定義
連続充電 連続的な電荷分布。体積電荷密度ρ は単位体積あたりの電荷量(3次元)、表面電荷密度σ は単位表面積(円)あたりの電荷量で、外向き単位法線 n̂ を持ち、dは2つの点電荷間の 双極子モーメント であり、これらの体積密度は分極密度 P である。位置ベクトル rは 電場 を計算する点であり、r ′は 帯電物体内の点である。 連続電荷分布の定義は以下のとおりです。[ 5 ] [ 6 ]
線電荷密度は、微小電荷dQ (SI 単位: C ) と微小線要素 の比である。 λ q = d Q d ℓ 、 {\displaystyle \lambda _{q}={\frac {dQ}{d\ell }}\,,} 同様に、表面電荷密度は表面積 要素dSを使用する。 σ q = d Q d S 、 {\displaystyle \sigma _{q}={\frac {dQ}{dS}}\,,} 体積電荷密度は体積 要素dVを使用する ρ q = d Q d V 、 {\displaystyle \rho _{q}={\frac {dQ}{dV}}\,,}
定義を積分すると、線電荷密度λq ( r )を線または1次元曲線Cに沿って 線積分する ことにより、 領域の総電荷Qが得られます 。 Q = ∫ L λ q ( r ) d ℓ {\displaystyle Q=\int _{L}\lambda _{q}(\mathbf {r} )\,d\ell } 同様に、表面電荷密度 σ q ( r ) の 表面積分は 、表面S 上で、 Q = ∫ S σ q ( r ) d S {\displaystyle Q=\int _{S}\sigma _{q}(\mathbf {r} )\,dS} 体積電荷密度ρq ( r )の 体積積分 V 、 Q = ∫ V ρ q ( r ) d V {\displaystyle Q=\int _{V}\rho _{q}(\mathbf {r} )\,dV} ここで添え字q は、密度が電荷の密度であり、質量密度 、数密度 、確率密度 などの他の密度ではないことを明確にし、電磁気学における波長 、電気抵抗率、導電率の λ 、σ 、ρ の他の多くの用途との衝突を防ぐためのものです。
電磁気学の分野では、簡略化のため添え字は通常省略され、λ 、 σ 、 ρと 表記 さ れます。その他の表記としては、 ρℓ 、ρs 、ρv 、ρL 、ρS 、ρV など が あります。
総電荷を長さ、表面積、または体積で割った値が平均電荷密度となる。 ⟨ λ q ⟩ = Q ℓ 、 ⟨ σ q ⟩ = Q S 、 ⟨ ρ q ⟩ = Q V 。 {\displaystyle \langle \lambda _{q}\rangle ={\frac {Q}{\ell }}\,,\quad \langle \sigma _{q}\rangle ={\frac {Q}{S}}\,,\quad \langle \rho _{q}\rangle ={\frac {Q}{V}}\,.}
無料、拘束、および合計料金誘電体 材料においては、物体の総電荷は「自由電荷」と「束縛電荷」に分けられる。
束縛電荷は、印加された 電場 E に応答して電気双極子を形成し、近くの他の双極子を分極させて整列させようとする。双極子の向きによる正味の電荷の蓄積が束縛電荷である。束縛電荷と呼ばれるのは、取り除くことができないためである。誘電体材料では、電荷は原子核 に束縛された電子 である。[ 6 ]
自由電荷とは、 静電平衡状態 、すなわち電荷が移動しておらず、結果として生じる電場が時間に依存しない状態になる余剰電荷、または電流を構成する電荷 のことである。[ 5 ]
総電荷密度 体積電荷密度の観点から見ると、総 電荷密度は次のようになります。 ρ = ρ f + ρ b 。 {\displaystyle \rho =\rho _{\text{f}}+\rho _{\text{b}}\,.} 表面電荷密度に関しては: σ = σ f + σ b 。 {\displaystyle \sigma =\sigma _{\text{f}}+\sigma _{\text{b}}\,.} ここで、添え字「f」と「b」はそれぞれ「自由」と「束縛」を表す。
