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ホモ接合は、類似の半導体材料の層間に発生する半導体界面です。 [ 1 ]これらの材料はバンドギャップは同じですが、通常はドーピングが異なります。ほとんどの実用的なケースでは、ホモ接合はシリコンなどのn型（ドナー添加）半導体とp型（アクセプター添加）半導体の間の界面に発生し、これはp-n接合と呼ばれます。
これは必須条件ではありません。唯一の要件は、ヘテロ接合とは異なり、接合部の両側に同じ半導体（同じバンドギャップ）が存在することです。例えば、n型半導体同士の接合は、ドーピング濃度が異なっていても、ホモ接合とみなされます。
ドーピング濃度の違いによりバンドが曲がり、右図に示すように界面に空乏層が形成される。
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