ヘテロ接合は、異なる半導体の 2 つの層または領域間のインターフェイスです。これらの半導体材料は、ホモ接合とは対照的に、不等なバンドギャップを持っています。半導体レーザー、太陽電池、トランジスタなど、多くの固体デバイス アプリケーションでは、電子エネルギー バンドを設計することが有利になることがよくあります。デバイス内で複数のヘテロ接合を組み合わせたものをヘテロ構造と呼びますが、この 2 つの用語は通常同じ意味で使用されます。各材料が不等なバンドギャップを持つ半導体であるという要件は、特に電子特性が空間特性に依存する小さな長さスケールでは、いくぶん緩いものです。ヘテロ接合のより現代的な定義は、金属、絶縁体、高速イオン伝導体、半導体材料の結晶構造とアモルファス構造を含む、2 つの固体材料間のインターフェイスです。
製造と応用
ヘテロ接合の製造には、通常、分子線エピタキシー(MBE)[1]または化学気相成長(CVD)技術を使用して、堆積の厚さを正確に制御し、きれいに格子整合した急峻な界面を作成する必要があります。最近研究されている代替法は、層状材料を機械的に積み重ねてファンデルワールスヘテロ構造を形成することです。[2]
ヘテロ接合は高価であるにもかかわらず、その独自の特性が重要となるさまざまな特殊な用途で使用されています。
- 太陽電池:一部の太陽電池構造では、結晶シリコン基板(バンドギャップ 1.1 eV)とアモルファスシリコン薄膜(バンドギャップ 1.7 eV)の界面を介してヘテロ接合が形成されます。 [3]ヘテロ接合は、p-n接合と同様の方法で電荷キャリアを分離するために使用されます。真性薄膜ヘテロ接合(HIT)太陽電池構造は、1983年に初めて開発され、 [4]三洋電機/パナソニックによって商品化されました。HIT太陽電池は現在、変換効率26.7%で、最も効率的な単接合シリコン太陽電池の記録を保持しています。[1] [5] [6]
- レーザー:レーザーにおけるヘテロ接合の使用は、この分野の著名な科学者であるハーバート・クローマーがヘテロ構造によって反転分布が大幅に強化される可能性があることを示唆した1963年に初めて提案されました[7]。 GaAsのようなより小さな直接バンドギャップ材料をAlAsのような2つのより大きなバンドギャップ層の間に組み込むことで、キャリアを閉じ込めることができるため、低い閾値電流で室温でレーザー発振が可能になります。 ヘテロ構造製造の材料科学がクローマーのアイデアに追いつくまでに何年もかかりましたが、現在では業界標準となっています。 その後、量子井戸ヘテロ構造の量子サイズ効果を利用することでバンドギャップを制御できることが発見されました。 さらに、ヘテロ構造は、界面で発生するインデックスステップへの導波路として使用できるため、半導体レーザーで使用する際のもう1つの大きな利点です。CDおよびDVDプレーヤーや光ファイバートランシーバーに使用される半導体ダイオードレーザーは、さまざまなIII-VおよびII-VI化合物半導体の交互層を使用して製造され、レーザーヘテロ構造を形成します。
- バイポーラ トランジスタ: ヘテロ接合をバイポーラ接合トランジスタのベース エミッタ接合として使用すると、非常に高い順方向ゲインと低い逆方向ゲインが得られます。これは、非常に優れた高周波動作 (数十から数百 GHz の値) と低いリーク電流につながります。このデバイスは、ヘテロ接合バイポーラ トランジスタ(HBT)と呼ばれます。
- 電界効果トランジスタ: ヘテロ接合は、非常に高い周波数 (500 GHz 以上) で動作できる高電子移動度トランジスタ(HEMT) で使用されます。適切なドーピングプロファイルとバンド アライメントにより、散乱がほとんど発生しないドーパントのない領域内に2 次元電子ガスが生成され、非常に高い電子移動度が実現します。
触媒作用:ヘテロ接合を光触媒として使用すると、CO2の光還元、H2の生成、水中の汚染物質の光分解において、単一の金属酸化物よりも優れた性能を発揮することが実証されています。 [ 8]ヘテロ接合の性能は、酸素空孔の組み込み、結晶ファセットエンジニアリング、または炭素質材料の組み込みによってさらに向上させることができます。
