半導体デバイス

半導体デバイスは、その機能を半導体材料（主にシリコン、ゲルマニウム、ガリウムヒ素、および有機半導体）の電子特性に依存している電子部品です。その導電性は導体と絶縁体の間にあります。ほとんどのアプリケーションで、半導体デバイスが真空管に取って代わりました。半導体デバイスは、真空中の自由電子（通常は熱電子放出によって解放される）として、またはイオン化ガス中の自由電子とイオンとしてではなく、固体状態で電流を伝導します。

半導体デバイスは、単一のディスクリートデバイスとして製造される場合と、単一の半導体ウェハ（基板とも呼ばれる） 上に製造され相互接続された 2 つ以上のデバイス（数百から数十億に及ぶ）で構成される集積回路として製造される場合があります。

半導体材料は、不純物を意図的に添加する(ドーピング)ことでその挙動を簡単に操作できるため便利です。半導体の伝導性は、電界や磁界の導入、光や熱への曝露、ドーピングされた単結晶シリコングリッドの機械的変形によって制御できるため、半導体は優れたセンサーになります。半導体内の電流伝導は、可動性または「自由」な電子と電子ホール(総称して電荷キャリア)によって発生します。半導体にリンやホウ素などの原子不純物を少量ドーピングすると、半導体内の自由電子またはホールの数が大幅に増加します。ドーピングされた半導体に過剰なホールが含まれている場合、 p 型半導体( pは正電荷)と呼ばれ、過剰な自由電子が含まれている場合、 n 型半導体( nは負電荷)と呼ばれます。可動性電荷キャリアの大部分は負の電荷を持っています。半導体の製造では、p 型および n 型のドーパントの位置と濃度を正確に制御します。 n型半導体とp型半導体を接続するとp-n接合が形成されます。

世界で最も一般的な半導体デバイスはMOSFET（金属酸化物半導体電界効果トランジスタ）^[1]で、 MOSトランジスタとも呼ばれています。2013年現在、毎日数十億個のMOSトランジスタが製造されています。^[2] 1978年以降、年間に製造される半導体デバイスの数は平均9.1％増加しており、2018年の出荷数は初めて1兆個を超えると予測されており^[3] 、これは現在までに7兆個以上が製造されたことを意味します。

半導体ダイオードは、通常、単一のp-n 接合から作られるデバイスです。p 型半導体とn 型半導体の接合部には、移動可能な電荷キャリアが不足しているために電流伝導が抑制される空乏領域が形成されます。デバイスが順方向バイアスされると (n 側よりも高い電位を持つ p 側に接続)、この空乏領域は減少し、大きな伝導が可能になります。逆に、ダイオードが逆方向バイアスされると(p 側よりも低い電位で n 側に接続され、空乏領域が拡大)、非常に小さな電流しか流せません。

半導体を光にさらすと電子正孔対が生成され、自由キャリアの数が増えて導電性が増します。この現象を利用するように最適化されたダイオードはフォトダイオードとして知られています。 化合物半導体ダイオードも、発光ダイオードやレーザーダイオードのように光を生成することができます。

バイポーラ接合トランジスタ(BJT) は、2 つの p-n 接合から形成され、n-p-n または p-n-p 構成のいずれかになります。接合間の中央領域、つまりベース領域は通常、非常に狭いです。その他の領域とそれに関連する端子は、エミッタとコレクタと呼ばれます。ベースとエミッタ間の接合に注入される小さな電流によって、ベース-コレクタ接合の特性が変化し、逆バイアスがかかっていても電流を流すことができます。これにより、ベース-エミッタ電流によって制御される、コレクタとエミッタ間の非常に大きな電流が生成されます。

別の種類のトランジスタである電界効果トランジスタ(FET) は、半導体の導電性が電界の存在によって増減できるという原理で動作します。電界は半導体内の自由電子と正孔の数を増加させ、それによって導電性を変化させます。電界は、逆バイアスされた p-n 接合によって印加されて接合型電界効果トランジスタ( JFET ) を形成するか、または酸化層によってバルク材料から絶縁された電極によって印加されて金属酸化物半導体電界効果トランジスタ( MOSFET ) を形成します。

