テルル化スズ

テルル化スズ^[1]
名前
	IUPAC名テルル化スズ
	その他の名前テルル化スズ(II)、テルル化スズ
識別子
CAS番号	12040-02-7 ;
3Dモデル（JSmol）	インタラクティブ画像;
ECHA 情報カード	100.031.728
パブケム CID	6432000;
CompTox ダッシュボード ( EPA )	ＤＴＸＳＩＤ４０８９４８４４;
	InChI InChI=1S/Sn.Te;
	笑顔 [Sn]=[Te];
プロパティ
化学式	スンテ
モル質量	246.31 グラム/モル
外観	灰色の立方晶
密度	6.445 g/cm3 [
融点	790 °C (1,450 °F; 1,060 K)
バンドギャップ	0.18eV
電子移動度	500 cm 2 V −1 s −1
構造
結晶構造	岩塩（立方晶系）、cF 8
空間群	Fm 3 m、No. 225
格子定数	a = 0.63nm
座標幾何学	八面体 (Sn 2+ ); 八面体 (Se 2− )
熱化学
熱容量 ( C )	185 J K −1 kg −1
関連化合物
その他の陰イオン	酸化スズ(II); 硫化スズ(II); セレン化スズ
その他の陽イオン	炭素モノテルル化物; ケイ素モノテルル化物; ゲルマニウムテルル化物; 鉛テルル化物
	特に記載がない限り、データは標準状態（25 °C [77 °F]、100 kPa）の材料に関するものです。確認する（何ですか？）インフォボックス参照

スズテルル化物はスズとテルルの化合物(SnTe) で、IV-VI狭バンドギャップ半導体であり、直接バンドギャップは 0.18 eV です。鉛と合金化して鉛スズテルル化物を作ることが多く、赤外線検出器の材料として使用されます。

テルル化スズは通常、スズの空孔によりp型半導体（外因性半導体）を形成し、低温超伝導体である。^[4]

SnTe は 3 つの結晶相で存在します。低温では、ホールキャリアの濃度が 1.5x10 ²⁰ cm ⁻³未満であり、テルル化スズは菱面体晶相で存在し、α-SnTe としても知られています。室温および大気圧では、テルル化スズは NaCl のような立方晶相で存在し、β-SnTe としても知られています。一方、18 kbar の圧力では、β-SnTe は γ-SnTe、斜方晶相、空間群Pnma に変換されます。^[5]この相変化は、γ-SnTe の密度が 11 パーセント増加し、抵抗が 360 パーセント増加するという特徴があります。^[6]

テルル化スズは熱電材料である。理論的研究によれば、n型の性能が特に優れている可能性がある。^[7]

熱特性

標準生成エンタルピー: 298 Kで - 14.6 ± 0.3 kcal/モル
標準昇華エンタルピー: 298 Kで52.1 ± 1.4 kcal/モル
熱容量: 12.1 + 2.1 x 10 ⁻³ T cal/deg
SnTe(g)-> Sn(g)+ Te(g)反応の結合解離エネルギー: 298 Kで80.6 ± 1.5 kcal/モル
エントロピー: 24.2±0.1 cal/mole.deg
_{Sn 2} Te ₂ ->2SnTe(g)反応の二量化エンタルピー:46.9 ± 6.0 kcal/モル^[8]

アプリケーション

一般的にPbはSnTeと合金化され、興味深い光学的・電子的特性を獲得します。さらに、量子閉じ込めの結果として、SnTeのバンドギャップはバルクバンドギャップを超えて増加し、中赤外波長範囲をカバーします。合金化された材料は、中赤外光検出器 ^[9]や熱電発電機^[10]に使用されています。

