結晶の種類
臨界位相整合 強い変換のためのコヒーレント光の第二高調波発生位相整合の異なるタイプ。負の結晶の場合(n o > n e {\displaystyle n_{o}>n_{e}} ) が考慮され、正の結晶の場合はインデックスを反転します (n e > n o {\displaystyle n_{e}>n_{o}} ) 臨界位相整合の場合、第二高調波発生は0、I、II の 3 つのタイプで発生します。[ 12 ] タイプ 0 SHG では、 結晶に対して異常偏光を 持つ 2 つの光子が結合して、周波数/エネルギーが 2 倍で異常偏光を持つ 1 つの光子を形成します。タイプ I SHG では、 結晶に対して通常の偏光を 持つ 2 つの光子が結合して、周波数が 2 倍で異常偏光を持つ 1 つの光子を形成します。タイプ II SHG では、直交偏光を持つ 2 つの光子が結合して、周波数が 2 倍で通常の偏光を持つ 1 つの光子を形成します。特定の結晶方位では、これらのタイプの SHG のうち 1 つだけが発生します。一般に、タイプ 0 の 相互作用を利用するには、周期分極ニオブ酸リチウム(PPLN) などの 準位相整合 結晶タイプが必要です。
非臨界位相整合 位相整合プロセスは単にωと2ωにおける光学的屈折率を一致させるだけなので、光学的屈折率が温度に依存する複屈折結晶の温度を制御することによっても実現できます。例えば、LBOは 1200nmまたは1400nmで励起されたSHGに対して25℃で完全な位相整合を示しますが[ 13 ] 、通常の1064nmのレーザー線によるSHGには200℃まで温度を上げる必要があります。これは、通常の位相整合とは異なり、結晶の配向に依存しないため、「非臨界」と呼ばれます。
表面第二高調波発生 第二高調波発生プロセスの図 反転対称性 を持つ媒体は、 (第 3 次高調波発生 とは異なり)主次電気双極子寄与による第 2 次高調波光の生成が禁止されているため、表面や界面は SHG を用いた研究の興味深い対象となります。実際、第 2 次高調波発生と和周波発生はバルクからの信号を区別するため、暗黙のうちに表面固有の技術として分類されます。1982 年、TF Heinz と YR Shen は、SHG が表面に吸着した分子単分子層をプローブするための分光技術として使用できることを初めて明示的に実証しました。[ 14 ] Heinz と Shen は、レーザー色素ローダミン の単分子層を平面溶融石英 表面に吸着させ、コーティングされた表面をナノ秒超高速レーザーで励起しました。吸着した分子の特性スペクトルと電子遷移を持つ SH 光が表面からの反射として測定され、励起レーザー出力の 2 乗依存性を示しました。
SHG表面分光法では、入射電場に対して入射周波数の2倍である2ωを測定することに重点が置かれる。 E ( ω ) {\displaystyle E(\omega )} 表面に関する情報を明らかにするために。簡単に言うと(より詳細な導出については下記を参照)、単位体積あたりの誘導第二高調波双極子は、P ( 2 ) ( 2 ω ) {\displaystyle P^{(2)}(2\omega )} は次のように書くことができます。
E ( 2 ω ) ∝ P ( 2 ) ( 2 ω ) = χ ( 2 ) E ( ω ) E ( ω ) {\displaystyle E(2\omega )\propto P^{(2)}(2\omega )=\chi ^{(2)}E(\omega )E(\omega )} どこχ ( 2 ) \displaystyle \chi ^{(2)}} は非線形感受率テンソルとして知られており、研究対象の界面にある材料に固有の特性である。[ 15 ] 生成されたE ( 2 ω ) {\displaystyle E(2\omega )} およびそれに対応するχ ( 2 ) \displaystyle \chi ^{(2)}} SHG表面分光法は、表面/界面における分子の配向、表面の界面分析化学、および界面での化学反応に関する情報を明らかにすることが示されています。電極と電解質の界面における電場は 、界面の反転対称性に影響を与える追加項を導入するため、SHG表面分光法は材料の電気化学的特性評価にも広く使用されています。
平面から 空気と水の界面におけるフェノールの配向を測定するための第二高調波発生装置の概略図。 この分野における初期の実験では、金属表面からの第二高調波発生が実証された。[ 16 ] 最終的に、SHGは空気-水界面のプローブとして使用され、最も遍在する表面の1つにおける分子の配向と秩序に関する詳細な情報を得ることが可能になった。[ 17 ] 特定の元素がχ ( 2 ) \displaystyle \chi ^{(2)}} :
