マクロ占拠の結果 図 1 左: 粒子が 1 つだけの場合。通常、小さなボックスは空です。ただし、粒子がボックス内にある確率はゼロではありません。この確率は式 ( 3 ) で与えられます。 中央: 粒子が数個の場合。通常、ボックス内にはいくつかの粒子があります。平均を定義することはできますが、ボックス内の実際の粒子数はこの平均値の周りで大きく変動します。 右: 非常に多くの粒子の場合。一般的に、ボックス内には多数の粒子があります。平均値の周りの変動は、ボックス内の粒子数に比べて小さいです。 巨視的に占有された量子状態の概念は、フリッツ・ロンドン によって導入されました。[ 3 ] [ 4 ] このセクションでは、単一の状態が非常に多くの粒子によって占有されている場合、それが何を意味するのかを説明します。まず、次のように書かれた状態の波動関数から始めます。
Ψ 0 の場合、振幅とφ {\displaystyle \varphi } 位相。波動関数は次のように規格化される。
量の物理的解釈
粒子数に依存します。図1は、内部に小さな制御体積ΔV を持つ、一定数の粒子が入った容器を表しています。制御ボックス内の粒子数を定期的に確認します。次の3つのケースを区別します。
粒子は1つだけです。この場合、制御体積はほとんどの場合空です。しかし、式 (3 )で示されるように、その中に粒子を見つける一定の確率があります。確率はΔVに比例します。 係数ΨΨ ∗ は確率密度と呼ばれます。 粒子数が少し多ければ、通常は箱の中に粒子がいくつか存在します。平均値を定義することはできますが、箱の中の実際の粒子数は、この平均値を中心に比較的大きく変動します。 粒子数が非常に多い場合、小さな箱の中には常に多くの粒子が存在することになります。粒子数は変動しますが、平均値からの変動は比較的小さいです。平均粒子数はΔVに比例し、 ΨΨ ∗は 粒子密度として解釈されます。 量子力学において、粒子確率流密度J p (単位: 粒子/秒/m² ) は、確率流とも呼ばれ、 シュレーディンガー方程式 から次のように導出できる。
q は粒子の電荷であり、A → {\displaystyle {\vec {A}}} ベクトルポテンシャル。cc は括弧内のもう一方の項の複素共役を表します。[ 5 ] 中性粒子の場合q = 0 、超伝導体の場合q = −2 e ( e は素電荷) クーパー対の電荷。式 ( 1 )を使用すると、
波動関数が巨視的に占有されている場合、粒子確率流密度は粒子流密度になります。質量流密度を介して流体速度v sを導入します。
密度(体積あたりの質量)は
したがって、式 (5 )の結果は
この重要な関係は、古典的な概念である凝縮体の速度と、量子力学的な概念である波動関数の位相を結びつけるものである。
超流動性 図 2 下部:垂直軸を中心に回転する超流動ヘリウム柱の垂直断面図。上部:渦核のパターンを示す表面の上面図。左から右に向かって回転速度が増加するため、渦線密度が増加する。 ラムダ点 以下の温度では、ヘリウムは超流動性という特異な性質を示す。超流動成分を形成する液体の部分は巨視的な量子流体 である。ヘリウム原子は中性粒子 であるため、q = 0 となる。さらに、ヘリウム4 を考えると、関連する粒子質量はm = m 4 であるため、式 ( 8 ) は次のように簡略化される。
液体中の任意のループに対して、これは
波動関数が一価であるため
n は整数で、
数量
は循環の量子です。半径r の円運動の場合
単一量子の場合(n = 1 )
超流動ヘリウムを回転させると、回転が渦線を中心に組織化されていない限り、式 (13 )は液体内部のすべてのループで満たされません(図2参照)。これらの渦線には、直径約1Å (平均粒子間距離よりも小さい)の真空コアがあります。超流動ヘリウムは、非常に高速でコアの周りを回転します。コアのすぐ外側(r = 1Å )では、速度は160m /sにも達します。渦線のコアと容器は、同じ角速度で回転軸の周りを固体のように回転します。渦線の数は角速度とともに増加します(図の上半分参照)。右側の2つの図はどちらも6本の渦線を含んでいますが、渦線は異なる安定したパターンで組織化されていることに注意してください。[ 6 ]
