タイプI超伝導体

バルクの超伝導体の内部は弱い磁場では侵入できず、この現象はマイスナー効果として知られています。印加磁場が大きくなりすぎると、超伝導は破壊されます。この破壊がどのように起こるかによって、超伝導体は 2 つのタイプに分けられます。タイプ I の超伝導体では、印加磁場の強度が臨界値H _{cを超えると、}一次相転移によって超伝導が突然破壊されます。このタイプの超伝導は、通常、アルミニウム、鉛、水銀などの純金属で示されます。現在までにタイプ I の超伝導を示すことが知られている唯一の合金は、タンタルシリサイド (TaSi ₂ ) です。^[1]および BeAu ^[2] 共有結合型超伝導体SiC:B、つまりホウ素を大量にドープしたシリコンカーバイドもタイプ I です。^[3]

消磁係数に応じて、中間状態が得られる場合があります。この状態は、レフ・ランダウによって最初に説明され、マクロな非超伝導領域と超伝導領域への相分離であり、フシミQ表現を形成します。^[4]

この動作は、2 つの臨界磁場を示すタイプ II 超伝導体とは異なります。最初の低い臨界磁場は、磁束渦が材料を貫通し、材料がこれらの微細な渦の外側で超伝導状態を維持しているときに発生します。渦密度が大きくなりすぎると、材料全体が非超伝導状態になります。これは、2 番目の高い臨界磁場に対応します。

ロンドン浸透深さ λと超伝導コヒーレンス長 ξの比によって、超伝導体がI型かII型かが決まります。I型超伝導体は、II型超伝導体は です。^[5]${\displaystyle 0<{\tfrac {\lambda }{\xi }}<{\tfrac {1}{\sqrt {2}}}}$${\displaystyle {\tfrac {\lambda }{\xi }}>{\tfrac {1}{\sqrt {2}}}}$