エネルギーバンドのアライメント


半導体接合の挙動は、界面におけるエネルギーバンドの配列に大きく依存します。半導体界面は、図に示すように、またがるギャップ(タイプI)、交互に並んだギャップ(タイプII)、または破断したギャップ(タイプIII)の3種類のヘテロ接合に分類できます。 [9]接合から離れた場所では、ポアソン方程式を解く通常の手順に基づいてバンドの曲がりを計算できます。
バンドの配置を予測するためのさまざまなモデルが存在します。
- 最も単純な(そして最も正確でない)モデルはアンダーソンの法則であり、これは真空半導体界面の特性(特に真空電子親和力)に基づいてバンドの配置を予測する。主な制限は化学結合を無視していることである。
- 共通アニオン則が提案されました。これは、価電子帯がアニオン状態に関連しているため、同じアニオンを持つ材料は価電子帯オフセットが非常に小さいはずであると推測するものです。ただし、これはデータを説明するものではありませんが、異なるアニオンを持つ 2 つの材料は伝導帯オフセットよりも価電子帯オフセットが大きい傾向があるという傾向に関連しています。
- Tersoff [10]は、伝導帯オフセットがショットキー障壁の高さの差によって与えられる、より一般的な金属-半導体接合に基づいたギャップ状態モデルを提案した。このモデルには、2つの半導体間の界面に、一方の材料の伝導帯からもう一方の材料のギャップへの電子トンネルによって生じる双極子層が含まれる(金属誘起ギャップ状態に類似)。このモデルは、 GaAs / AlGaAsなどの両方の材料が密接に格子整合しているシステムとよく一致する[11]。
- 60:40ルールは、半導体GaAsと合金半導体Al x Ga 1− x Asの接合の特定のケースにおける経験則です。Al x Ga 1− x As側のxが0から1に変化すると、比率は60/40の値を維持する傾向があります。比較のために、アンダーソンのルールはGaAs/AlAs接合(x =1)を予測します。[12] [13]
バンドオフセットを測定する典型的な方法は、発光スペクトル中の励起子エネルギーを測定して計算することです。[13]
有効質量の不一致
2 つの異なる半導体によってヘテロ接合が形成されると、バンド構造の違いにより量子井戸を作製することができます。実現された量子井戸内の静的エネルギー レベルを計算するには、ヘテロ接合全体の有効質量の変化または不一致を理解することが重要です。ヘテロ接合で定義される量子井戸は、幅 の有限の井戸ポテンシャルとして扱うことができます。さらに、1966 年に Conley ら[14]と BenDaniel と Duke [15]は、量子井戸内のエンベロープ関数の境界条件、つまり BenDaniel–Duke 境界条件を報告しました。彼らによると、作製された量子井戸内のエンベロープ関数は、とが両方とも界面領域で連続する という境界条件を満たしている必要があります。
幅が で中心が 0 の有限井戸に対するシュレーディンガー方程式を使用すると、達成される量子井戸の方程式は次のように表すことができます。
上記の方程式の解は、kと[16]が異なる(修正された)場合にのみよく知られている。
- 。
z =偶数パリティ解は次のように得られる。
- 。
(5)を導関数として両辺に掛けると
- 。
(6)を(5)で割ると、偶数パリティ解関数が得られる。
- 。
同様に、奇数パリティ解の場合、
- 。
数値解については、(7)と(8)の導関数をとると、
偶数パリティ:
奇数パリティ:
どこ。
物質間の有効質量の差により、基底状態エネルギーの差が大きくなります。
ナノスケールヘテロ接合
