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フランク・マリオン・ワンラス | |
|---|---|
| 生まれる | 1933年5月17日 |
| 死亡 | 2010年9月9日（享年77歳） |
| 母校 | ユタ大学 |
| 知られている | 相補型金属酸化物半導体 |
| 科学者としてのキャリア | |
| フィールド | 工学と物理学 |
フランク・マリオン・ワンラス（1933年5月17日、アリゾナ州サッチャー生まれ- 2010年9月9日、カリフォルニア州サンタクララ没）は、アメリカの電気技師である。 1963年にチタン・サと共同でCMOS（相補型MOS）ロジックを発明したことで最もよく知られている。CMOSはそれ以来、 MOSFET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）の標準的な半導体デバイス製造プロセスとなっている。 [1]
バイオグラフィー
彼はユタ大学で博士号を取得しました。ワンラスはフェアチャイルドセミコンダクターで働いていた1963年にチタン・サとCMOS（相補型MOS）論理回路を発明しました。[2]ワンラスは1967年に「低待機電力相補型電界効果回路」で米国特許3,356,858を取得しました。[3]
1963年、MOSFET（金属酸化物半導体電界効果トランジスタ）構造を研究していたとき、彼は酸化物を通ってゲートに電荷が移動することに気づきました。彼はそれを追求しませんでしたが、このアイデアは後にEPROM（消去可能プログラマブル読み出し専用メモリ）技術の基礎となりました。 [4]
1964年、ワンラスはゼネラル・マイクロエレクトロニクス（GMe）に移り、そこで最初の商用MOS集積回路を製作し、1年後にはニューヨークのゼネラル・インストゥルメンツ・マイクロエレクトロニクス部門に移り、 [5]そこで4相ロジック を開発した。[6]
彼はまた、ナトリウムイオンのドリフトによる MOS トランジスタの閾値電圧安定性の解決に貢献したことでも記憶されています。
1991年、ワンラスはIEEEソリッドステート回路賞を受賞した。[7]
2009年、MOSFETと集積回路の50周年にあたる年に、フランク・ワンラスはCMOSロジックの発明により全米発明家の殿堂入りを果たした。彼は、 MOSFET（モハメド・アタラとダウォン・カーン）、プレーナプロセス（ジャン・ホーニ）、EPROM（ドブ・フローマン）、分子線エピタキシー（アルフレッド・Y・チョー）などの半導体技術の発明者とともに、半導体の先駆者を称える2009年度の殿堂入りを果たした。[8] [1]
ワンラス氏は2010年9月9日に亡くなった。
参考文献
- ^ ab “Frank Wanlass”. National Inventors Hall of Fame . 2019年8月17日閲覧。
- ^ 「1963年:相補MOS回路構成が発明される」。コンピュータ歴史博物館。 2019年7月6日閲覧。
- ^ IC Knowledge - 集積回路の歴史 - 1960 年代 2007-04-19 にWayback Machineでアーカイブ
- ^ 「People」。シリコンエンジン。コンピュータ歴史博物館。 2019年8月17日閲覧。
- ^ボブ・ジョンストン (1999)。『We were burning: Japanese entrepreneurs and the forging of the electronic age』Basic Books。pp . 47–48。ISBN 978-0-465-09118-8。
- ^ ロス・ノックス・バセット (2007)。『デジタル時代へ：研究ラボ、スタートアップ企業、そしてMOSテクノロジーの台頭』JHU Press。pp. 51、129–130。ISBN 978-0-8018-8639-3。
- ^ ソリッドステート回路賞受賞者リスト
- ^ 「Inventors Hall of Fame Class of 2009」IPWatchdog.com | Patents & Patent Law 2009-02-19 . 2017-04-12閲覧。
外部リンク
- Invent Now、発明家プロフィール – Frank Wanlass 2015-09-10 にWayback Machineでアーカイブ
- ユタ大学、卒業生プロフィール – フランク・ワンラス
- 訃報（購読が必要です）
- 訃報（再掲載）