産 量子ドットの製造は、高温二段階射出成形 と呼ばれるプロセスに依存しており、このプロセスは、数百キログラムから数トンもの量子ドットを必要とする商業用途向けに、複数の企業によって大規模化されている。この再現性の高い製造方法は、幅広いサイズと組成の量子ドットに適用可能である。
III–V 系量子ドットなどの特定のカドミウムフリー量子ドットの結合は、 II–VI 系 材料の結合よりも共有結合性が高いため、高温二段階注入合成によってナノ粒子の 核生成と成長を分離することがより困難です。量子ドット合成の代替方法である分子シード 法は、高品質の量子ドットを大量に製造するための再現性のある方法を提供します。このプロセスでは、分子クラスター化合物の同一分子をナノ粒子成長の核生成サイトとして使用し、高温注入ステップを回避します。粒子の成長は、目的の粒子サイズに達するまで、適度な温度で前駆体を周期的に添加することによって維持されます。[ 53 ] 分子シード法は、カドミウムフリー量子ドットの製造に限定されません。たとえば、このプロセスを使用して、わずか数時間でキログラムバッチの高品質の II–VI 系量子ドットを合成できます。
コロイド量子ドットの大量生産のための別のアプローチとしては、合成によく知られているホットインジェクション法を技術的な連続フローシステムに移行することが挙げられます。前述の方法論で必要となるバッチ間のばらつきは、混合や成長、輸送、温度調整のための技術コンポーネントを利用することで克服できます。CdSeベースの半導体ナノ粒子の製造では、この方法が研究され、月間キログラムの生産量に調整されています。技術コンポーネントを使用することで、最大スループットとサイズに関して容易に交換できるため、数十キログラム、あるいは数百キログラムにまでさらに増強することができます。[ 54 ]
2011年、米国とオランダの企業連合は、従来の高温二段階注入法をフローシステム に適用することで、量子ドットの大量生産における画期的な成果を報告した。[ 55 ]
2013年1月23日、ダウは 、電子ディスプレイ用のカドミウムフリー量子ドットを大量生産するための低温分子シード法の使用に関して、英国のナノコ と独占ライセンス契約を締結し、2014年9月24日、ダウは「数百万台のカドミウムフリーテレビやタブレットなどの他のデバイス」に十分な量子ドットを生産できる韓国の生産施設の建設に着手した。量産は2015年半ばに開始される予定だった。[ 56 ] 2015年3月24日、ダウは、ディスプレイにおけるカドミウムフリー量子ドットの使用を開発するためにLGエレクトロニクス と提携契約を結んだと発表した。 [ 57 ]
健康と安全 量子ドットの中には、特定の条件下で人間の健康と環境にリスクをもたらすものがある。[ 58 ] [ 59 ] [ 60 ] 特に、量子ドットの毒性に関する研究はカドミウム を含む粒子に焦点を当てており、生理学的に関連する投与量後の動物モデルではまだ実証されていない。[ 60 ] 細胞培養に基づく量子ドット(QD)の毒性に関するin vitro研究では、その毒性は 物理化学的 特性(サイズ、形状、組成、表面官能基、表面電荷)や環境など複数の要因から生じる可能性があることが示唆されている。これらの要因には、QDのサイズ、電荷、濃度、化学組成、キャッピングリガンドなどの特性、および酸化安定性、機械的安定性、光分解安定性などが含まれるため、潜在的な毒性を評価することは複雑である。[ 58 ]
多くの研究が、モデル細胞培養を用いた量子ドットの細胞毒性 のメカニズムに焦点を当ててきた。紫外線照射 または空気による酸化の後、CdSe量子ドットは遊離カドミウムイオンを放出し、細胞死を引き起こすことが実証されている。[ 61 ] また、II-VI族量子ドットは、光照射後に活性酸素種 の形成を誘導し、それがタンパク質、脂質、DNAなどの細胞成分を損傷する可能性があることも報告されている。 [ 62 ] さらに、ZnSシェルを追加すると、CdSe量子ドットにおける活性酸素種のプロセスが阻害されることもいくつかの研究で実証されている。量子ドットの毒性のもう1つの側面は、生体内では、これらの粒子を金属イオンがアクセスできない細胞小器官に集中させるサイズ依存的な細胞内経路が存在し、その結果、構成金属イオンと比較して独自の細胞毒性パターンが生じる可能性があることである。[ 63 ] 細胞核における量子ドットの局在に関する報告[ 64 ] は、DNA変異を誘発する可能性があり、それが将来の世代の細胞に伝播して病気を引き起こす可能性があるため、毒性の新たなモードを示しています。
