物理学および材料科学において、キュリー温度(T C)またはキュリー点とは、特定の材料が永久磁性を失う温度であり、その温度を超えると(ほとんどの場合)誘導磁性によって代替することができます。キュリー温度は、磁性が臨界温度で失われることを示したピエール・キュリーにちなんで名付けられました。[ 1 ]
磁力は、原子内の双極子モーメントである磁気モーメントによって決まります。この磁気モーメントは、電子の角運動量とスピンに由来します。物質は温度によって異なる固有磁気モーメントの構造を持ち、キュリー温度は物質の固有磁気モーメントの方向が変化する臨界点です。
永久磁性は磁気モーメントの整列によって生じ、誘導磁性は無秩序な磁気モーメントが印加された磁場によって整列させられることによって生じます。例えば、整列した磁気モーメント(強磁性、図1)はキュリー温度で変化して無秩序な状態(常磁性、図2)になります。自発磁性はキュリー温度以下でのみ発生するため、温度が高くなると磁石は弱くなります。キュリー温度以上の磁化率は、キュリーの法則から導出されるキュリー・ワイスの法則から計算できます。
強磁性体と常磁性体と同様に、キュリー温度は強誘電性と常誘電性の間の相転移を記述するためにも使用できます。この文脈では、秩序パラメーターは電気分極であり、温度がキュリー温度を超えると、有限値からゼロに変化します。
加熱によって磁気が破壊されることは、すでに『磁石論』(1600年)で述べられている。
鉄粉は長時間加熱されると磁石に引き寄せられるが、加熱されていないときほど強くも遠くからでも引き寄せられるわけではない。磁石は過度の熱によってその効力の一部を失う。なぜなら、その性質が解放され、それによって磁石特有の性質が損なわれるからである。(第2巻、第23章)
1895年、ピエール・キュリーは強力な磁石と精密な天秤を用いて磁気相転移(現在ではキュリー点またはキュリー温度と呼ばれている)を研究した。彼はまたキュリーの法則を提唱した。[ 6 ]
1911年、ピエール・ワイスはこの遷移を説明するためにキュリー・ワイスの法則を導き出した。[ 6 ]
原子レベルでは、磁気モーメントには電子磁気モーメントと核磁気モーメントの 2 つの寄与があります。これら 2 つの項のうち、電子磁気モーメントが支配的で、核磁気モーメントは重要ではありません。高温では、電子の熱エネルギーが高くなります。これにより、整列した磁気ドメインにランダム化効果が生じ、秩序が破壊され、キュリー点の現象が発生します。[ 7 ] [ 8 ]
強磁性体、常磁性体、フェリ磁性体、反強磁性体は、それぞれ異なる固有の磁気モーメント構造を持っています。これらの特性は、物質固有のキュリー温度(T<sub> C</sub>)で変化します。反強磁性から常磁性への(またはその逆の)転移は、キュリー温度に相当するネール温度(T <sub> N</sub>)で起こります。
強磁性、常磁性、フェリ磁性、反強磁性の構造は、固有の磁気モーメントで構成されています。構造内のすべての電子がペアになっている場合、これらのモーメントは反対のスピンと角運動量によって打ち消し合います。したがって、磁場を印加しても、これらの材料は異なる特性を持ち、キュリー温度はありません。[ 9 ] [ 10 ]
物質はキュリー温度以上でのみ常磁性を示します。常磁性物質は、磁場がないときは非磁性であり、磁場が印加されると磁性になります。磁場がないとき、物質の磁気モーメントは無秩序です。つまり、磁気モーメントは非対称で整列していません。磁場が存在すると、磁気モーメントは一時的に印加された磁場と平行に再整列します。 [ 11 ] [ 12 ]磁気モーメントは対称で整列しています。[ 13 ]磁気モーメントが同じ方向に整列することが、誘導磁場の原因となります。[ 13 ] [ 14 ]
常磁性の場合、印加された磁場に対するこの応答は正であり、磁化率として知られています。[ 9 ]磁化率は、無秩序状態のキュリー温度以上でのみ適用されます。[ 15 ]
常磁性(キュリー温度を持つ物質)の発生源には以下が含まれます。[ 16 ]
