生産 天然のNV中心はダイヤモンド結晶内でランダムな方向に配向している。イオン注入 技術により、あらかじめ決められた位置に人工的にNV中心を生成することが可能になる[ 14 ] 。
窒素空孔中心は、通常、単一置換窒素中心(ダイヤモンド文献ではCまたはP1中心と呼ばれる)を照射し、700 ℃以上の温度でアニーリングすることによって生成されます。[ 15 ] 電子、陽子、中性子、イオン、ガンマ光子など、幅広い高エネルギー粒子がこのような照射に適しています。照射により、NV中心の一部である格子空孔が生成されます。これらの空孔は室温では不動であり、移動させるにはアニーリングが必要です。単一置換窒素はダイヤモンド格子に歪みを生じさせます。[ 16 ] そのため、移動する空孔を効率的に捕捉し、[ 17 ] NV中心を生成します。
ダイヤモンド中の窒素空孔中心の生成には、いくつかのステップが必要となる場合がある。まず、イオン注入またはCVDデルタドーピングによって、窒素をダイヤモンド格子に導入する必要がある。次に、レーザー照射、イオン注入、または電子照射によって、空孔を導入する必要がある。あるいは、窒素導入ステップ中に空孔も導入することができる。最後に、高温アニーリングステップによってNV形成を促進することができる。[ 18 ] ダイヤモンドの化学気相成長 中、少量の単一置換型窒素不純物(通常 <0.5%)がプラズマ合成の結果として生成された空孔を捕捉します。このような窒素空孔中心は、成長方向に優先的に整列します。[ 19 ] [ 20 ] CVD成長中の窒素のデルタドーピングは、ダイヤモンド表面近くにNV中心の2次元集合体を作成し、センシング[ 21 ]やシミュレーション [ 22 ] を強化するために使用できます。
ダイヤモンドは、比較的大きな格子歪みを持つことで知られています。歪みは個々の中心からの光遷移を分裂させ、シフトさせ、中心の集合体において幅広い線を生じさせます。[ 15 ] [ 23 ] ほとんどの実験に必要な極めてシャープなNV線(線幅~10 MHz)[ 24 ] を生成するために特別な注意が払われています。高品質の天然(IIa型)ダイヤモンドが選択されますが、合成ダイヤモンドが優先されます。それらの多くは、すでに成長したNV中心の十分な濃度を有しており、用途に適しています。そうでない場合は、高エネルギー粒子で照射され、アニールされます。特定の照射量を選択することで、生成されるNV中心の濃度を調整し、個々のNV中心がマイクロメートルほどの距離で分離されるようにすることができます。その後、個々のNV中心は、標準的な光学顕微鏡 、またはより優れたサブマイクロメートル分解能を持つ近接場走査型光学顕微鏡 で研究することができます。[ 25 ] [ 26 ]
構造 下の画像は、平面ショットキーダイオード に+20Vの電圧を印加する前後の空間フォトルミネッセンス(PL)マップです。上の画像は実験の概要を示しています。PLマップは、個々のNV0 中心が明るい点として現れるNV−中心に 変換されることを明らかにしています。 [ 27 ] 窒素空孔中心は、ダイヤモンド格子 における点欠陥である。これは、炭素原子を置換した窒素原子と 格子空孔 の最近接原子対から構成される。
この欠陥には、中性のNV 0 と負のNV − という2つの電荷状態が存在する。NV 0 中心は、外部電圧によってフェルミ準位の 位置を変えることでNV − に変換できる( § 正味電荷 を参照)。[ 27 ]
一方、中性状態は一般的に量子技術には使用されません。NV−状態 は一般的に、やや不正確に「窒素空孔中心」と呼ばれています。他方、このシステムの現代的で詳細な構造的理解は、理論的考察と、常磁性NV0状態に関する最近の 電子共鳴 (EPR)[ 28 ] [ 29 ] [ 30 ] および光検出磁気共鳴 (ODMR)研究[ 25 ] に由来しています。[ 注1 ] このシステムの一般的な構造を記述するために使用される 他の分光法には 、光吸収 [ 15 ] [ 31 ] およびフォトルミネッセンス (PL)[ 32 ] が含まれます。
