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ジャン・アメデ・ホーニ（1924年9月26日 - 1997年1月12日）は、スイス生まれのアメリカ人エンジニア。シリコントランジスタのパイオニアであり、「裏切り者の8人」の一員でもあった。彼は、トランジスタや集積回路などの半導体デバイスを確実に製造するための重要な技術であるプレーナープロセスを開発した。
ホーニは1924年9月26日にスイスのジュネーブで生まれた。[ 2 ]彼はジュネーブ大学で数学の学士号を取得し、物理学の博士号を2つ取得した。1つはジュネーブ大学から、もう1つはケンブリッジ大学からである。[ 3 ]
1952年、彼はカリフォルニア工科大学で働くためにアメリカに移住し、そこでベル研究所の物理学者でトランジスタの開発に深く関わっていたウィリアム・ショックレーと知り合った。
数年後、ショックレーはホーニをカリフォルニア州マウンテンビューに新設されたベックマン・インスツルメンツのショックレー半導体研究所部門に招き入れた。しかし、ショックレーの奇妙な行動により、いわゆる「裏切り者の8人」（ホーニ、ジュリアス・ブランク、ビクター・グリニッチ、ユージン・クライナー、ジェイ・ラスト、ゴードン・ムーア、ロバート・ノイス、シェルドン・ロバーツ）は彼の研究所を離れ、フェアチャイルド半導体社を設立することになった。
1955年、カール・フロッシュとリンカーン・デリックは二酸化ケイ素による表面パッシベーションを発見し、特許を取得した。 [ 4 ] [ 5 ]フロッシュとデリックは、ドレインとソースが表面で隣接している最初のトランジスタである、最初の二酸化ケイ素電界効果トランジスタを製造することができた。[ 6 ]ショックレー・セミコンダクターでは、ショックレーは1956年12月に彼らの論文のプレプリントをジャン・ホーニを含むすべての上級スタッフに配布した。その後、ホーニは、ベル研究所での以前の結果に基づいてアタラがパッシベーションに関する論文を発表した会議に出席した。 [ 7 ]
平面プロセスは、フェアチャイルド・セミコンダクターで働いていたジャン・ホーニによって発明され、1959年5月に最初の特許が出願されました。[ 8 ] [ 9 ]平面プロセスは、ロバート・ノイスによるシリコン集積回路の発明において重要な役割を果たしました。[ 10 ]ノイスは、ホーニの研究を基に集積回路の概念を構築し、ホーニの基本構造の上に金属層を追加して、同じシリコン片上に配置されたトランジスタ、コンデンサ、抵抗器などの異なるコンポーネントを接続しました。平面プロセスは、以前のデバイスの概念よりも優れた集積回路を実現する強力な方法を提供しました。 [ 11 ]ノイスとともに、テキサス・インスツルメンツのジャック・キルビーが集積回路の発明者として一般的に認められていますが、キルビーのICはゲルマニウムをベースとしていました。
ホーニは、「裏切り者の8人」と呼ばれる卒業生のジェイ・ラストとシェルドン・ロバーツと共に、1961年にアメルコ（現在のテレダイン）を設立した。
1964年にユニオン・カーバイド・エレクトロニクスを設立し、1967年にはインターシルを設立。そこで彼は低電圧CMOS集積回路のパイオニアとなった。
彼は1969年にフランクリン研究所からエドワード・ロングストレス・メダルを授与され[ 12 ]、1972年にはマクドウェル賞を受賞した[ 2 ]。
彼はアン・マリー・ホーニと結婚し、アニー・ブラックウェル、スーザン・キルハム、マイケル・ホーニの3人の子供をもうけた。彼にはマーク・ホーニという兄弟が一人いた。[ 14 ] ルース・カルモナとの2度目の結婚も離婚に終わった。[ 15 ]ホーニは1993年にジェニファー・ウィルソンと結婚した。
熱心な登山家であったホーニは、パキスタンのカラコルム山脈を頻繁に訪れ、そこに住むバルティ山岳民族の貧困に心を動かされた。彼は、コルフェの辺境の村に学校を建設するグレッグ・モーテンソンのプロジェクトに3万ドルという大部分を寄付し、後に、死後も彼らへのサービスを継続するために100万ドルの基金で中央アジア研究所を設立した。 [ 16 ] [ 17 ]ホーニは、パキスタンとアフガニスタンで学校建設を続ける同組織の初代事務局長にグレッグ・モーテンソンを任命した。[ 18 ]
2007年12月、マイケル・リオルダンがIEEE Spectrum誌にホーニと彼の平面プロセスに関する記事を発表した。著者は、ジェイ・ラストがホーニは驚異的なスタミナを持ち、わずかな食料や水で何時間もハイキングできたと指摘したと主張した。[ 13 ]
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