動物モデルを用いた生体内 研究では、特定の細胞小器官における量子ドットの濃度が報告されているものの、組織学的または生化学的分析によって、動物の行動、体重、血液学的マーカー、または臓器損傷の変化は見つかっていない。[ 65 ] これらの知見から、細胞内投与量が量子ドットの毒性を決定する最も重要な要因であると科学者たちは考えている。したがって、量子ドットのサイズ、形状、表面化学など、有効な細胞内濃度を決定する量子ドットのエンドサイトーシスを決定する要因が、その毒性を決定する。放射性標識されたZnSキャップ付きCdSe量子ドットを注入し、リガンドシェルを99mTc で 標識した動物モデルでは、尿を介した量子ドットの排泄も実証されている。[ 66 ] 他の複数の研究では、細胞レベルでの量子ドットの保持が結論付けられているが、[ 60 ] [ 67 ] 量子ドットのエキソサイトーシスは 文献ではまだ十分に研究されていない。
量子ドットの毒性に関する理解は、多くの研究努力によって深まってきたが、文献には大きな矛盾があり、未解決の疑問が残っている。この種の物質は、通常の化学物質と比較して多様性があるため、その毒性の評価は非常に困難である。また、その毒性は、pH レベル、光照射、細胞の種類などの環境要因によって動的に変化する可能性があるため、LD 50 などの化学物質の毒性 を評価する従来の方法は、量子ドットには適用できない。そのため、研究者たちは、この特殊な種類の物質を含めるために、新しいアプローチを導入したり、既存の方法を適応させたりすることに焦点を当てている。[ 60 ] さらに、より安全な量子ドットを設計するための新しい戦略は、科学界によってまだ研究中である。この分野における最近の新しい発見は、半導体量子ドットに取って代わる可能性のある、毒性がはるかに低いという利点を持つ、新世代の光活性ナノ粒子であるカーボン量子ドットの発見である。
光学特性 様々なサイズのCdTe量子ドットの蛍光スペクトル。量子閉じ込め効果により、サイズの異なる量子ドットは異なる色の光を発する。 量子ドットは、その興味深い光学的特性、特にバンドギャップの調整可能性から、科学界の注目を集めています。電子が伝導帯に励起されると、価電子帯にホール と呼ばれる空孔が残ります。これら2つの反対の電荷は、励起子と呼ばれるものの中でクーロン相互作用によって結合しており、その空間的分離は励起子ボーア半径によって定義されます。励起子ボーア半径と同程度のサイズのナノ構造では、励起子は半導体内に物理的に閉じ込められ、その結果、材料のバンドギャップが増加します。この依存性は、Brusモデルを使用して予測できます。[ 68 ]
閉じ込めエネルギーは量子ドットのサイズに依存するため、量子ドットの合成時にサイズを変更することで、吸収 開始と蛍光発光の両方を調整できます。ドットが大きいほど、吸収開始と蛍光 スペクトルは 赤みが強く (エネルギーが低く)なります。逆に、ドットが小さいほど、青みがかった (エネルギーが高い)光を吸収および発光します。最近の論文では、量子ドットの形状も着色の要因となる可能性があることが示唆されていますが、まだ十分な情報が得られていません。さらに、蛍光の寿命は量子ドットのサイズによって決まることが示されています[ 69 ] 。ドットが大きいほど、電子-正孔対を捕捉できるエネルギー準位の間隔が狭くなります。したがって、ドットが大きいほど電子-正孔対の寿命が長くなり、ドットの寿命が長くなります。
蛍光量子収率を向上させるために、量子ドットの周囲にバンドギャップの大きい半導体材料の シェル を設けることができる。この改善は、場合によっては電子と正孔が非放射性表面再結合経路にアクセスする機会が減少することによるものと考えられているが、また場合によってはオージェ再結合が 減少することによるものと考えられている。
