サイモン・シー

サイモン・シー
サイモン・シー
施敏
生まれる	1936年3月21日; 中国江蘇省南京市
死亡	2023年11月6日（87歳）
市民権	台湾; アメリカ
母校	国立台湾大学( BS ); ワシントン大学( MS ); スタンフォード大学( PhD )
知られている	フローティングゲートMOSFET
受賞歴	JJ エバーズ賞 (1991) ; IEEE Celebrated Member (2017); 未来科学賞(2021)
	科学者としてのキャリア
フィールド	電子工学
機関	国立陽明交通大学

サイモン・ミン・ゼ（中国語:施敏;ピンイン: Shī Mǐn ; 1936年3月21日 - 2023年11月6日）は、台湾系アメリカ人の電気技師である。彼は、1967年に韓国の電気技師ダウォン・カンとともにフローティングゲートMOSFETを発明したことで最もよく知られている。

幼少期と教育

Szeは1990年までベル研究所に勤務し、その後台湾に戻り、国立交通大学の教授陣に加わった。^[1]彼は半導体物理学と技術の分野でよく知られており、1967年にDawon Kahngと共同で発明したフローティングゲートトランジスタ[ ^2]は現在、不揮発性半導体メモリデバイスで広く使用されている。彼は、この分野で最も引用されているテキストの1つであるPhysics of Semiconductor Devicesを含む多くの本の執筆と編集を行っている。

サイモン・ゼーは2023年11月6日に87歳で亡くなった。^[3]

半導体デバイスの物理学、SM Sze。ニューヨーク：Wiley、1969年、ISBN 0-471-84290-7 ; 第2版、1981年、ISBN 0-471-05661-8 ; Kwok K. Ngとの共著第3版、2006年、ISBN 0-471-14323-5。
不揮発性メモリ：材料、デバイス、アプリケーション2 巻セット、Tseung-Yuen Tseng および Simon M. Sze。ロサンゼルス：American Scientific Publishers、2012 年、ISBN 1-58883-250-3。
半導体デバイス：物理と技術、SM Sze。ニューヨーク：Wiley、1985年;第2版、2001年、ISBN 0-471-33372-7 ;第3版、2012年、ISBN 978-0470-53794-7。
VLSIテクノロジー編SMサイズニューヨーク: マグロウヒル、1983 年、ISBN 0-07-062686-3 ;第 2 版、1988 年、ISBN 0-07-062735-5。
Modern Semiconductor Device Physics、編集：SM Sze。ニューヨーク：John Wiley＆Sons、Inc.、1998、ISBN 0-471-15237-4。

^ 「サイモン・M・スィー学術委員を偲んで」国立陽明交通大学。2023年11月14日。 2023年12月19日閲覧。
^ D. Kahng および SM Sze、「フローティングゲートとメモリデバイスへのその応用」、The Bell System Technical Journal、46、#4 (1967)、pp. 1288–1295。
^ 「Simon Sze Obituary (1936–2023) - Walnut Creek, CA - San Francisco Chronicle」. Legacy.com . 2023年11月8日閲覧。
^ ツァイ、イーチア;マジャリ・コーペ、ブランカ。リー・イーミン。寒川誠治西良雄；サイ、サイモン M. (2019)。「スカンジウムと金を含む三層黒リンの接触工学」。IEEE 電子デバイス協会ジャーナル。7 : 322–328。土井：10.1109/JEDS.2019.2897167。
^ 電子デバイス協会 JJ Ebers 賞、IEEE のウェブページ、2007 年 1 月 11 日にアクセス。
^ 「Simon M. Sze」。中央研究院。 2023年12月19日閲覧。
^ 「Dr. Simon M. Sze」。米国国立工学アカデミー。 2023年12月19日閲覧。
^ サイモン・ミン・ゼ博士が未来科学賞を受賞