金属酸化物半導体FET（MOSFET、またはMOSトランジスタ）は、固体デバイスであり、今日最も広く使用されている半導体デバイスです。これはすべてのトランジスタの少なくとも99.9％を占めており、1960年から2018年の間に推定13セクスティリオン個のMOSFETが製造されました^。[4] 

ゲート電極は、ソースとドレインと呼ばれる 2 つの端子間の「チャネル」の伝導性を制御する電界を生成するために充電されます。チャネル内のキャリアの種類に応じて、デバイスはn チャネル(電子用) またはp チャネル(正孔用) MOSFET になります。MOSFET は「金属」ゲートにちなんで名付けられていますが、現代のデバイスでは代わりにポリシリコンが使用されるのが一般的です。

2端子デバイス:

• ダイアック
• ダイオード（整流ダイオード）
• ガンダイオード
• IMPATTダイオード
• レーザーダイオード
• 発光ダイオード（LED）
• 光電セル
• フォトトランジスタ
• PINダイオード
• ショットキーダイオード
• 太陽電池
• 過渡電圧抑制ダイオード
• トンネルダイオード
• 面発光レーザー
• ツェナーダイオード
• 禅ダイオード

3端子デバイス:

• バイポーラトランジスタ
• ダーリントントランジスタ
• 電界効果トランジスタ
• 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）
• シリコン制御整流器
• サイリスタ
• トライアック
• ユニジャンクショントランジスタ

4端子デバイス:

• ホール効果センサー（磁場センサー）
• フォトカプラ（オプトカプラ）

これまでのところ、シリコン(Si) は半導体デバイスで最も広く使用されている材料です。原材料費の安さ、比較的簡単な加工、および実用的な温度範囲の組み合わせにより、シリコンは現在、さまざまな競合材料の中で最良の妥協点となっています。半導体デバイスの製造に使用されるシリコンは、現在、直径が 300 mm (12 インチ) のウェーハを製造できるほど大きいブールに加工されています。

ゲルマニウム(Ge) は、初期の半導体材料として広く使用されていましたが、熱に敏感なためシリコンほど有用ではありませんでした。今日では、ゲルマニウムは超高速の SiGe デバイスで使用するためにシリコンと合金化されることが多く、IBM はそのようなデバイスの大手メーカーです。

ガリウムヒ素(GaAs) も高速デバイスで広く使用されていますが、これまでのところ、この材料で大口径のブールを形成することは困難であり、ウェーハの直径はシリコンウェーハよりも大幅に小さいサイズに制限されているため、GaAs デバイスの大量生産はシリコンよりも大幅に高価になっています。

窒化ガリウム（GaN）は、その高い強度と熱伝導性により、パワーIC、発光ダイオード（LED）、RF部品などの高出力アプリケーションで人気が高まっています。シリコンと比較すると、GaNのバンドギャップは3.4 eVと3倍以上広く、電子伝導効率は1,000倍です。^{[5] [6]}

他にあまり一般的ではない材料も使用中または調査中です。

シリコンカーバイド(SiC) もパワー ICで人気が高まっており、青色 LED の原料としていくつかの用途が見出されており、非常に高い動作温度や高レベルの電離放射線が存在する環境に耐えることができる半導体デバイスでの使用が研究されています。IMPATTダイオードも SiC から製造されています。

さまざまなインジウム化合物（ヒ化インジウム、アンチモン化インジウム、リン化インジウム）も LED や固体レーザーダイオードに使用されています。硫化セレンは太陽光発電 セルの製造に研究されています。

有機半導体の最も一般的な用途は有機発光ダイオードです。

すべての種類のトランジスタは、デジタル回路の設計の基本となる論理ゲートの構成要素として使用できます。マイクロプロセッサなどのデジタル回路では、トランジスタはオン/オフ スイッチとして機能します。たとえば、MOSFETでは、ゲートに印加される電圧によってスイッチのオン/オフが決まります。

アナログ回路に使用されるトランジスタは、オン/オフスイッチとして機能するのではなく、連続した範囲の入力に連続した範囲の出力で応答します。一般的なアナログ回路には、増幅器や発振器などがあります。

デジタル回路とアナログ回路間のインターフェースや変換を行う回路は、ミックスドシグナル回路と呼ばれます。

パワー半導体デバイスは、高電流または高電圧の用途向けの個別デバイスまたは集積回路です。パワー集積回路は IC 技術とパワー半導体技術を組み合わせたもので、「スマート」パワーデバイスと呼ばれることもあります。パワー半導体の製造を専門とする企業は数多くあります。