キュリー温度を超えると、原子は励起され、スピンの向きはランダム化されるが[ 10 ] 、印加された磁場によって再整列することができ、つまり、材料は常磁性になる。キュリー温度以下では、固有構造は相転移を起こしており[ 17 ]、原子は整列し、材料は強磁性体である[ 13 ] 。常磁性材料の誘起磁場は、強磁性材料の磁場に比べて非常に弱い[ 17 ] 。
物質は、それぞれのキュリー温度以下でのみ強磁性を示す。強磁性体は、外部磁場が存在しない状態でも磁性を帯びる。
磁場が存在しない場合、物質は自発的な磁化を示します。これは、磁気モーメントが秩序だった状態にあるためです。つまり、強磁性の場合、原子は対称的に同じ方向に整列し、永久磁場を形成します。
磁気相互作用は交換相互作用によって維持されます。そうでなければ、熱的無秩序が磁気モーメントの弱い相互作用を克服してしまうでしょう。交換相互作用では、平行な電子が同じ時点を占める確率はゼロであり、これは材料内で平行に整列することを好むことを意味します。[ 18 ]ボルツマン因子は、相互作用する粒子が同じ方向に整列することを好むため、大きく寄与します。[ 19 ]これにより、強磁性体は強い磁場と約1,000 K (730 °C)の高いキュリー温度を持ちます。[ 20 ]
キュリー温度以下では、原子が整列して平行になり、自発的な磁性が生じます。この物質は強磁性体です。キュリー温度以上では、物質が相転移を起こす際に原子が秩序だった磁気モーメントを失うため、物質は常磁性体になります。[ 17 ]
物質は、対応するキュリー温度以下でのみフェリ磁性を示す。フェリ磁性物質は、外部磁場がない状態で磁性を示し、2種類の異なるイオンから構成されている。[ 21 ]
磁場がない場合、物質は磁気モーメントの秩序化の結果、自発磁性を持ちます。つまり、フェリ磁性の場合、一方のイオンの磁気モーメントはある大きさで一方向に整列し、もう一方のイオンの磁気モーメントは反対方向に異なる大きさで整列します。磁気モーメントは反対方向で大きさが異なるため、自発磁性が依然として存在し、磁場が存在します。[ 21 ]
強磁性体と同様に、磁気相互作用は交換相互作用によって保持される。ただし、モーメントの向きは反平行であるため、それらの運動量を互いに差し引くことで正味の運動量が生じる。[ 21 ]
キュリー温度以下では、各イオンの原子が異なる運動量で反平行に整列し、自発的な磁性を生じます。この物質はフェリ磁性体です。キュリー温度以上では、物質が相転移を起こして原子が秩序だった磁気モーメントを失うため、物質は常磁性体になります。[ 21 ]
物質は、対応するネール温度または磁気秩序温度T Nより低い場合にのみ反強磁性を示します。これはキュリー温度に似ており、ネール温度を超えると物質は相転移を起こして常磁性になります。つまり、熱エネルギーが物質内の微視的な磁気秩序を破壊するのに十分な大きさになります。[ 22 ]これは、この分野での研究により 1970 年にノーベル物理学賞を受賞したルイ・ネール(1904–2000)にちなんで名付けられました。
この物質は、互いに逆方向に並んだ等しい磁気モーメントを持つため、ネール温度以下のすべての温度において、磁気モーメントはゼロとなり、正味の磁性はゼロとなる。反強磁性体は、外部磁場の有無にかかわらず、弱い磁性を示す。
強磁性体と同様に、磁気相互作用は交換相互作用によって保持され、熱的無秩序が磁気モーメントの弱い相互作用を克服することを防いでいる。[ 18 ] [ 23 ]無秩序が発生するのはネール温度である。[ 23 ]
以下にいくつかの材料のネール温度を示します。[ 24 ]
キュリー・ワイスの法則は、キュリーの法則を応用したものである。
キュリー・ワイスの法則は平均場近似から導出された単純なモデルであり、これは材料の温度Tが対応するキュリー温度T Cよりはるかに高い場合、つまりT ≫ T Cの場合にうまく機能します。しかし、隣接する磁気モーメントのゆらぎの相関のため、キュリー点のすぐ近くの磁化率χを記述することはできません。[ 26 ]