アプリケーション 量子ドットは、高い消衰係数 [ 70 ] と超高速光非線形性により、光学用途において特に有望であり、全光システムの開発への応用が期待されています[ 71 ] 。量子ドットは単一電子トランジスタ のように動作し、クーロンブロッケード 効果を示します。量子ドットは、量子情報処理 のための量子ビットの実装[ 72 ]や、熱電素子の活性素子 [ 73 ] [ 74 ] [ 75 ] としても提案されてい ます 。
量子ドットのサイズを調整することは、多くの潜在的な応用分野において魅力的である。例えば、大きな量子ドットは小さなドットに比べてスペクトルが赤色側に大きくシフトし、量子特性はそれほど顕著ではない。逆に、小さな粒子を用いることで、より繊細な量子効果を利用することが可能となる。
量子井戸の薄い層からその上の結晶へのエネルギー伝達によって可視光 を生成する装置[ 76 ] 量子ドットはゼロ次元 であるため、高次元構造よりも状態密度が シャープです。その結果、優れた輸送特性と光学特性を備えています。ダイオードレーザー 、増幅器、およびバイオセンサーでの使用が期待されています。[ 77 ] 量子ドットは、金ナノ粒子によって生成された局所的に増強された電磁場内で励起される可能性があり、その後、(CdSe)ZnS ナノ結晶のフォトルミネッセンス励起スペクトルの表面プラズモン共鳴 から観測できます。高品質の量子ドットは、その広い励起プロファイルと狭く対称的な発光スペクトルにより、光エンコーディングおよび多重化アプリケーションに最適です。新世代の量子ドットは、単一分子レベルでの細胞内プロセスの研究、高解像度の細胞イメージング、細胞輸送の長期的in vivo観察、腫瘍ターゲティング、および診断において、広範囲にわたる可能性を秘めています。
CdSeナノ結晶は効率的な三重項光増感剤である。[ 78 ] 小さなCdSeナノ粒子のレーザー励起により、量子ドットからバルク溶液への励起状態エネルギーの抽出が可能になり、光線力学療法、光起電力デバイス、分子エレクトロニクス、触媒作用など、幅広い潜在的な応用への道が開かれる。
生物学 現代の生物学的分析では、さまざまな種類の有機色素 が使用されています。しかし、技術が進歩するにつれて、これらの色素の柔軟性がさらに求められています。[ 79 ] この目的のために、量子ドットは急速にその役割を担うようになり、いくつかの点で従来の有機色素よりも優れていることがわかりました。最もすぐに明らかになるものの1つは、明るさ(蛍光色素と同等の量子収率[ 17 ] と高い消光係数の組み合わせによる)と安定性(光退色が はるかに少ない)です。[ 80 ] 量子ドットは、従来の蛍光レポーターよりも20倍明るく、100倍安定していると推定されています。[ 79 ] 単一粒子追跡の場合、量子ドットの不規則な点滅は 小さな欠点です。しかし、基本的に点滅しない量子ドットを開発し、単一分子追跡実験での有用性を実証したグループがあります。[ 81 ] [ 82 ]
量子ドットを用いた高感度細胞イメージングは大きな進歩を遂げている。[ 83 ] 例えば、量子ドットの光安定性の向上により、高解像度の3次元画像に再構成できる多数の連続焦点面画像を取得できるようになった。[ 84 ] 量子ドットプローブの並外れた光安定性を利用したもう1つのアプリケーションは、長期間にわたる分子や細胞のリアルタイム追跡である。[ 85 ] 抗体 、ストレプトアビジン 、[ 86 ] ペプチド 、[ 87 ] DNA 、[ 88 ] 核酸アプタマー 、[ 89 ] または小分子リガンド [ 90 ] は、量子ドットを細胞上の特定のタンパク質 に標的化するために使用できる。研究者らは、マウスのリンパ節で量子ドットを4か月以上観察することができた。[ 91 ]
量子ドットはナノ粒子と同様の抗菌特性を持ち、用量依存的に細菌を殺すことができる。[ 92 ] 量子ドットが細菌を殺すメカニズムの1つは、細胞内の抗酸化システムの機能を阻害し、抗酸化遺伝子の発現を下方制御することである。さらに、量子ドットは細胞壁を直接損傷することができる。量子ドットはグラム陽性菌とグラム陰性菌の両方に対して有効であることが示されている。[ 93 ]