中性NV₀では、 窒素原子は5つの価電子 を持つ。そのうち3つは隣接する格子炭素原子と共有結合して おり、残りの2つは非結合の孤立電子対 として残る。
空孔には3つの価電子が存在する。そのうち2つは準共有結合を形成し、1つは不対電子として残る。しかし、全体の対称性は軸対称(三方晶系C3V ) であり、これは3つの不対電子が量子重ね合わせ の中で役割を絶えず交換している様子を想像することで視覚化できる。
負電荷状態 NV − では、余分な電子が空孔サイトに位置し、空孔電子の 1 つとスピン S=1 のペアを形成します。したがって、NV − 中心には合計 6 つの電子があります。空孔からの 3 つ、窒素原子からの 2 つ、および負電荷を与える余分な 1 つです。この余分な電子は、| 3 A⟩ の形のスピン三重項基底状態と | 3 E⟩の形の励起状態を誘起します。[ 33 ] これらのスピン三重項の間には、一重項として現れることが多い追加の準安定状態 が存在します。[ 34 ] NV 0 と同様に、空孔電子は全体的な三方対称性を維持します。
NV中心の概略的なエネルギー準位構造。基底状態3A と励起状態3E 間の電子遷移は、1.945 eV(637 nm)の差で、吸収と発光を生じさせる。3A状態は2.87 GHz [ 35 ] [ 36 ] 、3E 状態は1.42 GHz [ 37 ] の分裂を持つ。0 、±1はスピン量子数m s を示し、軌道縮退による分裂は示されていない。
エネルギーレベル NV中心には、基底状態の三重項( 3A )、励起状態の三重項( 3E )、および2つの中間状態の一重項( 1A と1E )があります。[ 38 ] [ 39 ] 3A と3E の両方には、2つの電子スピンが整列している(上向きでm s = +1、または下向きでm s = -1)スピン状態m s = ±1と、電子スピンが反平行であるスピン状態m s = 0が含まれています。磁気相互作用により、m s = ±1状態のエネルギーはm s = 0状態のエネルギーよりも高くなります。1Aと1Eには、それぞれ m s = 0のスピン状態一重項のみが含まれています。[ 注 2 ]
後述するように、環境の多くの特性が、システムの状態の正確なエネルギーレベルと個体数に影響を与える。
静磁場 の振幅と向きによって、基底状態と励起状態におけるm s = ±1 の準位が分裂する。 弾性 (歪み)場または電場 の振幅と方向[ 40 ] [ 41 ] は、さまざまなレベルに対してはるかに小さいが、より複雑な影響を及ぼします。連続波マイクロ波放射(m s = 0 と(いずれかの)m s = ±1 状態間の遷移に共鳴して印加される)は、基底状態および励起状態内の副準位の占有率を変化させる。[ 41 ] 波長可変レーザーは、 基底状態および励起状態の特定のサブレベルを選択的に励起することができる。[ 41 ] [ 42 ] 周囲のスピンとスピン軌道相互作用は、NV中心が受ける磁場を変化させる。 温度と圧力は、基底状態と励起状態間のシフトなど、スペクトルのさまざまな部分に影響を与える。
電磁結合 NV中心のハミルトニアンダイナミクスは、電磁場との相互作用の以下の和によって非常に良く近似さ れる 。
ハミルトニアンの各項は、適切な条件下で測定することができる。[ 43 ]
光学特性 室温におけるNV−中心の 光吸収および発光。 NV中心は、可視の緑色光(3A → 3E遷移)で非共鳴励起されると、明るい赤色光(3E → 3A遷移)を発します。 これは 、アルゴン レーザーや クリプトンレーザー 、周波数倍増Nd:YAGレーザー、色素レーザー 、He-Neレーザー などの便利な光源で行うことができます。励起は、ゼロフォノン放出エネルギー よりも低いエネルギーでも実現できます。[ 44 ]
3 E 励起状態の放射寿命はNV - では約 10 ns 、NV 0 では約 20 ns である。[ 45 ] [ 46 ] [ 47 ] 室温では、NV 中心の光スペクトルは熱による広がりのため鋭いピークを示さない。しかし、液体窒素 または液体ヘリウム で NV 中心を冷却すると、線幅が数 MHz に劇的に狭まる。低温では、ゼロフォノン線 (ZPL) を特に扱うことも可能になる。