χ z z z ( 2 ) = N s ⟨ コス 3 ( θ ) ⟩ α z z z ( 2 ) χ x z x ( 2 ) = 1 2 N s ⟨ コス ( θ ) 罪 2 ( θ ) ⟩ α z z z ( 2 ) {\displaystyle {\begin{aligned}\chi _{zzz}^{(2)}&=N_{s}\left\langle \cos ^{3}(\theta )\right\rangle \alpha _{zzz}^{(2)}\\\chi _{xzx}^{(2)}&={\frac {1}{2}}N_{s}\left\langle \cos(\theta )\sin ^{2}(\theta )\right\rangle \alpha _{zzz}^{(2)}\end{aligned}}} ここで、N s は吸着質密度、θは分子軸 z が表面法線Z となす角度であり、α z z z ( 2 ) {\displaystyle \alpha _{zzz}^{(2)}} は界面における分子の非線形分極率の支配的な要素であり、実験室座標( x 、 y 、 z )が与えられた場合に θ を 決定することができる。[ 18 ] 干渉 SHG 法を使用してχ (2) のこれらの要素を決定したところ、最初の分子配向測定では、空気-水界面でフェノールの水酸基が水中に下向きに向いていることが示された (水酸基が水素結合を形成する可能性から予想される通り)。さらに、平面表面での SHG により、界面におけるpK a と分子の回転運動の違いが明らかになった。
非平面表面から 小さな球状表面に整列した分子を描いた模式図。超高速ポンプレーザーが周波数ωの光を励起し、局所的に非中心対称な媒質から2ωの光が生成される。 第二高調波光は、「局所的に」平面であるが、より大きなスケールで反転対称性(中心対称性)を持つ表面からも生成されることがあります。具体的には、最近の理論では、レイリー散乱 (吸収波から放出波への周波数変化のない散乱)を適切に扱うことで、小さな球状粒子(マイクロメートルおよびナノメートルスケール)からのSHGが可能になることが実証されています。[ 19 ] 小さな球の表面では、反転対称性が破れ、SHGやその他の偶数次の高調波が発生します。
比較的低濃度の微粒子からなるコロイド系では、総SH信号は私 2 ω 合計 {\displaystyle I_{2\omega }^{\text{total}}} は次のように与えられます。
私 2 ω 合計 ∝ ∑ j = 1 n ( E j 2 ω ) 2 = n ( E 2 ω ) 2 = n 私 2 ω {\displaystyle I_{2\omega }^{\text{total}}\propto \sum \limits _{j=1}^{n}\left(E_{j}^{2\omega }\right)^{2}=n\left(E^{2\omega }\right)^{2}=nI_{2\omega }} どこE j 2 ω {\displaystyle E_{j}^{2\オメガ }} はj 番目の粒子によって生成される SH 電場であり、n は粒子の密度です。[ 20 ] 各粒子から生成される SH 光はコヒーレント ですが、他の粒子によって生成される SH 光には非コヒーレントに加算されます (密度が十分に低い場合)。したがって、SH 光は球体とその環境の界面からのみ生成され、粒子間の相互作用とは無関係です。また、第二高調波電場はE ( 2 ω ) {\displaystyle E(2\omega )} 粒子の半径の3乗に比例し、3 に比例します。
球状粒子以外にも、棒状粒子などの小さな粒子も同様にSHGによって研究されてきた。[ 21 ] 固定化された粒子系とコロイド状粒子系の両方を調査することができる。非平面系を用いた最近の第二高調波発生実験には、生細胞膜を介した輸送速度論[ 22 ] や複雑なナノ材料 におけるSHGの実証[ 23 ] などがある。
放射線パターン 均質な媒質中(A)または伝搬方向に平行な反対極性の界面(B)において、ガウスビームで励起されたSHG放射パターン。前方SHGのみを示している。 励起ガウスビームによって生成されるSHG放射パターン も、励起される非線形媒質が均質である場合(A)、(均質な)2次元ガウスプロファイルを持つ。しかし、励起ビームが反対極性の界面(±境界、B )に位置し、ビーム伝搬に平行である場合(図を参照)、SHGは振幅が反対符号の2つのローブに分割される。π {\displaystyle \pi } 位相がずれている。 [ 24 ]
これらの境界は、例えば筋肉 のサルコメア (タンパク質=ミオシン )に見られる。なお、ここでは順方向世代のみを考慮した。
