ビナップ

ビナップ
名前
	推奨されるIUPAC名 ([1,1′-ビナフタレン]-2,2′-ジイル)ビス(ジフェニルホスファン)
	その他の名前ビナップ
識別子
CAS番号	76189-55-4 (ル) ; 76189-56-5 (ス) ;
3Dモデル（JSmol）	(Rac):インタラクティブ画像;
チェムBL	番号:;
ケムスパイダー	551072 (ラック) ;
ECHA 情報カード	100.114.880
EC番号	616-304-7 619-338-0 616-305-2 918-620-3;
パブケム CID	634876 (+);
ユニ	4F1X2F8NA3 (右) ; OX12238KWH (ス) ;
CompTox ダッシュボード ( EPA )	DTXSID40913327;
	InChI InChI=1S/C44H32P2/c1-5-19-35(20-6-1)45(36-21-7-2-8-22-36)41-31-29-33-17-13-15- 27-39(33)4 3(41)44-40-28-16-14-18-34(40)30-32-42(44)46(37-23-9-3-10-24-37)38-25-11- 4-12-26-38/h1-32H キー: MUALRAIOVNYAIW-UHFFFAOYSA-N ;
	笑顔 (ラック): c1ccc(cc1)P(c2ccccc2)c3ccc4ccccc4c3c5c6ccccc6ccc5P(c7ccccc7)c8ccccc8;
プロパティ
化学式	炭素44水素32リン2
モル質量	622.688 グラムモル−1
外観	無色の固体
融点	239～241℃（462～466℉、512～514K）（R）; 238～240℃（S）
水への溶解度	有機溶剤
危険
	GHSラベル:
ピクトグラム
シグナルワード	警告
危険有害性情報	H315、H319、H335、H413
注意事項	P261、P264、P271、P273、P280、P302 + P352 、 P304 + P340、P305 + P351 + P338、P312、P321、P332 + P313、P337 + P313、P362、P403 + P233、P405、P501
	特に記載がない限り、データは標準状態（25 °C [77 °F]、100 kPa）の材料に関するものです。確認する（何ですか？）インフォボックス参照

BINAP（2,2′-ビス（ジフェニルホスフィノ）-1,1′-ビナフチル）は有機リン化合物である。このキラルなジホスフィン配位子は不斉合成に広く使用されている。これは、1位と1′位で結合した2-ジフェニルホスフィノナフチル基のペアからなる。このC ₂対称フレームワークには立体原子がないが、回転が制限されるため軸性キラリティーがある（アトロプ異性）。ナフチル環を結合する結合の回転を制限する立体障害のためにラセミ化の障壁は高い。ナフチル基間の二面角は約90°である。自然なバイト角は93°である。^[1]

不斉触媒における配位子としての使用

BINAPは、ルテニウム、ロジウム、パラジウムの錯体によって触媒される有機合成において、エナンチオ選択的変換に使用されます。^[2]野依良治とその同僚によって開発されたように、BINAPのロジウム錯体は、(–)-メントールの合成に有用です。^[3]^[4]

銀錯体も重要であり、BINAP- AgFはシリルエノールエーテルをエナンチオ選択的にプロトン化するために使用できる。^[5]

その後の研究で、芳香族面間の二面角がより狭い関連ジホスフィンがよりエナンチオ選択的な触媒を与えることが明らかになった。そのような配位子の1つがSEGPHOSである。^[6]

準備

BINAPはBINOL ^[7]^[8]からビストリフラート誘導体を経て製造される。( R )-および( S )-エナンチオマー、ならびにラセミ体は市販されている。幅広い用途の1つに、BINAPがロジウムと共役した化学選択的水素化がある。

さらに読む

Berthod, Mikaël; Mignani, Gérard; Woodward, Gary; Lemaire, Marc (2005). 「修正 BINAP: その方法と理由」. Chemical Reviews . 105 (5): 1801–1836. doi :10.1021/cr040652w. PMID 15884790.
Genet, Jean-Pierre; Ayad, Tahar; Ratovelomanana-Vidal, Virginie (2014). 「電子不足ジホスフィン: 不斉触媒におけるジフルオロホスフィンの影響」. Chemical Reviews . 114 (5): 2824–2880. doi :10.1021/cr4003243. PMID 24517862.
コチョフスキー、パベル。ヴィスコチル、シュチェパン;スムルチナ、マーティン (2003)。「エナンチオ選択的触媒における非対称置換 1,1'-ビナフチル」。化学レビュー。103 (8): 3213–3246。土井：10.1021/cr9900230。PMID 12914496。
Zhang , Zhenfeng ; Butt, Nicholas A.; Zhang, Wanbin (2016). 「非芳香族環状基質の不斉水素化」。Chemical Reviews。116 ( 23): 14769–14827。doi :10.1021/acs.chemrev.6b00564。PMID 27960269 。
Clevenger, Andrew L.; Stolley, Ryan M.; Aderibigbe, Justis; Louie, Janis (2020). 「ニッケル触媒における配位子としての二座ホスフィンの使用傾向」。Chemical Reviews . 120 (13): 6124–6196. doi :10.1021/acs.chemrev.9b00682. PMID 32491839. S2CID 219311508.