T < T Cの場合、キュリーの法則もキュリー・ワイスの法則も成り立ちません。
常磁性物質に対するキュリーの法則:[ 27 ]
キュリーの法則から、キュリー・ワイスの法則が次のように導き出される。
どこ:
完全な導出については、キュリー・ワイスの法則を参照してください。
キュリー・ワイスの法則は近似式であるため、温度Tが材料のキュリー温度T Cに近づくと、より正確なモデルが必要になります。
磁化率はキュリー温度以上で発生する。
臨界指数γを持つ磁化率の臨界挙動の正確なモデル:
臨界指数は材料によって異なり、平均場モデルではγ = 1とされる。[ 31 ]
温度は磁化率に反比例するため、T がT Cに近づくと分母がゼロに近づき、磁化率が無限大に近づくことで磁性が生じます。これは自発磁性であり、強磁性体およびフェリ磁性体の特性です。[ 32 ] [ 33 ]

磁性は温度に依存し、自発磁性はキュリー温度以下で発生する。臨界指数βを用いた自発磁性の臨界挙動の正確なモデル:
臨界指数は材料によって異なり、平均場モデルではβ = 1 / 2とみなされ、T ≪ T Cである。[ 31 ]
温度が上昇して物質のキュリー温度に近づくにつれて、自発磁性はゼロに近づく。
強磁性体、フェリ磁性体、反強磁性体で発生する自発磁性は、温度が材料のキュリー温度に近づくにつれてゼロに近づきます。自発磁性は、温度が0 Kに近づくと最大になります。[ 35 ]つまり、磁気モーメントは完全に整列し、熱擾乱がないため、磁性の大きさが最大になります。
常磁性材料では、熱エネルギーは秩序だった配列を克服するのに十分である。温度が0 Kに近づくと、エントロピーはゼロに減少し、つまり無秩序が減少して材料は秩序化する。これは外部磁場が存在しない場合でも起こり、熱力学の第三法則に従う。[ 18 ]
キュリーの法則とキュリー・ワイスの法則は、温度が0 Kに近づくとどちらも成り立たなくなります。これは、これらの法則が磁化率に依存しており、磁化率は無秩序な状態の場合にのみ適用されるためです。[ 36 ]
硫酸ガドリニウムは1 Kではキュリーの法則を満たし続けます。0 Kから1 Kの間では法則は成り立たなくなり、キュリー温度で固有構造に急激な変化が生じます。[ 37 ]
イジングモデルは数学に基づいており、 ± 1 / 2 の大きさの電子スピンによる強磁性秩序の相転移の臨界点を解析できます。スピンは構造内の隣接する双極子電子と相互作用し、ここでイジングモデルはそれらの相互作用を予測できます。[ 38 ] [ 39 ]
このモデルは、相転移の概念を理解し、ひいてはキュリー温度を求める上で重要です。その結果、キュリー温度に影響を与える様々な要因を分析することが可能になります。
例えば、表面特性とバルク特性はスピンの配列と大きさに依存し、イジングモデルはこの系における磁性の影響を決定することができる。
1次元の場合、磁気秩序相転移のキュリー(臨界)温度は0℃であることがわかっています。つまり、磁気秩序はT =0のときにのみ発生します。2次元の場合、臨界温度(例えば有限の磁化)は、次の不等式を解くことによって計算できます。

材料の構造は、ワイスドメインと呼ばれるドメインに分離された固有の磁気モーメントで構成されています。[ 40 ]これにより、ドメインが互いにバランスを取り合う可能性があるため、強磁性材料は自発的な磁性を持たない場合があります。[ 40 ]したがって、粒子の位置は、材料の主要部分(バルク)とは異なる表面の向きを持つ可能性があります。この特性はキュリー温度に直接影響し、材料にはバルクキュリー温度T Bと異なる表面キュリー温度T Sが存在する可能性があります。 [ 41 ]
これにより、主状態が無秩序な場合、すなわち秩序状態と無秩序状態が同時に発生する場合、表面キュリー温度がバルクキュリー温度よりも強磁性的になることが可能になる。[ 38 ]
表面とバルクの特性はイジングモデルによって予測でき、電子捕獲分光法を用いて電子スピン、ひいては材料表面の磁気モーメントを検出できます。バルクと表面の温度から平均全磁性を算出して材料のキュリー温度を計算しますが、バルクの寄与が大きいことに注意してください。[ 38 ] [ 42 ]