さらに、SHG位相整合 により、k → 2 ω = − 2 k → ω {\displaystyle {\vec {k}}_{2\omega }=-2{\vec {k}}_{\omega }} : SHG の一部は後方 (エピ方向) にも放出されます。生体組織 のように位相整合が 満たされない場合、後方信号は十分に大きな位相不整合から生じ、それを補償するために小さな後方寄与が可能になります。[ 25 ] 蛍光とは異なり、このプロセスの空間コヒーレンスにより、放出は 2 つの方向にのみ制限されます。後方方向のコヒーレンス長は常に前方方向よりもはるかに小さいため、常に後方 SHG 信号よりも前方 SHG 信号が多くなります。[ 26 ]
異なる双極子配置からの前方(F)および後方(B)におけるSHG放射パターン:(a)単一の双極子、したがってF = B ;(b)小さな双極子スタック、F > B ;(c)大きな双極子スタック、F >> B ;(d)グーイ位相シフトによりSHGが相殺され、F とBは 弱い 前方 ( F ) と後方 ( B ) の比は、励起されるさまざまな双極子 (図中の緑色) の配置に依存します。双極子が 1 つだけの場合 (図中の (a))、F = B ですが、伝搬方向に沿って双極子が積み重なると (b および c) 、 F は B より高くなります。ただし、ガウスビーム のグーイ位相シフト は、 π {\displaystyle \pi } 焦点体積の端で生成されたSHG間の位相シフトにより、これらの端に同じ方向の双極子が存在する場合(図のケース(d))、破壊的干渉(ゼロ信号)が発生する可能性があります。
前方 ( F ) と後方 ( B ) の比は、励起されるさまざまな双極子 (図中の緑色) の配置に依存します。双極子が 1 つだけの場合 (図中の (a))、F = B ですが、伝搬方向に沿って双極子が積み重なると (b および c) 、 F は B より高くなります。ただし、ガウスビーム のグーイ位相シフト は、 π {\displaystyle \pi } 焦点体積の端で生成されたSHG間の位相シフトにより、これらの端に同じ方向の双極子が存在する場合(図のケース(d))、破壊的干渉(ゼロ信号)が発生する可能性があります。
アプリケーション
緑色レーザー 第二高調波発生は、レーザー産業において、 1064 nm の光源から 532 nm の緑色レーザーを生成するために使用されています。1064 nm の光は、バルク非線形結晶 (通常はKDP またはKTP 製 ) を通過します。高品質のダイオードレーザーでは、結晶の出力側に赤外線フィルターがコーティングされており、1064 nm または 808 nm の強い赤外線がビームに漏れるのを防いでいます。これらの波長はどちらも目に見えず、目の防御反応である「瞬き反射」を引き起こさないため、人間の目に特別な危険をもたらす可能性があります。さらに、アルゴンレーザーやその他の緑色レーザー用に設計されたレーザー安全 メガネの中には、緑色成分をフィルターで除去し (誤った安全感を与える)、赤外線を透過するものもあるかもしれません。それにもかかわらず、高価な赤外線フィルターを省略した「緑色レーザーポインター 」製品が、多くの場合警告なしに市場に出回っています。[ 27 ]
超短パルス測定 第二高調波発生は、自己相関器 を用いて超短パルス幅を測定するためにも使用されます。超短パルス の特性評価(時間幅の測定など)は、時間スケールが 1ps 未満であるため、電子回路のみでは直接行うことはできません。10 − 12 10^{-12}} 秒)。そのため、多くの場合自己相関関数を介してパルス自体を使用する必要があります。SHGは2つの入力フィールドを混合して高調波フィールドを生成するという利点があるため、このようなパルス測定を実行するのに適しています。光自己相関は 、強度 バージョンまたはフリンジ分解(干渉計 )バージョンでSHGを使用します[ 28 ] 。これは、線形フィールド自己相関とは異なります。また、 FROG のほとんどのバージョン(SHG-FROGと呼ばれる)は、遅延フィールドを混合するためにSHGを使用します。[ 29 ]