量子ドットでは、量子サイズ効果により、バンドエネルギーは結晶サイズに依存します。これにより、ナノスケールヘテロ構造でのバンドオフセットエンジニアリングが可能になります。同じ材料を使用して、関与する結晶のサイズまたは厚さを変更することで、たとえば、またがる型(タイプ I)から千鳥型(タイプ II)に接合のタイプを変更することが可能です [17]。最も一般的なナノスケールヘテロ構造システムは、またがるギャップ(タイプ I)オフセットを持つCdSe上のZnS (CdSe@ZnS) です。このシステムでは、はるかに大きいバンドギャップのZnS が蛍光CdSe コアの表面を不動態化し、それによって発光の量子効率が向上します。さらに、バンドギャップが大きいことからわかるように、ZnS シェル内の結合が強くなるため、熱安定性が向上するという追加のボーナスもあります。CdSe と ZnS はどちらも閃亜鉛鉱結晶相で成長し、格子整合が近いため、コアシェル成長が好まれます。他のシステムや異なる成長条件下では、右の図のような 異方性構造を成長させることが可能になる場合があります。
これらの構造における伝導帯間の電荷移動の原動力は、伝導帯オフセットである。[18 ] Robelら[18]は、 TiO 2上に成長したCdSeナノ結晶のサイズを小さくすることで、より高いCdSe伝導帯からTiO 2への電子の移動が速くなることを発見した。CdSeでは、価電子帯よりも有効質量が小さいため、伝導帯での量子サイズ効果がはるかに顕著であり、これはほとんどの半導体に当てはまる。その結果、伝導帯オフセットの設計は、通常、ナノスケールヘテロ接合でははるかに容易になる。互い違いの(タイプII)オフセットナノスケールヘテロ接合では、接合の片側に正孔の最低エネルギー状態があり、反対側に電子の最低エネルギー状態があるため、光誘起電荷分離が発生する可能性があります。異方性の互い違いギャップ(タイプII)ナノスケールヘテロ接合は、光触媒、特に太陽エネルギーによる水分解に使用できることが示唆されている[18]。
参照
参考文献
- ^ ab Smith, CG (1996). 「低次元量子デバイス」. Rep. Prog. Phys. 59 (1996) 235282, pg 244.
- ^ ゲイム、アラスカ州;グリゴリエヴァ、IV (2013)。 「ファンデルワールスヘテロ構造」。自然。499 (7459): 419–425。arXiv : 1307.6718。土井:10.1038/nature12385. ISSN 0028-0836。PMID 23887427。S2CID 205234832 。
- ^ Leu, Sylvère; Sontag, Detlef (2020)、Shah, Arvind (ed.)、「結晶シリコン太陽電池:ヘテロ接合セル」、太陽電池とモジュール、vol. 301、Cham:Springer International Publishing、pp. 163–195、doi:10.1007/978-3-030-46487-5_7、ISBN 978-3-030-46485-1、 2023-04-18取得
- ^ 奥田 浩二; 岡本 宏明; 浜川 義弘 (1983). 「12%以上の変換効率を有するアモルファスSi/多結晶Si積層型太陽電池」.応用物理学会誌. 22 (9): L605–L607. Bibcode :1983JaJAP..22L.605O. doi :10.1143/JJAP.22.L605. S2CID 121569675.
- ^ 山本 健司; 吉川 訓太; 宇津 久志; 足立 大輔 (2018). 「高効率ヘテロ接合結晶Si太陽電池」.応用物理学会誌. 57 (8S3): 08RB20. Bibcode :2018JaJAP..57hRB20Y. doi :10.7567/JJAP.57.08RB20. S2CID 125265042.
- ^ 「HJT - ヘテロ接合太陽電池」。太陽光発電パネル。2022年3月25日閲覧。
- ^ Kroemer, H. (1963). 「ヘテロ接合注入レーザーの提案クラス」. Proceedings of the IEEE . 51 (12): 1782–1783. doi :10.1109/PROC.1963.2706.