個々のNV中心からの発光の重要な特性は、その高い時間的安定性です。多くの単分子発光体は10⁶〜10⁸ 個 の光子を放出するとブリーチング(つまり電荷状態が変化して暗くなる)しますが、NV中心は室温ではブリーチングを起こしにくいです。[ 48 ] [ 26 ] ただし、強力なレーザー照射によって、一部のNV⁻中心がNV⁰中心に変換されることも あり ます。[ 32 ]
これらの特性から、NV中心を解析する理想的な手法は、室温および低温の両方において共焦点顕微鏡法である。
状態操作 温度 [ 6 ] と圧力 [ 49 ] はNV中心のゼロ磁場項に直接影響を与え、基底状態と励起状態レベル間のシフトを引き起こします。
ダイヤモンド中のNV中心におけるスピンダイナミクス。[ 50 ] 基底状態と励起状態の三重項間の主要な遷移はスピン保存的である。中間一重項を経由した崩壊は、スピンをm s = ±1からm s = 0に変換することによりスピン偏極を生じさせる。吸収波長と発光波長の両方が示されている[ 51 ]。 これは、ストークスシフト により異なるためである。[ 52 ] [ 53 ] さらに、欠陥軸に沿った静磁場B 0の影響と、それに伴う ゼーマンシフト が示されている。ここで、γ nvはNV中心の 磁気回転比 を指す。多くのアプリケーションでは、基底状態の2つのレベルが量子ビットとして使用される。[ 54 ] この有効な2レベルシステム における遷移は、マイクロ波場を使用して誘起することができる。3 E- 1 Aと1 E- 3 Aは非放射遷移である。
放射遷移と非放射遷移 光遷移は全スピンを保持し、全スピンが同じ準位間でのみ起こる必要があります。具体的には、基底状態と励起状態(スピンが等しい)間の遷移は、波長546 nmの緑色レーザーを用いて誘起できます。遷移3 E→ 1 Aと1 E→ 3 Aは非放射遷移ですが、1 A→ 1 Eは非放射遷移と赤外線崩壊の両方の経路を持ちます。
3 E と1 Aの間の非放射遷移は、m s = ±1 の場合は強く、m s = 0 の場合は弱くなります。この非対称性により、光スピン偏極が可能になり、[ 55 ] 量子情報処理 または量子センシングのために量子ビット の量子状態が初期化されます。このプロセスを理解するために、まず、すべての遷移よりも高い周波数 (通常 2.32 eV (532 nm)) を持ち、振動子励起を介して 各遷移と結合する非共鳴励起を考えます。この波長のパルスは、すべてのスピン状態を3 E に励起します 。1 Aへの遷移はm s = 0の場合は弱いため、スピンゼロ状態は3 A に放射されます。しかし、m s = ±1 の状態は、多くの場合、非放射的に1 A に崩壊し、その時点でシステムは am s = 0 状態になります。1 Aからのさらなる崩壊はm s = 0を維持する傾向があり、多くのサイクルの後、システムは高い確率でm s = 0 の基底状態になります。[ 56 ]
正味料金 ゲート電圧を印加することで、NV中心の電荷状態(NV − 、NV + 、NV 0の間)を切り替えることも可能です。 [ 69 ] ゲート電圧は、ダイヤモンド表面のフェルミ準位 を電気的にシフトさせ、表面バンドの曲がりを変化させます。ゲート電圧を変化させると、個々の中心は未知の非蛍光状態から中性電荷状態NV 0 に切り替えることができます。中心の集合は、NV 0 から量子ビット状態NV − に遷移できます。ダイヤモンド表面の終端も、表面近傍のNV中心の電荷状態に影響を与えます。酸素終端は、表面伝導率を低下させ、バンドの曲がりを緩和することでNV −状態を安定化させることが知られています。 [ 70 ] これにより、電荷状態の安定性とコヒーレンスが向上します。同様に、窒素終端も表面特性に影響を与え、特定のセンシング用途向けにNV中心を最適化できます。