半導体量子ドットは、事前に標識された細胞のin vitro イメージングにも利用されている。単一細胞の移動をリアルタイムでイメージングできる能力は、胚発生 、癌 転移 、幹細胞 治療、リンパ球 免疫学 など、いくつかの研究分野において重要になると期待されている。
量子ドットの生物学における応用例の1つは、Förster共鳴エネルギー移動 におけるドナー蛍光体としてであり、これらの蛍光体の大きな消光係数とスペクトル純度により、分子蛍光体よりも優れている[ 94 ]。 また、QDの幅広い吸収により、FRETベースの研究においてQDドナーを選択的に励起し、色素アクセプターの励起を最小限に抑えることができることも注目に値する[ 95 ] 。量子ドットを点双極子として近似できると仮定するFRETモデルの適用可能性は、最近実証されている[ 96 ]。
生体内 条件下での腫瘍標的化に量子ドットを用いる場合、能動的標的化と受動的標的化という2つの標的化方式が採用される。能動的標的化の場合、量子ドットは腫瘍特異的な結合部位で機能化され、腫瘍細胞に選択的に結合するようにする。受動的標的化では、腫瘍細胞の透過性と保持性の向上を利用して量子ドットプローブを送達する。急速に増殖する腫瘍細胞は、一般的に健康な細胞よりも透過性の高い細胞膜を有しており、小さなナノ粒子が細胞内に漏出する。さらに、腫瘍細胞は効果的なリンパ系排出システムを欠いているため、ナノ粒子が蓄積される。
量子ドットプローブは生体内毒性を示します。たとえば、CdSeナノ結晶は、紫外線照射下では培養細胞に対して非常に毒性が高くなります。これは、粒子が光分解 と呼ばれるプロセスで溶解し、毒性のあるカドミウムイオンを培養培地に放出するためです。しかし、紫外線照射がない場合、安定したポリマーコーティングを施した量子ドットは実質的に無毒であることがわかっています。[ 91 ] [ 59 ] 量子ドットをハイドロゲルでカプセル化する ことで、量子ドットを安定した水溶液に導入することができ、カドミウムの漏出の可能性を低減できます。しかし、生体からの量子ドットの排出プロセスについてはほとんどわかっていません。[ 97 ]
別の潜在的な応用例として、量子ドットは蛍光分光法 を用いた術中腫瘍検出のための無機蛍光体 として研究されている。
既存の技術では、損傷のない量子ドットを細胞質に送達することは困難でした。ベクターベースの方法では量子ドットの凝集やエンドソームへの隔離が起こり、エレクトロポレーションでは半導体粒子が損傷し、送達されたドットが細胞質内で凝集する可能性があります。細胞圧迫 により、凝集やエンドソームへの物質の捕捉、細胞生存率の著しい低下を引き起こすことなく、量子ドットを効率的に送達できます。さらに、この方法で送達された個々の量子ドットは細胞質内で検出可能であることが示されており、この技術が単一分子追跡研究に有望であることが示されています。[ 98 ]
太陽光発電デバイス トロント大学のサージェント研究グループが製作した、スピンコート法で作製された量子ドット太陽電池。前面の金属ディスクは、下層への電気接続部となっている。 量子ドットの調整可能な吸収スペクトルと高い消衰係数は、太陽光発電などの光エネルギー収集技術にとって魅力的です。量子ドットは、今日の一般的なシリコン太陽電池 の効率を高め、コストを削減できる可能性があります。2004年の実験報告によると、[ 99 ] セレン化鉛 (PbSe)の量子ドットは、キャリア増倍または多重励起子生成 (MEG)のプロセスを介して、1つの高エネルギー光子から複数の励起子を生成できます。これは、高エネルギー光子ごとに1つの励起子しか処理できず、高運動エネルギーキャリアが熱としてエネルギーを失う今日の太陽電池と比較して有利です。一方、より広いバンドギャップのホスト半導体(ペロブスカイトなど)に組み込まれたコロイド量子ドット( 硫化鉛 、PbSなど)の量子閉じ込め基底状態は、2光子吸収プロセスを介してホストバンドギャップ以下のエネルギーを持つ光子から光電流を生成することを可能にし、より広い範囲の太陽光スペクトルを利用してより高い光起電力効率 を達成するための別のアプローチ(中間バンド 、IBと呼ばれる)を提供する。[ 100 ] [ 101 ]