半導体デバイスの部品番号は、多くの場合、製造元によって異なります。ただし、タイプ コードの標準を作成する試みは行われており、一部のデバイスはそれに従っています。たとえば、ディスクリート デバイスの場合、米国のJEDEC JESD370B、欧州のPro Electron、および日本工業規格(JIS)の 3 つの標準があります。

半導体デバイスの製造は、半導体デバイス、典型的にはマイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、メモリ（ RAMやフラッシュメモリなど）などの集積回路（IC）を製造するために使用されるプロセスです。これは、複数ステップのフォトリソグラフィおよび物理化学プロセス（熱酸化、薄膜堆積、イオン注入、エッチングなどのステップを含む）であり、その間に電子回路が、典型的には純粋な単結晶半導体材料で作られたウェハー上に徐々に作成されます。ほとんどの場合シリコンが使用されますが、特殊な用途にはさまざまな化合物半導体が使用されます。

製造工程は、ファウンドリまたは「ファブ」とも呼ばれる高度に専門化された半導体製造工場で行われ、 ^[7]中心部分は「クリーンルーム」です。最新の14 / 10 / 7 nmノードなどのより高度な半導体デバイスでは、製造に最大15週間かかることがありますが、業界平均は11〜13週間です。^[8]高度な製造施設での生産は完全に自動化されており、自動化された材料処理システムが機械から機械へのウェハの搬送を担当しています。^[9]

ウェーハには、多くの場合、複数の集積回路があり、それらは単一のウェーハから切り出された部分であるため、ダイと呼ばれます。個々のダイは、ダイシンギュレーション（ウェーハダイシングとも呼ばれる）と呼ばれるプロセスで完成したウェーハから分離されます。その後、ダイはさらに組み立てられ、パッケージングされます。^[10]

製造工場内では、ウェーハはFOUPと呼ばれる特殊な密閉プラスチック製の箱に入れて輸送されます。^[9]多くの工場のFOUPには窒素雰囲気が含まれており^{[11] [12]} 、ウェーハ上の銅の酸化を防ぐのに役立ちます。銅は現代の半導体の配線に使用されています。^[13]処理装置とFOUPの内部は、クリーンルーム内の周囲の空気よりもきれいに保たれています。この内部雰囲気はミニ環境と呼ばれ、ウェーハ上の動作デバイスの量である歩留まりの向上に役立ちます。このミニ環境はEFEM（装置フロントエンドモジュール）^[14]内にあり、これにより機械はFOUPを受け取り、FOUPから機械にウェーハを導入できます。さらに、多くの機械は、汚染を減らし、プロセス制御を改善するために、クリーンな窒素または真空環境でウェーハを取り扱います。^[9]製造工場では、生産機械とFOUP内の雰囲気を維持するために大量の液体窒素が必要であり、これらは絶えず窒素でパージされています。^{[11] [12]}また、 FOUPとEFEMの間にエアカーテンやメッシュ^{[15]を設置することで、FOUPに入る湿気を減らし、歩留まりを向上させることができます。 [16] [17]}

産業用半導体製造プロセスで使用される機械を製造している企業としては、ASML、アプライド マテリアルズ、東京エレクトロン、ラム リサーチなどがあります。

半導体は、トランジスタが発明される以前から電子工学の分野で使われてきました。20 世紀初頭には、ラジオの検出器として非常に一般的になり、ジャガディッシュ・チャンドラ・ボースらが開発した「キャッツウィスカー」と呼ばれる装置に使用されました。しかし、これらの検出器は少々面倒で、操作者は小さなタングステンフィラメント (ウィスカー) を方鉛鉱(硫化鉛) またはカーボランダム(炭化ケイ素) 結晶の表面で動かす必要があり、突然動作し始めました。^[18]その後、数時間または数日かけて、キャッツウィスカーは徐々に動作しなくなり、このプロセスを繰り返さなければなりませんでした。当時、その動作はまったく謎に包まれていました。より信頼性が高く増幅された真空管ベースのラジオが導入されると、キャッツウィスカーシステムはすぐに姿を消しました。「キャッツウィスカー」は、ショットキーダイオードと呼ばれる、今日でも人気のある特殊なタイプのダイオードの原始的な例です。

