ラムリサーチ

ラムリサーチコーポレーション

会社種別	公共
取引名	ナスダック：LRCX ナスダック100構成銘柄 S&P 500構成銘柄
業界	半導体
設立	1980年; 44年前 （1980年）
創設者	デビッド・K・ラム
本部	フリーモント、カリフォルニア州、米国
主要人物	ティム・アーチャー（CEO兼社長） アビ・タルウォーカー（会長）
製品	半導体製造製品
収益	149億米ドル（2024年）
営業利益	42.6億米ドル（2024年）
純利益	38.3億米ドル（2024年）
総資産	187億米ドル（2024年）
総資本	85.4億米ドル（2024年）
従業員数	17,450 (2024)
Webサイト	lamresearch.com
脚注/参考文献 2024年6月30日現在の財務状況[アップデート]。[1]

ラムリサーチ社は、半導体業界向けにウェハ製造装置および関連サービスを提供するアメリカの企業です。^[2]同社の製品は主にフロントエンドのウェハ処理に使用され、これには半導体デバイスの能動部品（トランジスタ、コンデンサ）とその配線（相互接続）を作成する手順が含まれます。同社はまた、バックエンドのウェハレベルパッケージング（WLP）や、マイクロエレクトロメカニカルシステム（MEMS）などの関連製造市場向けの装置も製造しています。

ラムリサーチは1980年にデビッド・K・ラムによって設立され、カリフォルニア州フリーモントに本社を置いています。^[3] 2023年現在、テスラとインテュイティブサージカルに次いでベイエリアで3番目に大きなメーカーでした。^{[4] [5]}

ラムリサーチは、1980年に、ゼロックス、ヒューレット・パッカード、テキサス・インスツルメンツで働いた経験を持つ中国生まれのエンジニア、デビッド・K・ラムによって設立されました。^[6]ヒューレット・パッカードに在籍していたとき、彼は半導体ウェハの急速な小型化に対応するために、より優れたプラズマエッチング装置の必要性を感じました。 ^[6]彼は、インテルの創設者であるボブ・ノイスが、彼の事業計画が理にかなっていることを保証し、資金調達を支援してくれたことに 感謝しています。^[6]

1981年、同社は最初の製品である自動ポリシリコンプラズマエッチング装置AutoEtch 480を発表しました。AutoEtchという名前は、エッチング装置が自動化されていることを表すために選ばれ、480の80は会社が設立された1980年に由来しています。^[7] 最初のシステムは1982年1月に販売されました。 ^[8] 1982年にロジャー・エメリックがCEOに任命されました。^[9]

1984年5月、同社は新規株式公開を行い、 LRCXのシンボルでナスダックに上場した。 ^[10] 1985年、デビッド・ラムは同社を離れ、リンクテクノロジーズに入社した。リンクテクノロジーズは最終的にワイズに買収され^[11]、現在はデルワイズとなっている。 [ ^12] 1980年代半ば、ラムリサーチは世界展開を続け、台湾に注力し、ヨーロッパ、米国、日本各地にカスタマーサポートセンターを開設した。^[12]

1990年代初頭までに、同社は中国、韓国、シンガポール、台湾に拠点を構えた。^{[12] 1997年3月、同社は}化学機械平坦化（CMP）洗浄を専門とするチップ機器メーカーであるOnTrak Systems Inc.を2億2500万ドルで買収した。^[13] CMP洗浄は、エッチングと機械研磨の両方を使用して表面を滑らかにするハイブリッドプロセスである。1997年8月、同社はOnTrakのCEOであるジム・バグリー氏をCEOに任命した。^{[12] [14]} 1998年、バグリー氏は取締役会長に任命された。^[14]

2005年、スティーブ・ニューベリーがCEOに任命された。^[15] 2006年、ラムリサーチはBullen Semiconductor（現Silfex, Inc.）を買収した。^[16] 2008年、ラムリサーチはSEZ AG ^（現Lam Research AG）を買収した。^[17] 2011年、ラムリサーチはカリフォルニア州サンノゼのチップ装置メーカーNovellus Systemsを33億ドルで買収することに合意した。^[19] この取引は2012年6月に完了した。 ^[20] 2012年、マーティン・アンスティスがCEOに任命された。^[15] 2015年10月、ラムリサーチはカリフォルニア州ミルピタスに拠点を置くウェハ検査装置ベンダーKLA-Tencorを106億ドルで買収する計画を発表した。これは半導体業界の統合の動きと見られていた。^[21] 2016年6月、ラムリサーチが初めてフォーチュン500に加わったことが発表された。 ^{[22] 2016年10月、同社は、独占禁止法上の懸念により、}米国司法省の規制当局の承認を得られないとの懸念から、KLA-Tencorに対する買収提案を取り下げたと発表した^[23]。^[24]