拘束された電荷 束縛表面電荷は誘電体 の表面に蓄積された電荷であり、表面に垂直な双極子モーメントによって与えられる。[ 6 ] q b = d ⋅ n ^ | s | {\displaystyle q_{b}={\frac {\mathbf {d} \cdot \mathbf {\hat {n}} }{|\mathbf {s} |}}} ここでs は双極子を構成する点電荷間の距離であり、d {\displaystyle \mathbf {d} } は電気双極子モーメント です。n ^ {\displaystyle \mathbf {\hat {n}} } は、表面に対する単位法線ベクトル です。
無限小 を取る: d q b = d d | s | ⋅ n ^ {\displaystyle dq_{b}={\frac {d\mathbf {d} }{|\mathbf {s} |}}\cdot \mathbf {\hat {n}} } そして、それを微小表面要素dS で割ると、束縛表面電荷密度が得られる。 σ b = d q b d S = d d | s | d S ⋅ n ^ = d d d V ⋅ n ^ = P ⋅ n ^ 。 {\displaystyle \sigma _{b}={\frac {dq_{b}}{dS}}={\frac {d\mathbf {d} }{|\mathbf {s} |dS}}\cdot \mathbf {\hat {n}} ={\frac {d\mathbf {d} }{dV}}\cdot \mathbf {\hat {n}} =\mathbf {P} \cdot \mathbf {\hat {n}} \,.} ここで、P は分極密度 、すなわち材料内の電気双極子モーメントの密度であり、 dVは 微小体積要素 である。
発散定理 を用いると、材料内部の束縛体積電荷密度は q b = ∫ ρ b d V = − ∮ S P ⋅ n ^ d S = − ∫ ∇ ⋅ P d V {\displaystyle q_{b}=\int \rho _{b}\,dV=-\oint _{S}\mathbf {P} \cdot {\hat {\mathbf {n} }}\,dS=-\int \nabla \cdot \mathbf {P} \,dV} したがって: ρ b = − ∇ ⋅ P 。 {\displaystyle \rho _{b}=-\nabla \cdot \mathbf {P} \,.}
負の符号は、双極子内の電荷の符号が反対であること、一方の端が物体の内部にあり、もう一方の端が表面にあることによって生じる。
より厳密な導出は以下に示す。[ 6 ]
自由電荷密度 自由電荷密度は、電気に関するガウスの法則 を簡略化する上で有用な役割を果たします。その体積積分は、帯電した物体内に含まれる自由電荷であり、物体から放出される電束密度 D の正味のフラックスに等しくなります。
Φ D = {\displaystyle \Phi _{D}=} S {\displaystyle {\scriptstyle S}} D ⋅ n ^ d S = ∭ ρ f d V {\displaystyle \mathbf {D} \cdot \mathbf {\hat {n}} dS=\iiint \rho _{f}dV} 詳細については、マクスウェル方程式 と構成関係 を参照してください。
均一な電荷密度 電荷密度ρ₀ が 均一 で、位置に依存しない、つまり材料領域全体で一定である という特殊な場合、式は次のように簡略化されます。Q = V ρ 0 。 {\displaystyle Q=V\rho _{0}.}
証拠 まず、連続体積電荷密度の定義から始めましょう。 Q = ∫ V ρ q ( r ) d V 。 {\displaystyle Q=\int _{V}\rho _{q}(\mathbf {r} )\,dV.}
次に、均質性の定義により、ρ q ( r ) は定数であり、ρ q , 0 と表記されます(定数密度と非定数密度を区別するため)。したがって、積分の性質により、積分の外に出すことができ、結果として次のようになります。 Q = ρ q 、 0 ∫ V d V = ρ 0 V {\displaystyle Q=\rho _{q,0}\int _{V}\,dV=\rho _{0}V} それで、 Q = V ρ q 、 0 。 {\displaystyle Q=V\rho _{q,0}.}
線電荷密度と表面電荷密度についても、同様の証明は上記と同じ議論に従う。
個別料金 3次元空間領域R 内の位置r₀ にある単一の点電荷q ( 電子 など) の場合、体積電荷密度はディラックのデルタ関数 で表すことができる。 ρ q ( r ) = q δ ( r − r 0 ) {\displaystyle \rho _{q}(\mathbf {r} )=q\delta (\mathbf {r} -\mathbf {r} _{0})} ここで、r は電荷を計算する位置である。