第二高調波発生顕微鏡 生物学および医学では、第二高調波発生効果は高解像度光学顕微鏡に利用されています。第二高調波係数がゼロでないため、非中心対称構造のみがSHG光を放出できます。そのような構造の1つがコラーゲンで、これはほとんどの荷重支持組織に見られます。フェムト秒レーザー などの短パルスレーザーと適切なフィルターセットを使用すると、励起光は放出された周波数倍増SHG信号から容易に分離できます。これにより、ピンホールを使用せずに共焦点顕微鏡に匹敵する非常に高い軸方向および横方向の解像度が得られます。SHG顕微鏡は、主にコラーゲンで構成される 角膜 [ 30 ] および篩状板強膜 [ 31 ] の研究に使用されています。第二高調波発生は、いくつかの非中心対称有機色素によって生成できますが、ほとんどの有機色素は第二高調波発生信号とともに付随蛍光も生成します。[ 32 ] これまで、副次的蛍光を発せず、純粋に第二高調波発生のみで機能する有機色素は 2 種類しか示されていません。[ 32 ] [ 33 ] 最近、オックスフォード大学の研究者グループは、二光子励起蛍光と第二高調波発生に基づく顕微鏡を使用して、有機ポルフィリン型分子が二光子蛍光と第二高調波発生に対して異なる遷移双極子モーメントを持つことができることを示しました。[ 34 ] これらは通常、同じ遷移双極子モーメントから発生すると考えられています。[ 35 ]
第二高調波発生顕微鏡は、例えばナノ構造材料の特性評価など、材料科学でも使用されています。[ 36 ]
理論的導出(平面波)
低変換率の場合 第二高調波発生の解析で最も単純なケースは、振幅E ( ω )の平面波が非線形媒質中をk ベクトル の方向に伝搬する場合である。第二高調波周波数で偏光が発生する: [ 50 ]
P ( 2 ω ) = ε 0 χ ( 2 ) E 2 ( ω ) = 2 ε 0 d eff ( 2 ω ; ω 、 ω ) E 2 ( ω ) 、 {\displaystyle P(2\omega )=\varepsilon _{0}\chi ^{(2)}E^{2}(\omega )=2\varepsilon _{0}d_{\text{eff}}(2\omega ;\オメガ ,\オメガ )E^{2}(\オメガ ),\,} どこd eff \displaystyle d_{\text{eff}}} は、特定の成分に依存する有効非線形光学係数です。χ ( 2 ) \displaystyle \chi ^{(2)}} この特定の相互作用に関与するもの。2ωにおける波動方程式(損失を無視し、緩やかに変化する包絡線近似を 仮定)は次のようになる。
∂ E ( 2 ω ) ∂ z = − 私 ω n 2 ω c d eff E 2 ( ω ) e 私 Δ k z {\displaystyle {\frac {\partial E(2\omega )}{\partial z}}=-{\frac {i\omega }{n_{2\omega }c}}d_{\text{eff}}E^{2}(\omega )e^{i\,\Delta k\,z}} どこΔ k = k ( 2 ω ) − 2 k ( ω ) {\displaystyle \Delta k=k(2\omega )-2k(\omega )} 。
変換効率が低い場合(E (2ω ) ≪E ( ω ) )振幅E ( ω ) {\displaystyle E(\omega )} 相互作用の長さ全体にわたってほぼ一定であり、ℓ {\displaystyle \ell } 境界条件E ( 2 ω 、 z = 0 ) = 0 {\displaystyle E(2\omega ,z=0)=0} 我々は得る
E ( 2 ω 、 z = ℓ ) = − 私 ω d eff n 2 ω c E 2 ( ω ) ∫ 0 ℓ e 私 Δ k z d z = − 私 ω d eff n 2 ω c E 2 ( ω ) ℓ 罪 ( 1 2 Δ k ℓ ) 1 2 Δ k ℓ e 私 2 Δ k ℓ {\displaystyle E(2\omega ,z=\ell )=-{\frac {i\omega d_{\text{eff}}}{n_{2\omega }c}}E^{2}(\omega )\int _{0}^{\ell }e^{i\,\Delta k\,z}\,dz=-{\frac {i\omega d_{\text{eff}}}{n_{2\omega }c}}E^{2}(\omega )\ell \,{\frac {\sin \left({\frac {1}{2}}\,\Delta k\,\ell \right)}{{\frac {1}{2}}\,\Delta k\,\ell }}e^{{\frac {i}{2}}\,\Delta k\,\ell }} 光強度に関して言えば、私 = n / 2 ε 0 / μ 0 | E | 2 {\displaystyle I=n/2{\sqrt {\varepsilon _{0}/\mu _{0}}}|E|^{2}} これは、
