アルミニウムガリウムヒ素

アルミニウムガリウムヒ素（ガリウムアルミニウムヒ素とも呼ばれる）（Al _x Ga _1−x As）は、GaAsとほぼ同じ格子定数を持つが、バンドギャップが大きい半導体材料である。上記の式のxは0から1の間の数値であり、これはGaAsとAlAsの任意の合金を示す。

化学式AlGaAsは、特定の比率を表すものではなく、上記の略式と考えるべきです。

バンドギャップは1.42 eV（GaAs）から2.16 eV（AlAs）の間で変化する。x < 0.4の場合、バンドギャップは直接遷移である。

屈折率はクラマース・クローニッヒの関係式によってバンドギャップと関連付けられ、2.9 (x = 1) から 3.5 (x = 0) の間で変化します。これにより、 VCSEL、RCLED、および基板転写結晶コーティングで使用されるブラッグミラーを作製することが可能になります。

アルミニウムガリウムヒ素は、GaAsベースのヘテロ構造デバイスにおいてバリア材料として使用される。AlGaAs層は電子をガリウムヒ素領域に閉じ込める。このようなデバイスの一例として、量子井戸型赤外線光検出器（QWIP）が挙げられる。

これは、 GaAsベースの赤色および近赤外線発光（700～1100  nm）ダブルヘテロ構造レーザーダイオードで一般的に使用されています。

AlGaAsの毒性については十分に調査されていません。粉塵は皮膚、目、肺に刺激を与えます。アルミニウムガリウムヒ素源（トリメチルガリウムやアルシンなど）の環境、健康、安全面、および標準的なMOVPE源の産業衛生モニタリング研究については、最近のレビューで報告されています。^{[ 1 ]}

• 「Al _x Ga _1−x As」。イオッフェ データベース。サンクトペテルブルク: FTI im. AFイオッフェ、ラン。