いつものように、空間のある領域における電荷密度の積分は、その領域に含まれる電荷です。デルタ関数は、任意の関数fに対して シフト特性 を持ちます。 ∫ R d 3 r f ( r ) δ ( r − r 0 ) = f ( r 0 ) {\displaystyle \int _{R}d^{3}\mathbf {r} f(\mathbf {r} )\delta (\mathbf {r} -\mathbf {r} _{0})=f(\mathbf {r} _{0})} したがって、デルタ関数は、電荷密度をR上で積分したときに、 R 内の総電荷がq になることを保証します。 Q = ∫ R d 3 r ρ q = ∫ R d 3 r q δ ( r − r 0 ) = q ∫ R d 3 r δ ( r − r 0 ) = q {\displaystyle Q=\int _{R}d^{3}\mathbf {r} \,\rho _{q}=\int _{R}d^{3}\mathbf {r} \,q\delta (\mathbf {r} -\mathbf {r} _{0})=q\int _{R}d^{3}\mathbf {r} \,\delta (\mathbf {r} -\mathbf {r} _{0})=q}
これは、 N 個 の離散的な点状電荷キャリアに拡張できます。点r におけるシステムの電荷密度は、位置r i における各電荷q i の電荷密度の合計です。ここで、i = 1, 2, ..., N です。 ρ q ( r ) = ∑ 私 = 1 N q 私 δ ( r − r 私 ) {\displaystyle \rho _{q}(\mathbf {r} )=\sum _{i=1}^{N}\ q_{i}\delta (\mathbf {r} -\mathbf {r} _{i})}
合計に含まれる各電荷q i のデルタ関数δ ( r − r i ) は、 R 上の電荷密度の積分がR 内の総電荷を返すことを保証します。 Q = ∫ R d 3 r ∑ 私 = 1 N q 私 δ ( r − r 私 ) = ∑ 私 = 1 N q 私 ∫ R d 3 r δ ( r − r 私 ) = ∑ 私 = 1 N q 私 {\displaystyle Q=\int _{R}d^{3}\mathbf {r} \sum _{i=1}^{N}\ q_{i}\delta (\mathbf {r} -\mathbf {r} _{i})=\sum _{i=1}^{N}\ q_{i}\int _{R}d^{3}\mathbf {r} \delta (\mathbf {r} -\mathbf {r} _{i})=\sum _{i=1}^{N}\ q_{i}}
すべての電荷キャリアが同じ電荷q を持つ場合(電子の場合はq = − e 、電子電荷 )、電荷密度は単位体積あたりの電荷キャリア数n ( r ) によって次のように表すことができます。 ρ q ( r ) = q n ( r ) 。 {\displaystyle \rho _{q}(\mathbf {r} )=qn(\mathbf {r} )\,.}
線電荷密度と表面電荷密度についても同様の式が用いられる。
量子力学における電荷密度 量子力学 では、電荷密度ρq は 波動関数 ψ ( r )と次の式で関係付けられる。ρ q ( r ) = q | ψ ( r ) | 2 {\displaystyle \rho _{q}(\mathbf {r} )=q|\psi (\mathbf {r} )|^{2}} ここで、q は粒子の電荷であり、| ψ ( r ) | ² = ψ *( r ) ψ ( r ) は確率密度関数、すなわち、 r に位置する粒子の単位体積あたりの確率です。波動関数が正規化されている場合、領域r ∈ R の平均電荷は次のようになります。Q = ∫ R q | ψ ( r ) | 2 d 3 r {\displaystyle Q=\int _{R}q|\psi (\mathbf {r} )|^{2}\,d^{3}\mathbf {r} } ここで、d 3 r は3 次元位置空間における積分尺度 である。
同一のフェルミオンの系の場合、数密度は、各粒子の確率密度の合計として与えられます 。