- ^ Ortiz-Quiñonez, Jose-Luis; Pal, Umapada (2024年10月). 「光触媒CO2還元における界面工学金属酸化物ヘテロ接合ナノ構造:進歩と展望」.配位化学レビュー. 516 : 215967. doi : 10.1016/j.ccr.2024.215967 .
- ^ Ihn, Thomas (2010). 「ch. 5.1 バンドエンジニアリング」.半導体ナノ構造量子状態と電子輸送. アメリカ合衆国: オックスフォード大学出版局. pp. 66. ISBN 9780199534432。
- ^ J. Tersoff (1984). 「半導体ヘテロ接合の理論: 量子双極子の役割」. Physical Review B. 30 ( 8): 4874–4877. Bibcode :1984PhRvB..30.4874T. doi :10.1103/PhysRevB.30.4874.
- ^ Pallab, Bhattacharya (1997)、半導体オプトエレクトロニクスデバイス、Prentice Hall、ISBN 0-13-495656-7
- ^ 安達貞雄 (1993-01-01). アルミニウムガリウムヒ素の特性. ISBN 9780852965580。
- ^ ab Debbar, N.; Biswas, Dipankar; Bhattacharya, Pallab (1989). 「深準位過渡分光法による擬似格子InxGa1-xAs/Al0.2Ga0.8As量子井戸(0.07≤x≤0.18)の伝導帯オフセットの測定」. Physical Review B. 40 ( 2): 1058–1063. Bibcode :1989PhRvB..40.1058D. doi :10.1103/PhysRevB.40.1058. PMID 9991928.
- ^ Conley, J.; Duke, C.; Mahan, G.; Tiemann, J. (1966). 「金属–半導体障壁における電子トンネリング」. Physical Review . 150 (2): 466. Bibcode :1966PhRv..150..466C. doi :10.1103/PhysRev.150.466.
- ^ Bendaniel, D.; Duke, C. (1966). 「電子トンネル効果に対する空間電荷効果」. Physical Review . 152 (2): 683. Bibcode :1966PhRv..152..683B. doi :10.1103/PhysRev.152.683.
- ^グリフィス、デイビッド・J. ( 2004)。量子力学入門(第2版)。プレンティス・ホール。ISBN 0-13-111892-7
- ^ Ivanov, Sergei A.; Piryatinski, Andrei; Nanda, Jagjit; Tretiak, Sergei; Zavadil, Kevin R.; Wallace, William O.; Werder, Don; Klimov, Victor I. (2007). 「タイプ II コア/シェル CdS/ZnSe ナノ結晶: 合成、電子構造、分光特性」. Journal of the American Chemical Society . 129 (38): 11708–19. doi :10.1021/ja068351m. PMID 17727285.
- ^ abc Robel, István; Kuno, Masaru; Kamat, Prashant V. (2007). 「励起され たCdSe 量子ドットから TiO2 ナノ粒子へのサイズ依存電子注入」アメリカ化学会誌。129 (14): 4136–7. doi :10.1021/ja070099a. PMID 17373799.
さらに読む
- バスタード、ジェラルド(1991)。半導体ヘテロ構造への波動力学の応用。Wiley - Interscience。ISBN 978-0-470-21708-5。
- Feucht, D. Lion; Milnes, AG (1970).ヘテロ接合と金属-半導体接合.ニューヨーク市およびロンドン: Academic Press .、ISBN 0-12-498050-3。応用面ではやや古い参考書ですが、ヘテロ接合デバイスの基本原理の優れた入門書です。
- R. Tsu; F. Zypman (1990). 「共鳴トンネル効果の物理学における新たな知見」.表面科学. 228 (1–3): 418. Bibcode :1990SurSc.228..418T. doi :10.1016/0039-6028(90)90341-5.
- Kurhekar, Anil Sudhakar (2018)。「熱アニーリングによりヘテロ接合ダイオードの電気特性が向上」。再生可能エネルギー研究教育国際会議 (Rere-2018) 。AIP 会議議事録。Vol. 1992。p. 040027。Bibcode :2018AIPC.1992d0027K。doi :10.1063/1.5047992。