超伝導 原著論文[ 7 ] において、ギンズブルグとランダウは、常伝導状態と超伝導状態の界面のエネルギーに応じて、2種類の超伝導体が存在することを観察した。マイスナー状態は 、印加磁場が大きすぎると崩壊する。超伝導体は、この崩壊の仕方に応じて2つのクラスに分類できる。タイプI超伝導体では、印加磁場の強度が臨界値 H c を超えると、超伝導が突然破壊される。試料の形状によっては、磁場を持つ常伝導物質の領域と磁場を持たない超伝導物質の領域が混在するバロック模様の中間状態[ 8 ] が得られる。タイプII超伝導体 では、印加磁場を臨界値H c 1を超えて上げると、混合状態(渦状態とも呼ばれる)になる。この状態では、物質に浸透する磁束 の量は増加するが、電流が大きすぎない限り、電流の流れに対する抵抗は残らない。第二臨界磁場強度H c 2 で超伝導は破壊される。混合状態は実際には電子超流体中の渦によって引き起こされ、これらの渦によって運ばれる磁束が量子化されているため、 フラクソン と呼ばれることもある。ニオブ とカーボンナノチューブを 除くほとんどの純粋な元素 超伝導体はタイプI であり、ほとんどすべての不純物および化合物超伝導体はタイプII である。
ギンツブルグ・ランダウ理論 の最も重要な発見は、 1957年にアレクセイ・アブリコソフ によってなされた。彼はギンツブルグ・ランダウ理論を用いて、超伝導合金や薄膜の実験を説明した。彼は、高磁場中のII型超伝導体において、磁場が量子化された磁束渦管の三角形格子に浸透することを発見した。この研究および関連する研究により、彼は2003年に ギンツブルグ 、レゲット とともにノーベル賞を受賞した。[ 9 ]
フラックスイド量子化 超伝導体 の場合、関与するボソンは、 2つの電子によって形成される準粒子 であるいわゆるクーパー対である。 [ 10 ] したがって、m = 2 m e およびq = −2 e となり、ここでm e とe はそれぞれ電子の質量と素電荷である。式( 8 ) から、
式 (15 )を閉ループで積分すると、
ヘリウムの場合と同様に、渦の強さを定義します。
そして一般的な関係式を使用する
ここで、Φはループによって囲まれた磁束である。いわゆるフラックスイド は次のように定義される。
一般に、 κ とΦの値はループの選択に依存する。波動関数の単価性と式 (16 )により、フラクソイドは量子化される。
量子化の単位はフラックス量子と呼ばれる。
磁束量子は超伝導において非常に重要な役割を果たします。地球の磁場は非常に小さい(約50μT)ですが、6μm ×6μm の領域に1つの磁束量子を生成します。したがって、磁束量子は非常に小さいです。しかし、式(21 )に示すように、9桁の精度で測定されました。現在では、式(21 )で与えられる値は定義により正確です。
図 3.印加磁場中の2つの超伝導リング 厚い超伝導リング。積分ループは完全にv s = 0 の領域にあります。弱いリンクを持つ厚い超伝導リング。積分ループは、弱いリンク付近の小さな領域を除いて、v s = 0の領域内に完全に収まっている。 図 3には、外部磁場中の超伝導リングの2つの状況が示されています。1つは厚壁リングの場合で、もう1つはリングが厚壁であるものの、弱いリンクで途切れている場合です。後者の場合、有名なジョセフソン関係式が現れます。どちらの場合も、材料内部のループを考慮します。一般に、材料内部には超伝導循環電流が流れます。ループ内の全磁束は、印加された磁束 Φa と、循環電流によって誘起される自己誘導磁束Φsの 合計です。
太いリング 最初のケースは、外部磁場中の厚いリングです(図 3a)。超伝導体内の電流は、表面の薄い層のみを流れます。この層の厚さは、いわゆるロンドン侵入深さ によって決まります。その厚さはμm以下です。表面から十分に離れたループを考えると、v s = 0 がどこでも成り立つため、 κ = 0 となります。この場合、磁束は磁束に等しくなります(Φ v = Φ)。v s = 0 の場合、 式(15 )は 次のように簡略化されます。
回転を取ると
よく知られている関係式を用いて∇ → × ∇ → φ = 0 {\displaystyle {\vec {\nabla }}\times {\vec {\nabla }}\varphi =0} そして∇ → × A → = B → {\displaystyle {\vec {\nabla }}\times {\vec {A}}={\vec {B}}} これは、超伝導体のバルク内の磁場もゼロであることを示しています。したがって、厚いリングの場合、ループ内の全磁束は次のように量子化されます。