半導体デバイスの初期の別のタイプは、半導体として酸化銅またはセレンを使用する金属整流器です。ウェスティングハウス・エレクトリック (1886) は、これらの整流器の大手メーカーでした。

第二次世界大戦中、レーダー研究によりレーダー受信機は急速に 4000 MHz 程度のさらに高い周波数で動作するようになり、従来の真空管式無線受信機はもはやうまく機能しなくなりました。1940年のティザード作戦中にイギリスから米国に空洞マグネトロンが導入されたことで、実用的な高周波増幅器が緊急に必要になりました。^{[引用が必要]}

ベル研究所のラッセル・オール氏は、思いつきでキャットウィスカーを試してみることにしました。この時点で、キャットウィスカーは何年も使われておらず、研究所にも誰も持っていませんでした。マンハッタンの中古ラジオ店でキャットウィスカーを探し出して、真空管ベースのシステムよりもはるかによく機能することを知りました。

オールは、猫のひげがなぜそれほどよく機能するのかを研究した。彼は 1939 年のほとんどを、より純粋な結晶を成長させることに費やした。彼はすぐに、高品質の結晶ではその気まぐれな動作はなくなるが、電波検出器として機能する能力もなくなることを発見した。ある日、彼は、最も純粋な結晶の 1 つがそれでもうまく機能することを発見した。その結晶には、中央近くにはっきりと見える亀裂があった。しかし、彼がそれをテストしようと部屋の中を動き回ると、検出器は不思議なことに動作し、そしてまた停止した。彼はさらに研究した結果、その動作は部屋の光によって制御されていることを発見した。光が多いほど、結晶の伝導性が高まるのである。彼は他の何人かをこの結晶を見るように招待したが、ウォルター・ブラッテンはすぐに亀裂に何らかの接合部があることに気づいた。

さらなる研究により、残りの謎が解明されました。結晶が割れたのは、両側にオールが除去できなかった不純物がわずかながら異なる量 (約 0.2%) 含まれていたためです。結晶の片側には余分な電子 (電流のキャリア) を追加して「導体」にする不純物がありました。もう片側にはこれらの電子と結合しようとする不純物があり、(オールの呼称では)「絶縁体」になりました。結晶の 2 つの部分が互いに接触していたため、余分な電子がある導電側 (すぐにエミッターと呼ばれる)から電子が押し出され、(たとえばバッテリーから) 供給される新しい電子に置き換えられ、絶縁部分に流れ込んでウィスカー フィラメント (コレクターと呼ばれる)に集められます。ただし、電圧が逆転すると、コレクターに押し込まれた電子がすぐに「ホール」(電子を必要とする不純物) を埋めてしまい、伝導がほぼ瞬時に停止します。この 2 つの結晶 (または 1 つの結晶の一部) の接合により固体ダイオードが形成され、この概念はすぐに半導体として知られるようになりました。ダイオードがオフのときの作用メカニズムは、接合部の周囲の電荷キャリアの分離に関係しています。これは「空乏領域」と呼ばれます。

新しいダイオードの仕組みに関する知識を得て、需要に応じてダイオードを製作する方法を習得するための精力的な取り組みが始まりました。パデュー大学、ベル研究所、MIT、シカゴ大学のチームが協力して、より優れた結晶を製作しました。1年以内にゲルマニウムの生産は完成し、ほとんどのレーダー装置で軍用グレードのダイオードが使用されるようになりました。

戦後、ウィリアム・ショックレーは三極管のような半導体装置の製造に挑戦することを決意した。彼は資金と研究室のスペースを確保し、ブラッテンとジョン・バーディーンとともにその問題に取り組み始めた。

トランジスタ開発の鍵は、半導体における電子移動のプロセスをさらに理解することでした。この新しく発見されたダイオードのエミッターからコレクターへの電子の流れを制御する方法があれば、増幅器を構築できることがわかりました。たとえば、単一タイプの結晶の両側に接点を配置した場合、結晶を介してそれらの間で電流は流れません。しかし、3 番目の接点が電子または正孔を材料に「注入」できれば、電流が流れます。

