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ダウォン・カン | |
|---|---|
| ガデユ | |
| 生まれる | 1931年5月4日[1] |
| 死亡 | 1992年5月13日（61歳）[2] |
| 市民権 | 韓国（放棄） アメリカ合衆国 |
| 職業 | 電気技師 |
| 知られている | MOSFET（MOSトランジスタ） PMOSとNMOS ショットキーダイオード ナノ レイヤーベーストランジスタ フローティングゲートMOSFET フローティングゲートメモリ 再プログラム可能なROM |
| 韓国名 | |
| ハングル | ガデユ |
| 漢字 | 姜大元 |
| 改訂ローマ字表記 | カン・デウォン |
| マッキューン・ライシャワー | カン・デウォン |
ダウォン・カン（韓国語：강대원、1931年5月4日 - 1992年5月13日）は、韓国系アメリカ人の電気技師、発明家であり、固体電子工学の分野での業績で知られています。1959年に同僚のモハメド・アタラとともにMOSFET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ、またはMOSトランジスタ）を発明したことで最もよく知られています。カンとアタラは、MOSFET半導体デバイス製造用のPMOSプロセスとNMOSプロセスの両方を開発しました。MOSFETは最も広く使用されているタイプのトランジスタであり、ほとんどの現代の電子機器の基本要素です。
カーン氏とアタラ氏は後にMOS集積回路の概念を提唱し、1960年代初頭にはショットキーダイオードとナノレイヤーベースのトランジスタに関する先駆的な研究を行った。カーン氏はその後、1967年にサイモン・ミン・ゼー氏とともにフローティングゲートMOSFET (FGMOS)を発明した。カーン氏とゼー氏は、FGMOSを不揮発性メモリ(NVM) や再プログラム可能な読み取り専用メモリ(ROM)のフローティングゲートメモリセルとして使用できると提案し、これがEPROM (消去可能プログラマブルROM )、EEPROM (電気的に消去可能なプログラマブルROM)、フラッシュメモリ技術の基礎となった。カーン氏は2009年に全米発明家の殿堂入りを果たした。
バイオグラフィー
ダウォン・カンは1931年5月4日、大日本帝国大韓民国京畿道京城市（現在の大韓民国ソウル特別市）に生まれた。韓国のソウル国立大学で物理学を学び、 1955年にアメリカに移住してオハイオ州立大学に入学し、1959年に電気工学の博士号を取得した。[3]
彼はニュージャージー州マレーヒルのベル電話研究所の研究員で、 1959年にモハメド・アタラとともに今日のほとんどの電子機器の基本素子であるMOSFET （金属酸化物半導体電界効果トランジスタ）を発明した。 [4]彼らは20μmプロセスでPMOSとNMOSの両方のデバイスを製造した。[5]
MOS 技術の研究を拡張して、Kahng と Atalla は次に、後にショットキー障壁と呼ばれるものを使用したホット キャリアデバイスに関する先駆的な研究を行いました。[6]ショットキー ダイオード(ショットキー障壁ダイオードとも呼ばれる) は、何年も理論化されていましたが、1960 年から 1961 年にかけての Kahng と Atalla の研究の結果として初めて実用化されました。[7]彼らは 1962 年に結果を発表し、そのデバイスを半導体金属エミッターを備えた「ホット エレクトロン」三極管構造と呼びました。[8]ショットキー ダイオードは、ミキサーアプリケーションで重要な役割を担うようになりました。[7]彼らはその後、高周波ショットキー ダイオードに関するさらなる研究を行いました。[要出典]
1962年、KahngとAtallaは初期の金属 ナノレイヤーベーストランジスタを提案し、実証した。このデバイスは、2つの半導体層の間にナノメートルの厚さの金属層が挟まれており、金属がベースを形成し、半導体がエミッタとコレクタを形成している。薄い金属ナノレイヤーベースの抵抗が低く、通過時間が短いため、このデバイスはバイポーラトランジスタに比べて高い動作周波数が可能であった。彼らの先駆的な研究は、単結晶半導体基板（コレクタ）の上に金属層（ベース）を堆積させることで、エミッタは結晶半導体片で、上部または鈍角が金属層（ポイントコンタクト）に押し付けられていた。彼らはn型ゲルマニウム（n-Ge）上に厚さ10nmの金（Au）薄膜を堆積し、ポイントコンタクトはn型シリコン（n-Si）であった。[9]
彼は同僚のサイモン・ミン・ゼとともにフローティングゲートMOSFETを発明し、1967年に初めて報告した。 [10]彼らはまた、多くの形態の半導体メモリデバイスの基礎となるフローティングゲート メモリセルも発明した。彼は1967年にフローティングゲート不揮発性メモリを発明し、MOS半導体デバイスのフローティングゲートを再プログラム可能なROMのセルに使用できることを提案し、これがEPROM（消去可能プログラマブルROM）、[11] EEPROM（電気的に消去可能なプログラマブルROM）、およびフラッシュメモリ技術の基礎となった。彼はまた、強誘電体半導体と発光材料の研究を行い、エレクトロルミネセンスの分野に重要な貢献をした。[要出典]