参考文献

^ Birkholz (née Gensow), Mandy-Nicole; Freixa, Zoraida; van Leeuwen, Piet WNM (2009). 「C–C および C–X 結合形成クロスカップリング反応におけるジホスフィンの噛み込み角の影響」.化学協会レビュー. 38 (4): 1099–1118. doi :10.1039/B806211K. PMID 19421583.
^ 北村正人; 徳永正人; 大熊剛志; 野依良治 (1998). 「BINAP-ルテニウム錯体を用いた3-オキソカルボキシレートの不斉水素化」. Org. Synth. 9 : 589.
^ 芥川誠 (1992). 「Rh-BINAP触媒による(−)-メントールの実用的合成」Chirality Ind. : 313–323.
^ 雲林秀典;さよ、のぼる。芥川進。坂口敏明鶴田春樹（1997）。「金属-BINAP触媒を使用した工業的不斉合成」。日本科学会誌。12 (12): 835–846。土井：10.1246/nikkashi.1997.835。
^ 柳沢明; 峠太一郎; 荒井孝好 (2005). 「Binap⋅AgF錯体触媒によるシリルエノラートのエナンチオ選択的プロトン化」. Angewandte Chemie International Edition . 44 (10): 1546–8. doi :10.1002/anie.200462325. PMID 15645475.
^ 清水浩、長崎郁、松村健、佐用暢、斎藤哲也 (2007). 「産業的観点から見た不斉水素化の発展」Acc. Chem. Res. 40 (12): 1385–1393. doi :10.1021/ar700101x. PMID 17685581.
^ 「BINAP: 製造への産業的アプローチ」(PDF) . Rhodia . 2008年10月20日閲覧。
^ 蔡、東偉; JF パヤック。 DRベンダー。 DLヒューズ; TR バーホーベン; PJ ライダー (1999)。「(R)-(+)- および (S)-(-)-2,2'-ビス(ジフェニルホスフィノ)-1,1'-ビナフチル (BINAP)」。有機合成。76：6。

[vanLeeuwen-1] Birkholz (née Gensow), Mandy-Nicole; Freixa, Zoraida; van Leeuwen, Piet WNM (2009). 「C–C および C–X 結合形成クロスカップリング反応におけるジホスフィンの噛み込み角の影響」.化学協会レビュー. 38 (4): 1099–1118. doi :10.1039/B806211K. PMID 19421583.

[2] 北村正人; 徳永正人; 大熊剛志; 野依良治 (1998). 「BINAP-ルテニウム錯体を用いた3-オキソカルボキシレートの不斉水素化」. Org. Synth. 9 : 589.

[3] 芥川誠 (1992). 「Rh-BINAP触媒による(−)-メントールの実用的合成」Chirality Ind. : 313–323.

[4] 雲林秀典;さよ、のぼる。芥川進。坂口敏明鶴田春樹（1997）。「金属-BINAP触媒を使用した工業的不斉合成」。日本科学会誌。12 (12): 835–846。土井：10.1246/nikkashi.1997.835。

[5] 柳沢明; 峠太一郎; 荒井孝好 (2005). 「Binap⋅AgF錯体触媒によるシリルエノラートのエナンチオ選択的プロトン化」. Angewandte Chemie International Edition . 44 (10): 1546–8. doi :10.1002/anie.200462325. PMID 15645475.

[6] 清水浩、長崎郁、松村健、佐用暢、斎藤哲也 (2007). 「産業的観点から見た不斉水素化の発展」Acc. Chem. Res. 40 (12): 1385–1393. doi :10.1021/ar700101x. PMID 17685581.

[7] 「BINAP: 製造への産業的アプローチ」(PDF) . Rhodia . 2008年10月20日閲覧。

[8] 蔡、東偉; JF パヤック。 DRベンダー。 DLヒューズ; TR バーホーベン; PJ ライダー (1999)。「(R)-(+)- および (S)-(-)-2,2'-ビス(ジフェニルホスフィノ)-1,1'-ビナフチル (BINAP)」。有機合成。76：6。