光励起法は、電荷状態の操作にも役割を果たします。特定の波長の光照射により、電荷状態間の遷移を誘発することができます。1064 nm の近赤外光は、 NV 0 を NV − に変換し、フォトルミネッセンスを増強することが示されています。[ 71 ] さらに、NV + 中心は、エネルギーを持つ光子によってNV 0 に切り替えることができることが実証されています。≥ {\displaystyle \geq } 1.23 eV。[ 72 ]
アプリケーション NV中心を用いた走査型熱顕微鏡法 :(a)実験装置の概略図。AFMカンチレバー (リン のアームに電流を流し、 先端部(真性 Si、i -Si)を加熱する。下部のレンズは緑色レーザー光でダイヤモンドナノ結晶を励起し、フォトルミネッセンス(PL)を収集する。この結晶はNV中心を宿しており、AFMチップに取り付けられている。試料表面のワイヤはマイクロ波源(mw)として機能する。カンチレバーの温度Th は、印加電流と電圧から決定される。 (b)3つの温度におけるNV中心のODMRスペクトル。線分裂は、約1 mTの印加磁場に起因する。 (c)サファイア 上の金文字Eの熱伝導率 。白い円は、AFMトポグラフィーと相関しない特徴を示す。(d)ダイヤモンドナノ結晶が明るいスポットとして現れるAFMカンチレバーの先端とチップのPL画像。 (e) dのNV中心の拡大PL画像。 [ 73 ] NVエネルギー構造は、ダイヤモンドや他の半導体の欠陥としては決して特別なものではありません。[ 74 ] NV中心を量子ビット や量子センサー として使用することを提案したのは、この構造だけではなく、いくつかの好ましい要因(以前の知識、製造の容易さ、生体適合性、簡単な初期化、室温での使用など)の組み合わせでした。
NV中心は、第2領域に近づくほど非常に長いスピンコヒーレンス時間を持つことができる。 [ 75 ] これは、量子センシング [ 76 ] や量子通信 [ 77 ] の応用において有利である。これらの応用において不利なのは、NV中心の長い放射寿命(約12 ns [ 78 ] [ 79 ] )と、その発光スペクトルにおける強いフォノンサイドバンドである。これらの問題はどちらも、NV中心を光共振器 内に置くことで解決できる。[ 80 ]
NV− 中心からの光信号のスペクトル形状と強度は、温度、歪み、電場、磁場などの外部摂動に敏感です。しかし、NV−信号をシャープにするためにダイヤモンドを極低温まで冷却する必要があるため、スペクトル形状を使用してこれらの摂動を検出することは実用的ではありません。より 現実的なアプローチは、発光強度(線形形状ではなく)を使用することです。発光強度は、基底状態レベルの分裂に一致するマイクロ波周波数をダイヤモンドに印加すると、鋭い共鳴を示します。結果として得られる光学的に検出される磁気共鳴信号は、室温でもシャープであり、小型センサーに使用できます。このようなセンサーは、100秒間の平均化後、キロヘルツ周波数で数ナノテスラの磁場[ 81 ] または約10 V/cmの電場[ 82 ] を検出できます。この感度により、 NV− 中心から数十ナノメートル離れた位置にある単一の電子によって生成される磁場または電場を検出できます。
同じメカニズムを用いて、NV−中心は 走査型熱顕微鏡で温度と 熱伝導率 の高解像度空間マップを測定するために使用された(図を 参照)。[ 73 ]
NV中心は磁場に敏感であるため、空間的に変化する磁場を測定したり、デバイス内の局所電流を推測したりすることによって、さまざまな凝縮物質現象を研究するための走査プローブ測定に積極的に使用されています。[ 83 ] [ 84 ] [ 85 ] [ 86 ] [ 87 ]
NV− 中心のもう1つの可能な用途は、結晶バルク内の完全な機械的応力テンソルを測定するための検出器としてです。この用途では、ゼロフォノン線の応力誘起分裂とその偏光特性が利用されます。[ 88 ] 電子スピン依存フォトルミネッセンスを使用した堅牢な周波数変調ラジオ受信機は、350 ℃まで動作し、極限条件下での使用の可能性を示しています。 [ 89 ]
