量子力学において、デルタポテンシャルは、ディラックのデルタ関数(一般化された関数)によって数学的に記述されるポテンシャル井戸です。定性的に言えば、デルタポテンシャルは、ある一点を除いてあらゆる場所でゼロとなるポテンシャルに対応し、その一点では無限大の値をとります。これは、粒子が空間の二つの領域を自由に移動でき、その間に障壁が存在する状況をシミュレートするために使用できます。例えば、電子は導電性物質中をほぼ自由に移動できますが、二つの導電性表面を近づけると、それらの間の界面が電子に対する障壁として働き、これはデルタポテンシャルによって近似できます。
デルタポテンシャル井戸は、有限ポテンシャル井戸の極限的な場合であり、井戸の幅とポテンシャルの積を一定に保ちながら、井戸の幅を小さくし、ポテンシャルを大きくすることで得られます。
本稿では、簡潔にするため、一次元ポテンシャル井戸のみを考察するが、解析はより多次元に拡張することも可能である。

ポテンシャルV ( x )中の一次元粒子の波動関数ψ ( x )に対する時間独立シュレーディンガー方程式は次のようになる。 ここでħは換算プランク定数、Eは粒子のエネルギーである。
デルタ電位は電位です ここで、δ ( x )はディラックのデルタ関数である。
λが負の場合、これはデルタ型ポテンシャル井戸と呼ばれ、 λが正の場合、デルタ型ポテンシャル障壁と呼ばれます。デルタは簡略化のため原点で定義されています。デルタ関数の引数がずれても、以下の結果は変わりません。
出典:[ 1 ]
ポテンシャルは空間を2つの部分(x < 0とx > 0)に分割する。これらの各部分ではポテンシャルはゼロであり、シュレーディンガー方程式は次のように簡略化される。 これは定数係数を持つ線形微分方程式であり、その解はe ikxとe − ikxの線形結合であり、波数kはエネルギーと次の関係にある 。
一般に、原点にデルタポテンシャルが存在するため、解の係数は両方の半空間で同じである必要はない。 ここで、正のエネルギー(実数k ) の場合、e ikx は右方向に伝わる波を表し、e − ikx は左方向に伝わる波を表します。
波動関数が原点で連続であるという条件を課すことで、係数間の関係式が得られる。
2つ目の関係は、波動関数の導関数を調べることで見つけることができます。通常、原点で微分可能性を課すこともできますが、デルタポテンシャルのためこれは不可能です。しかし、x = 0の周りでシュレーディンガー方程式を区間で積分すると、:
極限では、この方程式の右辺はゼロになり、左辺は なぜなら ψ の定義をこの式に 代入すると、
したがって、境界条件は係数に対して以下の制約を与える。

任意の一次元引力ポテンシャルには束縛状態が存在する。そのエネルギーを求めるには、E < 0の場合、k = i √ 2 m | E | / ħ = iκは虚数であり、上記の計算で正のエネルギーに対して振動していた波動関数は、xの指数関数的に増加または減少する関数となることに注意する(上記参照)。波動関数が無限遠で発散しないという条件により、項の半分が消去される。A r = B l = 0。すると波動関数は次のようになる 。
境界条件と正規化条件から、 このことから、λは負でなければならない、つまり束縛状態は井戸に対してのみ存在し、障壁に対しては存在しないことがわかる。この波動関数のフーリエ変換はローレンツ関数である。
束縛状態のエネルギーは次のようになる。