途切れたリング、弱いリンク図4は、超伝導電流is を 流す弱いリンクの概略図である。リンクにかかる電圧差はVである。左側と右側の超伝導波動関数の位相は、それぞれ φ1 とφ2の値で一定(空間的に 一定、時間的に一定ではない ) であると仮定する。 弱リンクは現代の超伝導において非常に重要な役割を果たします。ほとんどの場合、弱リンクは2つの超伝導薄膜間の酸化物バリアですが、結晶境界である場合もあります(高温超伝導体 の場合)。図4に模式図を示します。 次に、リングが弱リンクを介して閉じられている小さなセクションを除いて、リング全体が厚いリングを考えます(図 3b)。速度は弱リンクの近くを除いてゼロです。これらの領域では、ループ全体の位相変化に対する速度の寄与は、(式 (15 )を用いて)次のように与えられます。
線積分は、接触面の一方から他方まで、線の端点が超伝導体のバルク内部(v s = 0 )に十分入るように行われます。したがって、線積分の値は明確に定義されます(例えば、端点の選択に依存しません)。式 (19 )、(22 )、(26 )を用いると、
証明なしで、弱いリンクを流れる超伝導電流は、いわゆる直流ジョセフソン関係式 [ 11 ]によって与えられると述べる。
接点にかかる電圧は交流ジョセフソン関係式で与えられる。
これらの関係(DC関係とAC関係)の名前は、DCとACの両方の状況で成り立つため、誤解を招く可能性があります。定常状態(一定)ではΔ φ * {\displaystyle \Delta \varphi ^{*}} 式 (29 )は、接合部にゼロでない電流が流れている間はV =0であることを示している。一定の印加電圧(電圧バイアス)の場合、式 (29 )は容易に積分でき、
式 (28 )に代入すると、
これは交流電流です。周波数
ジョセフソン周波数と呼ばれる。1 μV は約 500 MHz の周波数を与える 。式 ( 32 ) を使用すると、式( 21 )で示されるように、磁束量子が高精度で決定される。
接触面の一方から他方へ移動するクーパー対のエネルギー差はΔ E = 2eV である。この式を用いると、式 ( 32 ) はΔ E = hν と書くことができ、これは周波数ν の光子のエネルギーの関係である。
ACジョセフソン関係式(式 (29 ))は、ニュートンの法則(またはロンドン方程式 [ 12 ] のいずれか)を用いて容易に理解できる。まずニュートンの法則から始めよう。F → = m d v → s d t 。 {\displaystyle {\vec {F}}=m{\frac {\mathrm {d} {\vec {v}}_{s}}{\mathrm {d} t}}.} ローレンツ力 の式を代入するとF → = q ( E → + v → s × B → ) {\displaystyle {\vec {F}}=q\left({\vec {E}}+{\vec {v}}_{s}\times {\vec {B}}\right)} そして、共動時間微分の一般式を用いるd v → s d t = ∂ v → s ∂ t + 1 2 ∇ → v s 2 − v → s × ( ∇ → × v → s ) {\displaystyle {\frac {\mathrm {d} {\vec {v}}_{s}}{\mathrm {d} t}}={\frac {\partial {\vec {v}}_{s}}{\partial t}}+{\frac {1}{2}}{\vec {\nabla }}v_{s}^{2}-{\vec {v}}_{s}\times \left({\vec {\nabla }}\times {\vec {v}}_{s}\right)} 与えるq m ( E → + v → s × B → ) = ∂ v → s ∂ t + 1 2 ∇ → v s 2 − v → s × ( ∇ → × v → s ) 。 {\displaystyle {\frac {q}{m}}\left({\vec {E}}+{\vec {v}}_{s}\times {\vec {B}}\right)={\frac {\partial {\vec {v}}_{s}}{\partial t}}+{\frac {1}{2}}{\vec {\nabla }}v_{s}^{2}-{\vec {v}}_{s}\times \left({\vec {\nabla }}\times {\vec {v}}_{s}\right).} 式 (8 )は0 = ∇ → × v → s + q m ∇ → × A → = ∇ → × v → s + q m B → {\displaystyle 0={\vec {\nabla }}\times {\vec {v}}_{s}+{\frac {q}{m}}{\vec {\nabla }}\times {\vec {A}}={\vec {\nabla }}\times {\vec {v}}_{s}+{\frac {q}{m}}{\vec {B}}} それでq m E → = ∂ v → s ∂ t + 1 2 ∇ → v s 2 。 {\displaystyle {\frac {q}{m}}{\vec {E}}={\frac {\partial {\vec {v}}_{s}}{\partial t}}+{\frac {1}{2}}{\vec {\nabla }}v_{s}^{2}.} この式の線積分を取ります。端点では速度がゼロなので、∇v2 の項 は 寄与しません。∫ E → ⋅ d ℓ → = − V {\displaystyle \int {\vec {E}}\cdot \mathrm {d} {\vec {\ell }}=-V} また、式 (26 )において、q = −2 e 、m = 2 m e とすると、式 (29 )が得られる。
DCイカ 図 5.2つの弱い連結部で接続された2つの超伝導体。電流と磁場が印加されている。 図 6.DC-SQUIDの臨界電流の印加磁場依存性 図 5は、いわゆるDC SQUID を示しています。これは、2つの弱いリンクで接続された2つの超伝導体で構成されています。2つのバルク超伝導体と2つの弱いリンクを通るループの磁束量子化には、
ループの自己インダクタンスを無視できる場合、ループ内の磁束Φは印加された磁束に等しくなります。
B は表面に垂直に印加される磁場、Aは ループの表面積である。全超伝導電流は次式で与えられる。
式( 33 )を式( 35 )に代入すると、
よく知られた幾何学的公式を用いると、
sin関数は-1から+1の間でしか変化しないため、定常解は印加電流が次の臨界電流より小さい場合にのみ可能です。
臨界電流は印加磁束に対して周期Φ₀で 周期的であることに注意してください。臨界電流の印加磁束への依存性は図 6に示されています。これは、二重スリットの後ろにあるレーザービームによって生成される干渉パターンと非常によく似ています。実際には、臨界電流は印加磁束の磁束量子が半整数値の場合にゼロになりません。これは、ループの自己インダクタンスを無視できないためです。[ 13 ]
第二種超伝導 図 7.II型超伝導体を貫通する磁束線。超伝導体中の電流は磁場を発生させ、それが印加磁場と合わさって量子化された磁束の束を形成する。 タイプII超伝導は、 B c1 とB c2 と呼ばれる2つの臨界磁場によって特徴づけられます。磁場B c1 では、印加磁場が試料に浸透し始めますが、試料はまだ超伝導状態です。試料が完全に常伝導状態になるのは、磁場B c2の場合のみです。B c1 と B c2 の間 の 磁場では、磁束は図2に示すパターンと同様の、いわゆるアブリコソフ渦 格子と呼ばれる整然としたパターンで超伝導体に浸透します。[ 14 ] 超伝導板の断面図を図7に示します。板から遠く離れた場所では磁場は均一ですが、材料内部では超伝導電流が流れ、磁場をちょうど1つの磁束量子の束に圧縮します。コアにおける典型的な磁場は1テスラにも達します。渦コア周辺の電流は、約50 nmの層を流れ、電流密度は15 × 10⁻⁶ オーダーです。 12 A/m 2。これは、1 mm 2 の電線に 1500 万アンペアが流れることに相当します。
希薄量子ガス 古典的な量子システムである超伝導体と超流動ヘリウムは、20 世紀初頭に発見されました。20 世紀末近くになると、科学者たちは、まずレーザー冷却 、次に蒸発冷却 によって冷却された非常に希薄な原子または分子ガスを生成する方法を発見しました。[ 15 ] これらは、超高真空チャンバー内で磁場または光双極子ポテンシャルを使用して捕捉されます。使用されている同位体には、ルビジウム (Rb-87 および Rb-85)、ストロンチウム (Sr-87、Sr-86、および Sr-84)、カリウム (K-39 および K-40)、ナトリウム (Na-23)、リチウム (Li-7 および Li-6)、および水素 (H-1) があります。冷却できる温度は、数ナノケルビンまでです。過去数年間で、開発は非常に急速に進んでいます。NIST とコロラド大学のチームは、これらのシステムで渦量子化を生成および観測することに成功しました。[ 16 ] 渦の集中度は回転の角速度とともに増加し、超流動ヘリウムや超伝導の場合と同様である。
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