実際にこれを実行するのは非常に困難であるように思われます。結晶が妥当なサイズであれば、注入する必要のある電子 (または正孔) の数は非常に多くなければならず、最初に大きな注入電流が必要になるため、増幅器としてはあまり役に立ちません。とはいえ、結晶ダイオードの全体的な考え方は、結晶自体が非常に短い距離、つまり空乏領域に電子を供給できるというものでした。鍵となるのは、この領域の両側の結晶表面で入力接点と出力接点を非常に接近して配置することのようです。

ブラッテンはそのような装置の構築に取り組み始め、チームが問題に取り組むにつれて、増幅の魅力的なヒントが次々と現れました。システムが機能しても、予期せず機能しなくなることがありました。ある例では、機能していなかったシステムを水に入れると機能し始めました。オールとブラッテンは最終的に、その動作を説明するために、表面物理学として知られるようになった量子力学の新しい分野を開発しました。結晶のどの部分でも、電子は近くの電荷のために動き回ります。エミッター内の電子、またはコレクター内の「ホール」は、結晶の表面に集まり、空気中（または水）に「浮遊」している反対の電荷を見つけることができます。しかし、結晶上の他の場所から少量の電荷を加えると、表面から押しのけることができます。大量の電子を注入する代わりに、結晶上の適切な場所に非常に少数の電子を配置するだけで、同じことが達成されます。

彼らの理解により、非常に小さな制御領域を必要とするという問題はある程度解決されました。共通の、しかし小さな領域で接続された 2 つの個別の半導体ではなく、1 つの大きな表面で十分です。電子を放出するリードと収集するリードは両方とも上部に非常に近い位置に配置され、制御リードは結晶のベースに配置されます。この「ベース」リードに電流が流れると、電子または正孔が半導体のブロックを横切って押し出され、反対側の表面に集まります。エミッターとコレクターが非常に近い限り、伝導を開始するために十分な電子または正孔が間に存在します。

ベルチームはさまざまなツールを使ってこのようなシステムを構築しようと何度も試みたが、たいていは失敗に終わった。接点が十分に近いセットアップは、最初の猫のひげ検出器と同じくらい壊れやすく、機能したとしても短時間しか機能しなかった。最終的に、彼らは実用的な突破口を開いた。プラスチックのくさびの端に金箔を接着し、三角形の先端でカミソリで箔を切った。その結果、非常に近接した 2 つの金の接点ができた。くさびを結晶の表面に押し下げ、反対側 (結晶のベース) に電圧をかけると、ベース電圧によって電子がベースから接点近くの反対側に押し出されるため、一方の接点からもう一方の接点に電流が流れ始めた。ポイントコンタクトトランジスタが発明されたのである。

この装置は 1 週間前に製作されたが、ブラッテン氏のメモには、1947 年 12 月 23 日の午後にベル研究所の上層部に初めて実演されたことが記されており、この日はトランジスタの誕生の日としてよく知られている。現在「p-n-p 点接触ゲルマニウム トランジスタ」として知られるこのトランジスタは、この実験で 18 の電力利得で音声増幅器として動作した。ジョン バーディーン、ウォルター ハウザー ブラッテン、ウィリアム ブラッドフォード ショックレーは、この研究により 1956 年のノーベル物理 学賞を受賞した。

ベル電話研究所は、その新しい発明に一般名を必要としていた。「半導体三極管」、「固体三極管」、「表面状態三極管」、「結晶三極管」、および「イオタトロン」がすべて検討されたが、ジョン・R・ピアースが考案した「トランジスタ」が社内投票で選ばれた。この名前の根拠は、投票を呼びかけた同社の技術メモ（1948年5月28日）[26]からの次の抜粋に記載されている。

トランジスタ。これは、「トランスコンダクタンス」または「転送」と「バリスタ」という単語の略称です。このデバイスは論理的にはバリスタ ファミリに属し、ゲインを持つデバイスのトランスコンダクタンスまたは転送インピーダンスを備えているため、この組み合わせは説明的です。

ショックレーは、この装置がブラッテンとバーディーンによるものとされたことに憤慨した。彼らは「自分の知らないところで」栄光を横取りしようとしてこの装置を開発したと感じていたからだ。ベル研究所の弁護士が、ショックレー自身のトランジスタに関する記述の一部が、ジュリアス・エドガー・リリエンフェルドが1925年に取得した特許の内容と非常に類似していることを発見し、特許申請書からショックレーの名前を省くのが最善だと判断したことで、事態はさらに悪化した。