私 ( 2 ω 、 ℓ ) = 2 ω 2 d eff 2 ℓ 2 n 2 ω n ω 2 c 3 ε 0 ( 罪 ( 1 2 Δ k ℓ ) 1 2 Δ k ℓ ) 2 私 2 ( ω ) {\displaystyle I(2\omega ,\ell )={\frac {2\omega ^{2}d_{\text{eff}}^{2}\ell ^{2}}{n_{2\omega }n_{\omega }^{2}c^{3}\varepsilon _{0}}}\left({\frac {\sin \left({\frac {1}{2}}\,\Delta k\,\ell \right)}{{\frac {1}{2}}\,\Delta k\,\ell }}\right)^{2}I^{2}(\omega )} この強度は、位相整合 条件 Δ k = 0で最大になります。プロセスが位相整合していない場合、ωでの駆動偏光は生成波 E (2 ω )と位相がずれたり合ったりし、変換は sin(Δ kℓ /2) のように振動します。コヒーレンス長は次のように定義されます。ℓ c = π Δ k {\displaystyle \ell _{c}={\frac {\pi }{\Delta k}}} コヒーレンス長よりもはるかに長い非線形結晶を使用することは得策ではない。(周期分極 と準位相整合は、 この問題に対する別のアプローチを提供する。)
枯渇に伴い 位相整合が完全な場合の第二高調波発生の図Δ k = 0 {\displaystyle \Delta k=0} 。 位相整合が不完全な場合の第2高調波発生の図Δ k ≠ 0 {\displaystyle \Delta k\neq 0} この場合、エネルギーはポンプ光から周波数倍増された信号光へと往復し、結晶が厚いと生成される第二高調波発生量が少なくなる可能性がある。 第2高調波への変換が重要になると、基本波の減衰を含める必要が生じます。エネルギー変換では、関係するすべての場がマンリー・ロウの関係を 満たすとされています。すると、次の連立方程式が得られます。[ 51 ]
∂ E ( 2 ω ) ∂ z = − 私 ω n 2 ω c d eff E 2 ( ω ) e 私 Δ k z 、 ∂ E ( ω ) ∂ z = − 私 ω n ω c d eff * E ( 2 ω ) E * ( ω ) e − 私 Δ k z 、 {\displaystyle {\begin{aligned}{\frac {\partial E(2\omega )}{\partial z}}&=-{\frac {i\omega }{n_{2\omega }c}}d_{\text{eff}}E^{2}(\omega )e^{i\,\Delta k\,z},\\[5pt]{\frac {\partial E(\omega )}{\partial z}}&=-{\frac {i\omega }{n_{\omega }c}}d_{\text{eff}}^{*}E(2\omega )E^{*}(\omega )e^{-i\,\Delta k\,z},\end{aligned}}} どこ* {\displaystyle *} は複素共役を表します。簡略化のため、位相整合生成を仮定します(Δ k = 0 {\displaystyle \Delta k=0} ) そして、エネルギー保存には以下が必要である。
n 2 ω [ E * ( 2 ω ) ∂ E ( 2 ω ) ∂ z + cc ] = − n ω [ E ( ω ) ∂ E * ( ω ) ∂ z + cc ] {\displaystyle n_{2\omega }\left[E^{*}(2\omega ){\frac {\partial E(2\omega )}{\partial z}}+{\text{c.c.}}\right]=-n_{\omega }\left[E(\omega ){\frac {\partial E^{*}(\omega )}{\partial z}}+{\text{c.c.}}\right]} どこcc {\displaystyle {\text{c.c.}}} はもう一方の項の複素共役、または
n 2 ω | E ( 2 ω ) | 2 + n ω | E ( ω ) | 2 = n 2 ω E 0 2 。 {\displaystyle n_{2\omega }\left|E(2\omega )\right|^{2}+n_{\omega }|E(\omega )|^{2}=n_{2\omega }E_{0}^{2}.} 位相整合された第二高調波発生(SHG)と光源枯渇(青)、およびそれに対応する励起(オレンジ)。Lは 相互作用長(本文ではℓ )を表す。 前提に基づいて方程式を解く