電子の角運動量は、スピンが 1/2 であるため、+ ħ / 2 または − ħ / 2 のいずれかであり、これにより電子に特定の大きさの磁気モーメント、すなわちボーア磁子が与えられます。 [ 43 ]電流ループ内で原子核の周りを軌道運動する電子は、ボーア磁子と磁気量子数に依存する磁場を生成します。[ 43 ]したがって、磁気モーメントは角運動量と軌道運動量の間に関連しており、互いに影響し合います。角運動量は軌道運動量よりも磁気モーメントに2倍多く寄与します。[ 44 ]
希土類金属であり、軌道角運動量が大きいテルビウムの場合、磁気モーメントはバルク温度以上で秩序に影響を与えるほど強い。表面には高い異方性があり、つまり一方向に強く配向していると言われている。キュリー温度(219 K)以上では表面は強磁性のままだが、バルクは反強磁性になり、さらに高温ではバルクのネール温度(230 K)以上で表面は反強磁性のままで、温度の上昇とともに完全に無秩序になり常磁性になる。バルクの異方性は、これらの相変化のすぐ上で表面の異方性とは異なり、磁気モーメントは異なるように、または常磁性材料で秩序化される。[ 41 ] [ 45 ]
複合材料、つまり異なる特性を持つ他の材料から構成される材料は、キュリー温度を変化させることができます。たとえば、銀を含む複合材料は、結合に酸素分子のための空間を作り出し、結晶格子がそれほど密ではなくなるため、キュリー温度を低下させます[ 46 ] 。
複合材料中の磁気モーメントの配列はキュリー温度に影響を与える。材料のモーメントが互いに平行であればキュリー温度は上昇し、垂直であればキュリー温度は低下する[ 46 ]。これは、配列を破壊するために必要な熱エネルギーが多かれ少なかれ異なるためである。
異なる温度で複合材料を準備すると、異なる最終組成となり、キュリー温度も異なる可能性があります。[ 47 ] 材料にドーピングを施すと、キュリー温度に影響を与えることもあります。 [ 47 ]
ナノ複合材料の密度によってキュリー温度が変化する。ナノ複合材料はナノスケールのコンパクトな構造である。この構造は高いバルクキュリー温度と低いバルクキュリー温度から構成されるが、平均場キュリー温度は1つしかない。低いバルク温度の密度が高いほど平均場キュリー温度は低くなり、高いバルク温度の密度が高いほど平均場キュリー温度は大幅に上昇する。複数の次元では、磁気モーメントが秩序構造を克服するためにより多くの熱エネルギーを必要とするため、キュリー温度は上昇し始める。[ 42 ]
物質の結晶格子内の粒子のサイズはキュリー温度を変化させます。粒子のサイズが小さい(ナノ粒子)ため、電子スピンのゆらぎがより顕著になり、ゆらぎが乱れを引き起こすため、粒子のサイズが小さくなるとキュリー温度が急激に低下します。粒子のサイズは異方性にも影響し、配向が不安定になり、磁気モーメントの乱れにつながります。[ 38 ] [ 48 ]
その極端な例が超常磁性であり、これは小さな強磁性粒子でのみ発生する。この現象では、ゆらぎが非常に大きな影響を与え、磁気モーメントの方向がランダムに変化し、無秩序な状態を生み出す。
ナノ粒子のキュリー温度は結晶格子構造にも影響されます。 体心立方格子(bcc)、面心立方格子(fcc)、六方格子 (hcp) は、磁気モーメントが隣接する電子スピンに反応するため、それぞれ異なるキュリー温度を持ちます。fcc と hcp は構造がより密であるため、磁気モーメントが互いに近いほど強い影響を及ぼし、結果として bcc よりもキュリー温度が高くなります。[ 38 ]これは配位数として知られており、構造内の最も近い隣接粒子の数です。これは、材料の表面ではバルクよりも配位数が低いことを示しており、温度がキュリー温度に近づくと表面の重要性が低下します。より小さなシステムでは、表面の配位数がより重要になり、磁気モーメントがシステムに強い影響を与えます。[ 38 ]