コロイド状量子ドット太陽電池は、単純な化学反応を用いて製造できるため、理論的には製造コストが安くなるはずだ。
量子ドットのみを用いた太陽電池 芳香族自己組織化単分子膜(SAM)( 4-ニトロ安息香酸 など)は、電極のバンドアライメントを改善して効率を向上させるために使用できます。この技術により、10.7%という記録的な電力変換効率 (PCE)が達成されました。[ 102 ] SAMは、ZnO–PbSコロイド量子ドット(CQD)膜接合部の間に配置され、構成SAM分子の双極子モーメントを介してバンドアライメントを改変し、バンドチューニングはSAM分子の密度、双極子モーメント、および配向によって変更される可能性があります。[ 102 ]
ハイブリッド太陽電池における量子ドット コロイド量子ドットは無機-有機ハイブリッド太陽電池 にも使用されています。これらの太陽電池は、低コストでの製造と比較的高い効率の可能性から魅力的です。[ 103 ] ZnO、 TiO2 、Nb2O5ナノ 材料 など の金属酸化物を有機光起電力に組み込むことは、完全なロールツーロールプロセスを使用して商業化されています。[ 103 ] Siナノワイヤ/PEDOT:PSSハイブリッド太陽電池では、13.2%の電力変換効率が主張されています。[ 104 ]
太陽電池におけるナノワイヤ付き量子ドット 別の潜在的な用途としては、CdSe量子ドットでキャップされた単結晶ZnOナノワイヤを、正孔輸送媒体としてメルカプトプロピオン酸に浸漬し、QD増感型太陽電池を得る方法がある。ナノワイヤ の形態により、電子は光アノードへの直接的な経路を持つことができる。このタイプの太陽電池は、50~60%の内部量子効率 を示す。[ 105 ]
シリコンナノワイヤ(SiNW)とカーボン量子ドット上に量子ドットコーティングを施したナノワイヤ。平面シリコンの代わりにSiNWを使用することで、Siの反曲特性が向上します。[ 106 ] SiNWは、SiNW内の光閉じ込めにより光閉じ込め効果を示します。このSiNWとカーボン量子ドットの組み合わせにより、9.10%のPCEを達成した太陽電池が実現しました。[ 106 ]
グラフェン 量子ドットは、グラフェンシートと比較して、光起電力デバイスや有機発光ダイオード(OLED )の効率向上とコスト削減のために、有機電子材料と混合されてきた。これらのグラフェン量子ドットは、UV-可視吸収によるフォトルミネッセンスを示す有機配位子で機能化されている。[ 107 ]
電池用量子ドット負極
バッテリーの改良 量子ドットをアノードに添加すると、電池の電気伝導率と充電保持率が向上することが確認されている。
純粋な MnO と量子ドットをドープした MnO の充電および放電容量 (mAh/g) をサイクル数に対して比較すると、バッテリー容量、つまりバッテリーが保持できるエネルギー量は、量子ドットをドープした MnO バッテリーの方がドープしていないバッテリーよりも高く、Ag^-1 の電流密度を考慮すると、多くの充電/放電サイクル後も高いままであることがわかります。充電と放電の両方の比較において、ドープされた化合物の方が約 250 mAh/g 高い一定の平均差があり、0 サイクルから 60 サイクルまで比較すると、ドープされた化合物では最初の 60 サイクルで 1000 mAh/g から 450 mAh/g に、純粋な MnO では 750 mAh/g から 200 mAh/g に変化します。[ 108 ]
グラフェン量子ドットを用いたNP-SiAl化合物との比較では、放電容量の向上だけでなく、電気化学インピーダンス分光プロットの改善も示されており、電池の電気伝導性が向上していることが示されています。NP-SiAl/GQDsの場合、-Z´´/ohmの値は250 Z´/ohmで300のピークに達しますが、純粋なNP-SiAlの場合、300 -Z´´/ohmのピークは650 Z´/ohmで達成されます。[ 109 ]
量子ドットにおけるエネルギー エネルギーの観点から見ると、個々の量子ドットは原子のエネルギー準位に匹敵するエネルギー準位を持つ。この性質を拡張すると、(量子ドットで構成された)人工格子は、結晶性半導体と同様のエネルギーバンド構造を持つことになる。