ベル研究所を退職後、ニュージャージー州にあるNEC研究所の初代所長に就任。IEEEフェロー、ベル研究所フェローでもあった。フランクリン研究所のスチュアート・バランタイン賞、オハイオ州立大学工学部の優秀卒業生賞も受賞。1992年に大動脈瘤破裂の緊急手術後の合併症で死去。[2]
受賞と栄誉
カーン氏とモハメド・アタラ氏は、MOSFETの発明により、 1975年のフランクリン協会賞でスチュアート・バランタイン賞を受賞した。 [12] [13] 2009年、カーン氏は全米発明家の殿堂入りを果たした。[14] 2014年、1959年のMOSFETの発明は、 IEEEの電子工学におけるマイルストーンのリストに含まれた。[15]
参考文献
- ^ 「Dawon Kahng」。全米発明家の殿堂。2009年。2009年3月28日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2009年3月28日閲覧。
- ^ ab ダニエルズ、リー・A. (1992年5月28日). 「ニューヨークタイムズ死亡記事」.ニューヨークタイムズ. 2020年7月26日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2017年2月15日閲覧。
- ^ https://etd.ohiolink.edu/apexprod/rws_etd/send_file/send?accession=osu1486474943923246&disposition=inline [単なる URL PDF ]
- ^ 「1960年 - 金属酸化膜半導体（MOS）トランジスタの実証」。コンピュータ歴史博物館。2012年10月8日時点のオリジナルよりアーカイブ。2012年11月11日閲覧。
- ^ Lojek, Bo (2007).半導体工学の歴史. Springer Science & Business Media . pp. 321-3. ISBN 9783540342588。
- ^ バセット、ロス・ノックス（2007年）。デジタル時代へ：研究ラボ、スタートアップ企業、MOSテクノロジーの台頭。ジョンズ・ホプキンス大学出版局。328ページ。ISBN 9780801886393. 2020年3月21日時点のオリジナルよりアーカイブ。2019年8月19日閲覧。
- ^ ab 産業再編成法: 通信業界。米国政府印刷局。1973年。1475ページ。2020年3月7日時点のオリジナルよりアーカイブ。2019年8月19日閲覧。
- ^ Atalla, M .; Kahng, D. (1962 年 11 月)。「半導体金属エミッターを備えた新しい「ホット エレクトロン」三極管構造」。IRE Transactions on Electron Devices。9 ( 6): 507–508。Bibcode : 1962ITED ....9..507A。doi :10.1109/T-ED.1962.15048。ISSN 0096-2430。S2CID 51637380 。
- ^ Pasa, André Avelino (2010). 「第 13 章: 金属ナノレイヤーベーストランジスタ」。ナノ物理学ハンドブック: ナノエレクトロニクスとナノフォトニクス。CRCプレス。pp . 13–1、13–4。ISBN 9781420075519. 2020年3月8日時点のオリジナルよりアーカイブ。2019年9月14日閲覧。
- ^ D. Kahng および SM Sze、「フローティングゲートとメモリデバイスへのその応用」、ベルシステム技術ジャーナル、第 46 巻、第 4 号、1967 年、1288 ～ 1295 ページ
- ^ 「1971年：再利用可能な半導体ROMの導入」。コンピュータ歴史博物館。2019年10月3日時点のオリジナルよりアーカイブ。2019年6月19日閲覧。
- ^ カルホーン、デイブ、ラスティグ、ローレンス K. (1976)。1977年科学と未来年鑑。ブリタニカ百科事典。p. 418。ISBN 97808522931951975 年、
フランクリン研究所のスチュアート・バランタイン賞受賞者に 3 人の科学者が選ばれました [...] カリフォルニア州のアタラ・テクノベーションズ社長のマーティン・M・アタラ氏とベル研究所のダウォン・カーン氏が、「半導体シリコン - 二酸化シリコン技術への貢献と、MOS 絶縁ゲート電界効果トランジスタの開発」により選ばれました。
- ^ 「Dawon Kahng」. Franklin Institute Awards . The Franklin Institute . 2014年1月14日. 2019年8月23日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2019年8月23日閲覧。
- ^ 「Dawon Kahng」。全米発明家の殿堂。2019年10月27日時点のオリジナルよりアーカイブ。2019年6月27日閲覧。
- ^ 「マイルストーン：IEEEマイルストーン一覧」。米国電気電子学会。2019年7月13日時点のオリジナルよりアーカイブ。2019年7月25日閲覧。