E ( ω ) = | E ( ω ) | e 私 φ ( ω ) E ( 2 ω ) = | E ( 2 ω ) | e 私 φ ( 2 ω ) {\displaystyle {\begin{aligned}E(\omega )&=\left|E(\omega )\right|e^{i\varphi (\omega )}\\E(2\omega )&=\left|E(2\omega )\right|e^{i\varphi (2\omega )}\end{aligned}}} そして入手する
d | E ( 2 ω ) | d z = − 私 ω d eff n ω c [ E 0 2 − | E ( 2 ω ) | 2 ] e 2 私 φ ( ω ) − 私 φ ( 2 ω ) {\displaystyle {\frac {d\left|E(2\omega )\right|}{dz}}=-{\frac {i\omega d_{\text{eff}}}{n_{\omega }c}}\left[E_{0}^{2}-\left|E(2\omega )\right|^{2}\right]e^{2i\varphi (\omega )-i\varphi (2\omega )}} これは
∫ 0 | E ( 2 ω ) | ℓ d | E ( 2 ω ) | E 0 2 − | E ( 2 ω ) | 2 = − ∫ 0 ℓ 私 ω d eff n ω c e 2 私 φ ( ω ) − 私 φ ( 2 ω ) d z 。 {\displaystyle \int _{0}^{\left|E(2\omega )\right|\ell }{\frac {d\left|E(2\omega )\right|}{E_{0}^{2}-\left|E(2\omega )\right|^{2}}}=-\int _{0}^{\ell }{\frac {i\omega d_{\text{eff}}}{n_{\omega }c}}e^{2i\varphi (\omega )-i\varphi (2\omega )}\,dz.} 使用
∫ d x 1 2 − x 2 = 1 1 タン − 1 x 1 {\displaystyle \int {\frac {dx}{a^{2}-x^{2}}}={\frac {1}{a}}\tanh ^{-1}{\frac {x}{a}}} 私たちは
| E ( 2 ω ) | z = ℓ = E 0 タン ( − 私 E 0 ℓ ω d eff n ω c e 2 私 φ ( ω ) − 私 φ ( 2 ω ) ) 。 {\displaystyle \left|E(2\omega )\right|_{z=\ell }=E_{0}\tanh \left({\frac {-iE_{0}\ell \omega d_{\text{eff}}}{n_{\omega }c}}e^{2i\varphi (\omega )-i\varphi (2\omega )}\right).} 実際のd eff {\displaystyle d_{\text{eff}}} 実調和成長の相対位相は、e 2 私 φ ( ω ) − 私 φ ( 2 ω ) = 私 {\displaystyle e^{2i\varphi (\omega )-i\varphi (2\omega )}=i} 。 それから
私 ( 2 ω 、 ℓ ) = 私 ( ω 、 0 ) タン 2 ( E 0 ω d eff ℓ n ω c ) {\displaystyle I(2\omega ,\ell )=I(\omega ,0)\tanh ^{2}\left({\frac {E_{0}\omega d_{\text{eff}}\ell }{n_{\omega }c}}\right)} または
私 ( 2 ω 、 ℓ ) = 私 ( ω 、 0 ) タン 2 ( Γ ℓ ) 、 {\displaystyle I(2\omega ,\ell )=I(\omega ,0)\tanh ^{2}(\Gamma \ell ),} どこΓ = ω d eff E 0 / n c {\displaystyle \Gamma =\omega d_{\text{eff}}E_{0}/nc} 。 から私 ( 2 ω 、 ℓ ) + 私 ( ω 、 ℓ ) = 私 ( ω 、 0 ) {\displaystyle I(2\omega ,\ell )+I(\omega ,\ell )=I(\omega ,0)} そこから、
私 ( ω 、 ℓ ) = 私 ( ω 、 0 ) セック 2 ( Γ ℓ ) 。 {\displaystyle I(\omega ,\ell )=I(\omega ,0)\operatorname {sech} ^{2}(\Gamma \ell ).}