ドットのエネルギーレベルは、ドット内の電荷量と静電容量に依存します。電子に存在するエネルギーは波長の二乗に比例するため、エネルギーレベルは急速に上昇します[ 110 ]。
バッテリーによく使われる量子ドット カーボン量子ドットとグラファイト量子ドットは、電池に使用される主な種類の量子ドットである。
グラフェン量子ドットは、グラフェンシートが互いに結合してできており、2次元ディスクに似た形態を形成している。
炭素量子ドットは等方性の球状構造を持ち、結晶性および非晶質の炭素シートから構成されている。
これらの一般的な量子ドットのうち、グラフェンの量子ドットは通常、炭素の量子ドットよりも結晶性が高い。これは、グラフェンの量子ドットが単層および数層のグラフェンの結晶性を持っているためである。[ 109 ]
発光ダイオード 量子ドットを用いて既存の発光ダイオード (LED)設計を改善する方法として、量子ドット発光ダイオード (QD-LEDまたはQLED)ディスプレイや量子ドット白色発光ダイオード(QD-WLED)ディスプレイなど、いくつかの方法が提案されている。量子ドットは自然に 単色 光を生成するため、色フィルターを必要とする光源よりも効率的である可能性がある。QD-LEDはシリコン基板上に作製できるため、標準的なシリコンベースの集積回路 やマイクロ電気機械システム に集積することができる。[ 111 ]
量子ドットディスプレイ サムスン QLED テレビ 8K、75インチ( 190cm) 量子ドットは、非常に特定のガウス分布 で光を発するため、ディスプレイ用途において高く評価されています。これにより、より正確な色を視覚的に表現できるディスプレイが実現します。
従来のカラー液晶ディスプレイ (LCD)は通常、蛍光灯 (CCFL)または従来の白色LED でバックライトされ 、色フィルターを通して赤、緑、青のピクセルを生成します。量子ドットディスプレイは、光源として白色LEDではなく青色発光LEDを使用します。発光の変換部分は、青色LEDの前面に配置された対応する色の量子ドット、またはバックライト光学スタック内の量子ドット注入拡散シートによって、純粋な緑色と赤色の光に変換されます。青色LEDの光が青色の色合いを生成できるように、ブランクピクセルも使用されます。LCDパネルのバックライトとしてこのタイプの白色光を使用すると、3つのLEDを使用するRGB LEDの組み合わせよりも低コストで最高の色域を実現できます。[ 112 ]
量子ドットディスプレイを実現するもう1つの方法は、エレクトロルミネッセンス(EL)または電気発光方式です。これは、個々のピクセルに量子ドットを埋め込む方式です。これらは電流を流すことで活性化され、制御されます。[ 113 ] この方式では、多くの場合、量子ドット自体が発光するため、実現可能な色は制限される可能性があります。[ 114 ] 電気発光QD-LEDテレビは、研究室にしか存在しません。
量子ドットはスペクトルを正確に変換および調整できるため、LCDにとって魅力的な技術です。従来のLCDでは、赤と緑の色調が貧弱で、青と黄色の色調が豊かな白色光を、よりバランスの取れた照明に変換する際にエネルギーを浪費していました。量子ドットを使用することで、理想的な画像に必要な色のみが画面に含まれます。量子ドットの最初の商用アプリケーションは、2013年に発売されたソニーのXBR X900Aシリーズのフラットパネルテレビでした。 [ 115 ]
2006年6月、QD Visionは量子ドットディスプレイ の概念実証に技術的に成功し、可視光および近赤外領域で明るい発光を示したと発表した。走査型顕微鏡の先端に統合されたQD-LEDを使用して、蛍光近接場走査型光学顕微鏡(NSOM )イメージングを実証した。[ 116 ]
基礎材料科学 量子ドットは、材料科学 における基礎的な効果を研究するためにも使用できます。このような量子ドットを2つ以上結合することで、室温でも混成を 示す人工分子を作ることができます。 [ 121 ] 量子ドットを精密に組み立てることで、独自の光学的および電子的特性を示す人工固体材料として機能する超格子を形成できます。[ 122 ] [ 123 ]