粒子のゆらぎはごくわずかですが、隣接する粒子と相互作用するため、結晶格子の構造に大きく依存します。また、平行に向き合う磁気モーメントが好まれるため、擾乱や無秩序が少なくなり、交換相互作用[ 48 ]によってもゆらぎは影響を受けます。そのため、より密な構造はより強い磁性をもたらし、キュリー温度が高くなります。
圧力は物質のキュリー温度を変化させる。結晶格子への圧力が増加すると、系の体積が減少する。圧力は粒子の運動エネルギーに直接影響を与え、運動が増加すると振動によって磁気モーメントの秩序が乱れる。これは温度と同様で、温度も粒子の運動エネルギーを増加させ、磁気モーメントと磁性の秩序を破壊する。[ 49 ]
圧力は状態密度(DOS)にも影響します。[ 49 ]ここでは DOS が減少し、システムで使用可能な電子の数が減少します。これにより、電子スピンに依存する磁気モーメントの数が減少します。このため、キュリー温度は低下すると予想されますが、実際には上昇します。これは交換相互作用の結果です。交換相互作用は、電子が時間的に同じ空間を占めることができないため、整列した平行磁気モーメントを優先します[ 18 ]。体積の減少によりこれが増加するため、圧力とともにキュリー温度が上昇します。キュリー温度は、運動エネルギーと DOS の依存性の組み合わせで構成されています。[ 49 ]
粒子の濃度も圧力が加えられたときのキュリー温度に影響を与え、濃度が一定の割合を超えるとキュリー温度が低下する可能性がある。[ 49 ]
軌道秩序は物質のキュリー温度を変化させます。軌道秩序は印加された歪みによって制御できます。[ 50 ]これは、物質内部の単一電子または対になった電子の波動を決定する関数です。電子が存在する確率を制御することで、キュリー温度を変化させることができます。たとえば、結晶格子内の印加された歪みによって、非局在化電子を同じ平面上に移動させることができます。 [ 50 ]
キュリー温度は、電子が同一平面上に密集することで大きく上昇することがわかっています。電子は交換相互作用によって整列を強いられ、その結果、磁気モーメントの強度が増し、低温での熱的無秩序が防止されます。
強磁性体や常磁性体と同様に、キュリー温度( T C )という用語は、強誘電体が常誘電体に相転移する温度にも適用されます。したがって、T Cは、強誘電体が一次または二次相転移を起こして自発分極を失う温度です。二次相転移の場合、誘電率の最大値を定義するキュリーワイス温度T 0はキュリー温度と等しくなります。ただし、一次相転移の場合、キュリー温度はT 0より 10 K 高くなることがあります。 [ 51 ]
材料は、対応する転移温度T 0より低い温度でのみ強誘電性を示す。[ 53 ]強誘電性材料はすべて焦電性であり、構造が非対称であるため自発的な電気分極を有する。
強誘電体材料の分極はヒステリシス(図4)の影響を受けます。つまり、分極は過去の状態と現在の状態の両方に依存します。電場が印加されると、双極子は強制的に整列し、分極が生成されます。電場が除去されると、分極は残ります。ヒステリシスループは温度に依存し、その結果、温度が上昇してT 0に達すると、誘電分極(図5)に示すように、2つの曲線が1つの曲線になります。[ 54 ]
キュリー・ワイスの法則の修正版は、比誘電率としても知られる誘電率に適用されます。[ 51 ] [ 55 ]
熱誘起強磁性-常磁性転移は、磁気光学記憶媒体において、データの消去と新規データの書き込みに利用されている。有名な例としては、ソニーのミニディスク形式や、現在では廃止されたCD-MO形式などがある。キュリー点電磁石は、高速増殖炉の受動安全システムの作動機構として提案され、試験されている。このシステムでは、作動機構が材料のキュリー点を超えて加熱されると、制御棒が炉心に落下する。[ 56 ]その他の用途としては、はんだごての温度制御[ 57 ]や、タコメータ発電機の磁場を温度変化に対して安定させる[ 58 ]などがある。
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