n ( r ) = ∑ 私 ⟨ ψ | δ 3 ( r − r 私 ′ ) | ψ ⟩ {\displaystyle n(\mathbf {r} )=\sum _{i}\langle \psi |\delta ^{3}(\mathbf {r} -\mathbf {r} _{i}')|\psi \rangle }
n ( r ) = ∑ 私 ∫ d 3 r 2 ⋯ ∫ d 3 r N Ψ * ( r 、 r 2 、 … 、 r 私 = r ′ 、 … 、 r N ) Ψ ( r 、 r 2 、 … 、 r 私 = r ′ 、 … 、 r N ) 。 {\displaystyle n(\mathbf {r} )=\sum _{i}\int {\mathrm {d} }^{3}\mathbf {r} _{2}\cdots \int {\mathrm {d} }^{3}\mathbf {r} _{N}\,\Psi ^{*}(\mathbf {r} ,\mathbf {r} _{2},\dots ,\mathbf {r} _{i}=\mathbf {r} ',\dots ,\mathbf {r} _{N})\Psi (\mathbf {r} ,\mathbf {r} _{2},\dots ,\mathbf {r} _{i}=\mathbf {r} ',\dots ,\mathbf {r} _{N}).}
対称化条件を使用する:n ( r ) = N ∫ d 3 r 2 ⋯ ∫ d 3 r N Ψ * ( r 、 r 2 、 … 、 r N ) Ψ ( r 、 r 2 、 … 、 r N ) 。 {\displaystyle n(\mathbf {r} )=N\int {\mathrm {d} }^{3}\mathbf {r} _{2}\cdots \int {\mathrm {d} }^{3}\mathbf {r} _{N}\,\Psi ^{*}(\mathbf {r} ,\mathbf {r} _{2},\dots ,\mathbf {r} _{N})\Psi (\mathbf {r} ,\mathbf {r} _{2},\dots ,\mathbf {r} _{N}).} どこρ q ( r ) = q ⋅ n ( r ) {\textstyle \rho _{q}(\mathbf {r} )=q\cdot n(\mathbf {r} )} これは電荷密度とみなされます。
系の位置エネルギーは次のように表されます。⟨ ψ | U | ψ ⟩ = ∫ V ( r ) n ( r ) δ 3 r {\displaystyle \langle \psi |U|\psi \rangle =\int V(\mathbf {r} )n(\mathbf {r} )\delta ^{3}\mathbf {r} } したがって、これらの条件下での電子間反発エネルギーは次のように導出される。U e e [ n ] = J [ n ] = 1 2 ∫ δ 3 r ′ ∫ δ 3 r ( ( e n ( r ) ) ( e n ( r ′ ) ) | r − r ′ | ) = 1 2 ∫ δ 3 r ′ ∫ δ 3 r ( ρ ( r ) ρ ( r ′ ) | r − r ′ | ) {\displaystyle U_{ee}[n]=J[n]={\frac {1}{2}}\int \delta ^{3}\mathbf {r} '\int \delta ^{3}\mathbf {r} \left({\frac {(en(\mathbf {r} ))(en(\mathbf {r} '))}{|\mathbf {r} -\mathbf {r} '|}}\right)={\frac {1}{2}}\int \delta ^{3}\mathbf {r} '\int \delta ^{3}\mathbf {r} \left({\frac {\rho (\mathbf {r} )\rho (\mathbf {r} ')}{|\mathbf {r} -\mathbf {r} '|}}\right)} なお、これは系の交換エネルギーを除いたものであり、交換エネルギーは純粋に量子力学的な現象であるため、別途計算する必要がある。
次に、ハートリー・フォック法を用いてエネルギーを以下のように求める。
E [ n ] = 私 + J − K {\displaystyle E[n]=I+J-K}
ここで、I は正電荷による電子の運動エネルギーと位置エネルギー、J は電子間相互作用エネルギー、K は電子の交換エネルギーである。[ 11 ] [ 12 ]
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