理論 量子ドットは理論的には点状、すなわちゼロ次元(0D)の実体として記述されます。その特性のほとんどは、量子ドットの寸法、形状、および構成材料に依存します。一般的に、量子ドットはバルク材料とは異なる熱力学的 特性を示します。これらの効果の1つが融点降下です。球状金属量子ドットの光学的特性は、 ミー散乱 理論によってよく説明されます。
半導体における量子閉じ込め 量子ドット内の3次元閉じ込め電子波動関数。ここでは、長方形と三角形の量子ドットを示しています。長方形ドットのエネルギー状態は、s 型とp 型が優勢です。一方、三角形ドットでは、閉じ込めの対称性により波動関数が混在しています。(アニメーションを見るにはクリックしてください) 量子ドット内の単一粒子のエネルギー準位は、状態のエネルギーが箱の長さに依存する箱内粒子モデルを使用して予測できます。量子ドット内の 励起子には、負に帯電した電子と正に帯電した正孔の間の クーロン相互作用 もあります。量子ドットのサイズを励起子ボーア半径 と比較することで、3つの領域を定義できます。「強い閉じ込め領域」では、量子ドットの半径は励起子ボーア半径よりもはるかに小さく、閉じ込めエネルギーがクーロン相互作用よりも支配的です。[ 124 ] 「弱い閉じ込め」領域では、量子ドットは励起子ボーア半径よりも大きく、閉じ込めエネルギーは電子と正孔の間のクーロン相互作用よりも小さくなります。励起子ボーア半径と閉じ込めポテンシャルが同程度の領域は、「中間閉じ込め領域」と呼ばれます。[ 125 ]
量子閉じ込め効果による小さな量子ドットのエネルギー準位の分裂。横軸は量子ドットの半径、つまりサイズであり、b * は励起子のボーア半径 です。 バンドギャップエネルギー 強い閉じ込め領域では、エネルギー準位が分裂するため、バンドギャップは小さくなる可能性がある。励起子ボーア半径は次のように表される。 1 B * = ε r ( m μ ) 1 B ${\displaystyle a_{\rm {B}}^{*}=\varepsilon _{\rm {r}}\left({\frac {m}{\mu }}\right)a_{\rm {B}}}$ ここで、a B = 0.053 nm はボーア半径、m は質量、μ は換算質量、ε r はサイズ依存誘電率 (比誘電率 ) です。これにより、全発光エネルギー (強い閉じ込め領域におけるより小さなバンドギャップのエネルギー準位の合計は、弱い閉じ込め領域における元の準位のバンドギャップのエネルギー準位よりも大きい) とさまざまな波長での発光が増加します。量子ドットのサイズ分布が十分にピーク状でない場合、複数の発光波長の畳み込みが連続スペクトルとして観測されます。 閉じ込めエネルギー 励起子は、箱の中の粒子モデルを用いてモデル化することができる。電子と正孔は、ボーアモデル における水素原子核を正電荷と負の電子質量を持つ正孔に置き換えた水素原子と見なすことができる。すると、励起子のエネルギー準位は、基底状態(n = 1)における箱の中の粒子モデルの解として表すことができ、質量は換算質量 に置き換えられる。このように、量子ドットのサイズを変化させることで、励起子の閉じ込めエネルギーを制御することができる。 束縛励起子エネルギー 負に帯電した電子と正に帯電した正孔の間にはクーロン引力が働く。この引力に関わる負のエネルギーはリュードベリエネルギーに比例し、半導体のサイズ依存誘電率[ 126 ] の二乗に反比例する。半導体結晶のサイズが励起子ボーア半径よりも小さい場合、状況に合わせてクーロン相互作用を修正する必要がある。 したがって、これらのエネルギーの合計は、Brusの式 で表すことができる。