量子光学アプリケーションに加えて、NV−中心からの発光は、 生細胞内の流体の流れなどの生物学的プロセスをイメージングするために使用できます。[ 90 ] [ 91 ] このアプリケーションは、ダイヤモンドナノ粒子と生細胞との良好な適合性、およびNV− 中心からのフォトルミネッセンスの好ましい特性(強い強度、容易な励起と検出、時間的安定性など)に依存しています。大きな単結晶ダイヤモンドと比較して、ナノダイヤモンドは安価(1グラムあたり約1米ドル)で、さまざまなサプライヤーから入手できます。NV−中心は、上記で説明した標準的な照射とアニーリングプロセスを使用して、サブマイクロメートルサイズの粒子サイズのダイヤモンド粉末で生成されます。ナノダイヤモンドのサイズが比較的小さいため、NV中心は、100 nm以下のナノダイヤモンドに中エネルギーのH+ビームを照射することによって生成できます。 この方法は、必要なイオン線量と反応を低減し、通常の実験室で蛍光ナノダイヤモンドを大量生産することを可能にします。[ 92 ] このような方法で製造された蛍光ナノダイヤモンドは明るく光安定性があり、生細胞内の単一粒子の長期的な三次元追跡に最適です。[ 93 ] これらのナノダイヤモンドを細胞内に導入し、標準的な蛍光顕微鏡 を使用してその発光をモニタリングします。[ 94 ]
NV−中心からの誘導放出は実証されている が 、それはZPLからではなく、フォノンサイドバンド(つまり広帯域光)からのみ達成可能である。この目的のためには、中心を約650 nmより長い波長で励起する必要がある。高エネルギー励起は中心をイオン化するからである。[ 95 ]
最初の連続波室温メーザーが実証されました。[ 96 ] [ 97 ] これは、高パーセル因子 マイクロ波共振器内に保持された532 nm励起NV−中心と4300 Gの外部磁場を使用しました。 連続メーザー発振により、約9.2 GHzのコヒーレント信号が生成されました。
中間準安定状態1A と1Eは 、基底状態枯渇(GSD)顕微鏡法 を実現する上で重要な役割を果たしている。[ 34 ]
NV− 中心の集合体の微視的モデルとほとんどの光学的特性は、一軸応力と組み合わせた光学的測定[ 15 ] と電子常磁性共鳴[28][29]に基づいて1970年代に確固として確立されました。しかし 、EPR 結果 のわずか なエラー(NV − EPR信号を観測するには照明が必要であると仮定されていた)により、エネルギー準位構造の多重度の割り当てが誤っていました。1991年に、EPRは照明なしでも観測できることが示され[ 30 ] 、上記のエネルギー準位図が確立されました。励起状態の磁気分裂はごく最近になって測定されました[ 37 ] 。
単一NV− 中心の特性評価は、今日では非常に競争の激しい分野となっており、最も権威のある科学誌に数十もの論文が掲載されている。最初の結果の1つは1997年に報告された。[ 25 ] その論文では、単一NV− 中心の蛍光は室温蛍光顕微鏡で検出でき、欠陥は完全な光安定性を示すことが実証された。また、NV中心の優れた特性の1つである、室温での光検出磁気共鳴も実証された。
多大な努力にもかかわらず、NV 0からの 電子常磁性共鳴信号は、2008 年まで数十年間検出されませんでした。NV 0 欠陥を EPR で検出可能な励起状態にするには光励起が必要であり、基底状態からの信号は EPR 検出には広すぎると考えられます。[ 98 ]
注記 ↑ いくつかの理論的研究では、このシステムを分子として扱い、原子軌道の線形結合 (LCAO)アプローチを使用して分子軌道 を構築しようと試みている。 ↑ 群論の結果は、ダイヤモンド結晶の対称性、ひいてはNV自体の対称性を考慮するために使用されます。続いて、エネルギー準位は群論に従ってラベル付けされ、特に、C 3V 対称群の 既約表現 A 1 、 A 2 、および Eにちなんでラベル付けされます。 3 A 2 および3 E の「3」と 1 A 1 および1 Eの「1」は、許容されるm s スピン状態の数、つまりスピン多重度を表し、- Sから S までので、合計 2 S +1 個の可能な状態があります。 S = 1の場合、 m s は -1、0、または 1 になります。
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