ショックレーは激怒し、誰がこの作戦の真の頭脳であるかを証明しようと決意した。^[要出典]数か月後、彼は層構造または「サンドイッチ」構造を持つ、まったく新しい、はるかに堅牢な バイポーラ接合トランジスタタイプのトランジスタを発明し、1960年代までほとんどのトランジスタに使用されました。

脆弱性の問題が解決したので、残る問題は純度でした。必要な純度のゲルマニウムを作ることは深刻な問題であることが判明しており、特定のバッチの材料から実際に機能するトランジスタの収量を制限していました。ゲルマニウムは温度に敏感であるため、その有用性も制限されていました。科学者はシリコンの方が製造しやすいと理論づけましたが、この可能性を調査した人はほとんどいませんでした。元ベル研究所の科学者であるゴードン・K・ティールは、新興のテキサス・インスツルメンツで初めて実用的なシリコン・トランジスタを開発し、同社に技術的優位性を与えました。1950年代後半から、ほとんどのトランジスタはシリコンベースでした。数年のうちに、トランジスタベースの製品、最も有名なのは簡単に持ち運びできるラジオが市場に登場しました。結晶内を移動する溶融材料の帯を使用する「ゾーン溶融」技術により、結晶の純度がさらに高まりました。

1955年、カール・フロッシュとリンカーン・デリックは、シリコンウェハー上に偶然二酸化ケイ素の層を成長させ、表面不活性化効果を観察しました。^{[19] [20]} 1957年までに、フロッシュとデリックは、マスキングと事前堆積を使用して、二酸化ケイ素電界効果トランジスタを製造することができました。これは、ドレインとソースが同じ表面に隣接した最初の平面トランジスタでした。^[21]彼らは、二酸化ケイ素がシリコンウェハーを絶縁して保護し、ドーパントがウェハーに拡散するのを防ぐことを示しました。^{[19] [21]}ベル研究所では、フロッシュとデリックの技術とトランジスタの重要性がすぐに認識されました。彼らの研究結果は、1957年に発表される前にBTLメモの形でベル研究所内で回覧された。ショックレー半導体では、ショックレーは1956年12月に彼らの論文のプレプリントを、後にフェアチャイルド半導体に在籍中に1959年にプレーナープロセスを発明することになるジャン・ホーニ[22][23][24][25]を含む上級スタッフ全員に回覧していた^{。[ 26 ]} [ ^{27 ]}

その後、JR リゲンツァと WG スピッツァは熱成長酸化物のメカニズムを研究し、高品質の Si/ SiO2スタック_を製造し、1960 年にその結果を発表しました。^{[28] [29] [30]}この研究に続いて、モハメド アタラとダウォン カングは1959 年にシリコン MOS トランジスタを提案し^[31]、1960 年にベル研究所のチームで動作する MOS デバイスの実証に成功しました。^{[32] [33]}チームには、デバイスを製造した EE ラベイトと EI ポビロニス、拡散プロセスを開発した MO サーストン、LA ダサロ、JR リゲンツァ、デバイスの特性評価を行った HK ガメルと R. リンドナーが含まれていました。^{[34] [35]}

MOSFETは、そのスケーラビリティ^[36]とバイポーラ接合トランジスタよりもはるかに低い消費電力と高密度^[37]により、コンピュータ、電子機器、 ^[38]、スマートフォンなどの通信技術で最も一般的なタイプのトランジスタになりました。^[39]米国特許商標庁は、 MOSFETを「世界中の生活と文化を変えた画期的な発明」と呼んでいます。^[39]

バーディーンの1948年の反転層の概念は、今日のCMOS技術の基礎を形成しています。^[40] CMOS（相補型MOS）は、1963年にフェアチャイルドセミコンダクターのチタン・サとフランク・ワンラスによって発明されました。 ^[41]フローティングゲートMOSFETの最初の報告は、1967年にダウォン・カーンとサイモン・ゼによって行われました。 ^{[42] 3D}マルチゲートMOSFETの一種であるFinFET （フィン電界効果トランジスタ）は、1967年にHRファラー（ベンディックスコーポレーション）とRFスタインバーグによって提案され、 ^[43] 1989年に日立中央研究所のディグ・ヒサモトと彼の研究チームによって初めて構築されました。^{[44] [45]}

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