正のエネルギーの場合、粒子は半空間( x < 0またはx > 0 )内を自由に移動できる。デルタ関数ポテンシャルで散乱される可能性がある。
量子的なケースは、次の状況で研究できます。粒子が左側から障壁に入射します( A r )。反射( A l )または透過( B r )する可能性があります。左側からの入射に対する反射と透過の振幅を求めるには、上記の式にA r = 1 (入射粒子)、A l = r (反射)、B l = 0 (右側からの入射粒子なし)、B r = t (透過) を代入し、 tに関する式はありませんが、 rとtについて解きます。結果は次のようになります。
モデルの鏡面対称性により、右側からの入射の振幅は左側からの入射の振幅と同じになります。その結果、ゼロでない確率が存在します。 粒子が反射されるためには、 λ の符号に依存しない。つまり、障壁も井戸も粒子を反射する確率は同じである。これは古典力学とは大きく異なる。古典力学では、障壁の場合の反射確率は 1 (粒子は単純に跳ね返る)、井戸の場合の反射確率は 0 (粒子は井戸を妨害されずに通過する) となる。
感染の確率は
上記の計算は、一見すると非現実的で役に立たないように思えるかもしれません。しかし、実際には様々な実世界のシステムに適したモデルであることが証明されています。
一例として、2つの導電性材料間の界面が挙げられます。材料内部では、電子の運動は準自由であり、上記のハミルトニアンの運動項と有効質量mで記述できます。多くの場合、このような材料の表面は酸化物層で覆われていたり、その他の理由で理想的ではありません。この薄い非導電性層は、上記のように局所的なデルタ関数ポテンシャルでモデル化できます。電子は一方の材料から他方の材料へトンネル効果によって移動し、電流が発生します。
走査型トンネル顕微鏡(STM)の動作は、このトンネル効果に基づいています。この場合、障壁はSTMの探針と対象物の間の空気によって生じます。障壁の強さは分離距離に関係しており、両者の距離が離れるほど障壁は強くなります。この状況のより一般的なモデルについては、「有限ポテンシャル障壁(QM)」を参照してください。デルタ関数ポテンシャル障壁は、そこで検討されているモデルにおいて、非常に高く狭い障壁の場合の極限ケースです。
上記のモデルは一次元ですが、私たちの周りの空間は三次元です。したがって、実際にはシュレーディンガー方程式を三次元で解く必要があります。一方、多くのシステムは一方向の座標に沿ってのみ変化し、他の方向には並進不変です。この場合、シュレーディンガー方程式は、波動関数の次のタイプの仮説によって、ここで検討されているケースに還元できます。。
あるいは、デルタ関数をある領域Dの表面上に存在するように一般化することも可能です(指標のラプラシアンを参照)。[ 2 ]
デルタ関数モデルは、実際にはダドリー・R・ハーシュバックのグループによって開発された次元スケーリング法に従って水素原子の1次元バージョンです[ 3 ]。デルタ関数モデルは、次のセクションで示すように、水素分子イオンの1次元バージョンを表す二重井戸ディラックデルタ関数モデル で特に有用になります。

二重井戸型ディラックデルタ関数は、対応するシュレーディンガー方程式によって二原子水素分子をモデル化する。 潜在能力が今どこにあるのか どこは、 x = ± R /2に位置するディラックデルタ関数(負)ピークを持つ「核間」距離です(図では茶色で示されています)。このモデルと3次元分子モデルとの関係を考慮して、原子単位を使用し、 と設定します。。 ここは形式的に調整可能なパラメータです。単一井戸の場合から、解の 「仮説」は次のようになります。 ディラックデルタ関数のピークにおける波動関数のマッチングにより、行列式が得られる。 したがって、擬二次方程式 によって支配されることがわかった 2つの解がある電荷が等しい場合(対称同核の場合)、λ = 1となり、擬二次式は次のように簡略化される 。 「+」の場合、波動関数は中点(図中の赤色で示す)に関して対称であり、A = Bで、gerade と呼ばれます。同様に、「−」の場合、波動関数は中点に関して反対称であり、A = − Bで、ungeradeと呼ばれます(図中の緑色で示す)。これらは、3 次元の最も低い 2 つの離散エネルギー状態の近似を表しています。そして、その解析に役立つ。対称電荷の場合のエネルギー固有値の解析解は[ 4 ]で与えられる。 ここで、Wは標準ランベルトW関数である。なお、最低エネルギーは対称解に対応する。電荷が不均等な場合、そして三次元分子問題の場合、解はランベルトW関数の一般化によって与えられます(ランベルトW関数§一般化を参照)。
最も興味深いケースの1つは、qR ≤ 1 の場合で、その結果、したがって、 E = 0の非自明な束縛状態解が得られます。これらの特定のパラメータでは、多くの興味深い特性が現れますが、その 1 つは、ゼロエネルギーで透過係数が 1 になるという珍しい効果です。[ 5 ]