E 監禁 = ℏ 2 π 2 2 1 2 ( 1 m e + 1 m h ) = ℏ 2 π 2 2 μ 1 2 E 励起子 = − 1 ε r 2 μ m e R y = − R y * E = E バンドギャップ + E 監禁 + E 励起子 = E バンドギャップ + ℏ 2 π 2 2 μ 1 2 − R y * {\displaystyle {\begin{aligned}E_{\textrm {confinement}}&={\frac {\hbar ^{2}\pi ^{2}}{2a^{2}}}\left({\frac {1}{m_{\rm {e}}}}+{\frac {1}{m_{\rm {h}}}}\right)={\frac {\hbar ^{2}\pi ^{2}}{2\mu a^{2}}}\\[6px]E_{\textrm {exciton}}&=-{\frac {1}{\varepsilon _{\rm {r}}^{2}}}{\frac {\mu }{m_{\rm {e}}}}R_{y}=-R_{y}^{*}\\[6px]E&=E_{\textrm {bandgap}}+E_{\textrm {confinement}}+E_{\textrm {exciton}}\\&=E_{\textrm {bandgap}}+{\frac {\hbar ^{2}\pi ^{2}}{2\mu a^{2}}}-R_{y}^{*}\end{aligned}}} ここで、 μ は換算質量、a は量子ドットの半径、m e は自由電子質量、m h は正孔質量、ε r はサイズ依存誘電率である。
上記の式は簡略化された仮定を用いて導出されたものですが、量子ドットの電子遷移はそのサイズに依存することを示唆しています。これらの量子閉じ込め効果は臨界サイズ以下でのみ顕著になります。より大きな粒子ではこの効果は現れません。量子ドットに対するこの量子閉じ込め効果は実験的に繰り返し検証されており[ 127 ] 、多くの新しい電子構造の重要な特徴となっています[ 128 ] 。
閉じ込められたキャリア間のクーロン相互作用は、漸近近似に制約されない結果を追求する場合、数値的手法によっても研究することができる。[ 129 ]
3次元すべてに閉じ込められたもの(つまり量子ドット)の他に、量子閉じ込め半導体には以下のようなものがある。
量子ワイヤー とは、電子や正孔を2次元空間に閉じ込め、3次元空間では自由に伝播させる構造のことである。量子井戸 とは、電子または正孔を一次元に閉じ込め、二次元への自由な伝播を可能にする構造である。
モデル 量子ドットの光学的、電子的、構造的特性をモデル化するための理論的枠組みは多岐にわたる。これらは大きく量子力学的、半古典的、古典的の3つに分類できる。
量子力学 量子ドットの量子力学的モデルとシミュレーションでは、電子と擬ポテンシャル またはランダム行列 との相互作用がしばしば含まれる。[ 130 ]
セミクラシカル 量子ドットの半古典モデルでは、化学ポテンシャル が頻繁に組み込まれます。例えば、N 粒子系の熱力学的化学ポテンシャルは次のように表されます。
μ ( N ) = E ( N ) − E ( N − 1 ) {\displaystyle \mu (N)=E(N)-E(N-1)} そのエネルギー項はシュレーディンガー方程式の解として得られる。静電容量の定義、
1 C ≡ Δ V Δ Q {\displaystyle {\frac {1}{C}}\equiv {\frac {\Delta V}{\Delta Q}}} 電位差
Δ V = Δ μ e = μ ( N + Δ N ) − μ ( N ) e {\displaystyle \Delta V={\frac {\Delta \mu }{e}}={\frac {\mu (N+\Delta N)-\mu (N)}{e}}} 個々の電子の追加または除去を伴う量子ドットに適用することができ、
Δ N = 1 そして Δ Q = e {\displaystyle \Delta N=1\quad {\text{and}}\quad \Delta Q=e} それから
C ( N ) = e 2 μ ( N + 1 ) − μ ( N ) = e 2 私 ( N ) − A ( N ) {\displaystyle C(N)={\frac {e^{2}}{\mu (N+1)-\mu (N)}}={\frac {e^{2}}{I(N)-A(N)}}} は量子ドットの量子容量 であり、ここでI ( N ) はイオン化ポテンシャル、A ( N )はN 粒子系の電子親和力を表す。 [ 131 ]
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