ガウスビームを用いた理論式 励起波は、振幅が次のガウスビーム であると仮定する。 A 1 = A 0 2 π z R 私 q ( z ) exp ( 私 k 1 x 2 + y 2 2 q ( z ) ) {\displaystyle A_{1}=A_{0}{\sqrt {\frac {2}{\pi }}}{\frac {z_{R}}{iq(z)}}\exp \left(ik_{1}{\frac {x^{2}+y^{2}}{2q(z)}}\right)}
とq ( z ) = z − 私 z R {\displaystyle q(z)=z-iz_{R}} 、z {\displaystyle z} 伝播の方向、z R {\displaystyle z_{R}} レイリーシリーズ、k 1 {\displaystyle {k}_{1}} 波数ベクトル 。
それぞれの波は波動方程式を検証する
[ ∂ ∂ x 2 + ∂ ∂ y 2 + 2 私 k 1 ∂ ∂ z ] A ( x 、 y 、 z ; k 1 ) = { 0 根本的な 、 ω n 2 c 2 χ ( n ) A ( x 、 y 、 z ; k 1 ) e 私 Δ k z のために n 第 1 次高調波 。 {\displaystyle \left[{\frac {\partial }{\partial x^{2}}}+{\frac {\partial }{\partial y^{2}}}+2ik_{1}{\frac {\partial }{\partial z}}\right]A(x,y,z;k_{1})={\begin{cases}0&{\text{for the fundamental}},\\{\frac {\omega _{n}^{2}c^{2}}{\chi ^{(n)}}}A(x,y,z;k_{1})e^{i\,\Delta k\,z}&{\text{for }}n{\text{-th harmonic}}.\end{cases}}} どこΔ k = k n − k 1 {\displaystyle \Delta k=k_{n}-k_{1}} 。
位相整合により 以下のことが証明できる。 A n = − 私 ω n 2 n n ω c ( A 0 2 π ) n z R 2 ∫ − ∞ z χ ( n ) ( u ) q ( u ) 2 d u exp ( 私 k n x 2 + y 2 2 q ( z ) ) {\displaystyle A_{n}=-i{\frac {\omega _{n}}{2n_{n\omega }c}}{\left(A_{0}{\sqrt {\frac {2}{\pi }}}\right)^{n}}z_{R}^{2}\int _{-\infty }^{z}{\frac {\chi ^{(n)}(u)}{q(u)^{2}}}\,du\exp \left(ik_{n}{\frac {x^{2}+y^{2}}{2q(z)}}\right)}
(ガウス関数 )は、方程式の解です( SHGの場合はn = 2)。
使用材料 第二高調波を生成できる物質は、点群 432の結晶を除いて、反転対称性を持たない結晶である。これにより、水とガラスは除外される。[ 50 ]
特に、コラーゲン 、チューブリン 、ミオシン などの円筒対称性を持つ線状生物タンパク質、および特定の炭水化物( デンプン やセルロース など)も、SHG(近赤外の基本波)の優れた変換器である。[ 53 ]
SHG変換に使用される結晶 の例:
600 ~ 1500 nm での基本励起 : [ 54 ] BiBO (BiB 3 O 6 ) 570 ~ 4000 nm での基本励起 : [ 55 ] ヨウ素酸リチウム LiIO 3 。 800~1100 nm、多くの場合860または980 nmでの基本励起:[ 56 ] ニオブ酸 カリウム KNbO3 。 410 ~ 2000 nmでの基本励起: BBO (β-BaB 2 O 4 )。[ 57 ] 984 ~ 3400 nm の基本励起 : KTP (KTiOPO 4 ) または KTA。[ 58 ] 約1000~2000 nmでの基本励起: PPLN のような周期分極結晶。[ 59 ] 入力波長が以下の一般的なダイオード励起固体 レーザーの場合:
ペロブスカイト材料は、特に非中心対称ハイブリッドおよび金属フリーペロブスカイトにおいて、結晶、低次元強誘電体ペロブスカイト、および光ファイバーコア形状において強い二次非線形光学特性と直接SHGが報告されている、有望な第二高調波発生媒体としても最近注目されている。[ 60 ] [ 61 ]
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外部リンク
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