2017年9月、同社はノースカロライナ州ケアリーに拠点を置くチップシミュレーション会社Coventorの買収を発表した。同社のソフトウェアにより、ラムは新しいチップの市場投入までの時間を短縮できると報じられている。^[25] 11月、同社は企業への投資を目的としたベンチャーキャピタルグループ、Lam Research Capital（Lam Capital）を設立した。^[26]

2018年1月、同社はCOOのティム・アーチャーが社長に昇進し、CEOのマーティン・アンスティスがCEOの職に留まると発表した。^[27]

2018年12月、マーティン・アンスティスは個人的な不正行為の疑いでCEOを辞任し、ラムリサーチの取締役会はティム・アーチャーを社長兼最高経営責任者に任命した。^[28]アーチャーはラムリサーチの取締役会にも任命された。

2021年8月、ラムはウェハ製造装置の需要増加に対応し、主要顧客やサプライチェーンパートナーとより緊密に連携するために、マレーシアのバトゥカワンに製造施設を開設しました。^[29]

2022年9月15日、ラムリサーチはバンガロールに新しいインドエンジニアリングセンターを設立しました。このセンターは、DRAM、NAND、ロジックテクノロジーなどのメモリコンポーネントの作成に使用されるウェーハ製造ハードウェアとソフトウェアのエンジニアリング、テスト、研究開発に活用されます。これはラムリサーチの2番目のR＆Dラボであり、インドで3番目の施設です。この施設は、ハードウェアとソフトウェアの面で同社の世界的な生産業務を支援します。新しい施設は、インド人エンジニアが国内で設計を完了できるようにすることで、米国のエンジニアへの依存を軽減し、ラムリサーチの国際活動の大部分をインドに移転します。^{[30] [31]}

2022年11月、ラム社がザルツブルクに本社を置くウェットプロセス半導体装置プロバイダーであるSemsysco GmbHを買収したことが発表されました。^[32]同月、ラム社はテキサスに本拠を置くプラズマシミュレーション会社Esgee Technologies, Inc.も買収しました。 ^[33]

ラムリサーチは、薄膜堆積、プラズマエッチング、フォトレジスト剥離、ウェーハ洗浄プロセス用の装置を含む半導体製造用製品の設計と製造を行っています。半導体製造の全工程において、これらの技術はトランジスタ、相互接続、高度なメモリ、パッケージ構造の作成に役立ちます。また、微小電気機械システム（MEMS）や発光ダイオード（LED）などの関連市場のアプリケーションにも使用されています。^[34]

ラム社の薄膜堆積システムは、集積回路を構成する導電性（金属）または絶縁性（誘電体）材料のサブミクロ層を形成する。このプロセスではナノスケールレベルでの均一性が求められる。^[35]

同社は電気化学堆積（ECD）と化学気相堆積（CVD）技術を採用して、導電構造用の銅やその他の金属膜を形成しています。^{[36] [37]} 原子層堆積（ALD）は、マルチレベル相互接続チップ設計における金属線間の垂直接続であるコンタクトやプラグなどの機能におけるタングステン金属膜にも使用されています。 ^[38]

プラズマCVD（PE）およびALD技術は、幅広い絶縁部品用の誘電体膜を作成します。狭いスペースに誘電体材料を堆積する必要があるギャップフィルプロセスでは、ラム社は高密度プラズマ（HDP）CVD技術を使用します。^{[39] [40]} PECVDとALDは、回路パターン形成プロセスを改善するために除去できる層であるハードマスクの形成にも使用されます。 ^[41]

^{ラムリサーチは、半導体デバイスの機能やパターンを作成するために、ウェーハの表面から材料を選択的に除去するプロセスであるプラズマエッチング[42]}用の装置に独自の技術を使用しています。この装置は、ますます複雑なフィルムスタックとより高いアスペクト比の構造を伴う最新のマルチパターンシーケンス、トランジスタ、高度なメモリ構造に必要な小さな部品をチップメーカーが彫刻するのに役立ちます。

同社は、反応性イオンエッチング（RIE）と原子層エッチング（ALE）を使用して、さまざまな導電性および誘電体機能を形成します。^[42]同社のディープRIEテクノロジーは、MEMSやシリコン貫通ビア（TSV）などのアプリケーションの構造を作成するのに役立ちます。

ラム社のドライストリップシステムはプラズマ技術を使用して、さまざまなフロントエンドウェーハ処理および高度なパッケージングアプリケーションに続いてフォトレジストマスクを選択的に除去します。^[43]

ラムリサーチ社のウェットスピンクリーンおよびプラズマベースのベベルクリーン製品は、隣接するプロセスの前または後に、ウェーハ表面から粒子、残留物、およびフィルムを除去します。^[44]

同社のスピン ウェット クリーン テクノロジーは、チップ処理ステップの合間に使用され、歩留まりを制限する残留物や欠陥を除去します。Lam のベベルクリーン テクノロジーは、プラズマをウェーハのエッジに照射して、不要な粒子、残留物、およびフィルムを除去します。これらの物質を除去しないと、その後の製造ステップで剥がれてデバイス領域に再堆積し、歩留まりに影響を与える可能性があります。

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