参考文献

^ ライド、デビッド・R.（1998）、化学と物理学のハンドブック（87版）、ボカラトン、フロリダ州：CRCプレス、pp.4-90、ISBN 978-0-8493-0594-8
^ ビーティー、AG、J.Appl.Phys.、40、4818–4821、1969年。
^ O. マデルング、U. レスラー、M. シュルツ;スプリンガー材料; sm_lbs_978-3-540-31360-1_859 (Springer-Verlag GmbH、ハイデルベルク、1998)、http://materials.springer.com/lb/docs/sm_lbs_978-3-540-31360-1_859;
^ Hein, R.; Meijer, P. (1969). 「超伝導SnTeの臨界磁場」. Physical Review . 179 (2): 497. Bibcode :1969PhRv..179..497H. doi :10.1103/PhysRev.179.497.
^ 「テルル化スズ（Sn Te ）結晶構造、格子定数」。非四面体結合元素および二元化合物 I。ランドルト・ベルンシュタイン - III 族凝縮物質。第 41C 巻。1998 年。pp. 1–8。doi : 10.1007/10681727_862。ISBN 978-3-540-64583-2。
^ Kafalas, JA; Mariano, AN, スズテルル化物の高圧相転移。サイエンス 1964, 143 (3609), 952-952
^ Singh, DJ (2010). 「ボルツマン輸送計算によるSnTeの熱起電力」.機能材料レター. 03 (4): 223–226. arXiv : 1006.4151 . doi :10.1142/S1793604710001299. S2CID 119223416.
^ Colin, R.; Drowart, J., 質量分析計を用いたセレン化スズおよびテルル化スズの熱力学的研究。ファラデー協会誌 1964, 60 (0), 673-683, DOI: 10.1039/TF9646000673。
^ Lovett, DR 半金属と狭バンドギャップ半導体; Pion Limited: ロンドン、1977年; 第7章。
^ Das, VD; Bahulayan, C., 1%過剰TeドープPb 0.2 Sn 0.8 Te薄膜の電気輸送特性と熱電性能指数の厚さによる変化。半導体科学技術1995年、10(12)、1638。

外部リンク

ベルリン熱物性データベース
Web要素ページ
ランドルト・バーンシュタイン物質/SnTe 指数
テルル化スズの赤外線反射率

[hand-1] ライド、デビッド・R.（1998）、化学と物理学のハンドブック（87版）、ボカラトン、フロリダ州：CRCプレス、pp.4-90、ISBN 978-0-8493-0594-8

[2] ビーティー、AG、J.Appl.Phys.、40、4818–4821、1969年。

[test-3] O. マデルング、U. レスラー、M. シュルツ;スプリンガー材料; sm_lbs_978-3-540-31360-1_859 (Springer-Verlag GmbH、ハイデルベルク、1998)、http://materials.springer.com/lb/docs/sm_lbs_978-3-540-31360-1_859;

[4] Hein, R.; Meijer, P. (1969). 「超伝導SnTeの臨界磁場」. Physical Review . 179 (2): 497. Bibcode :1969PhRv..179..497H. doi :10.1103/PhysRev.179.497.

[5] 「テルル化スズ（Sn Te ）結晶構造、格子定数」。非四面体結合元素および二元化合物 I。ランドルト・ベルンシュタイン - III 族凝縮物質。第 41C 巻。1998 年。pp. 1–8。doi : 10.1007/10681727_862。ISBN 978-3-540-64583-2。

[6] Kafalas, JA; Mariano, AN, スズテルル化物の高圧相転移。サイエンス 1964, 143 (3609), 952-952

[7] Singh, DJ (2010). 「ボルツマン輸送計算によるSnTeの熱起電力」.機能材料レター. 03 (4): 223–226. arXiv : 1006.4151 . doi :10.1142/S1793604710001299. S2CID 119223416.

[8] Colin, R.; Drowart, J., 質量分析計を用いたセレン化スズおよびテルル化スズの熱力学的研究。ファラデー協会誌 1964, 60 (0), 673-683, DOI: 10.1039/TF9646000673。

[9] Lovett, DR 半金属と狭バンドギャップ半導体; Pion Limited: ロンドン、1977年; 第7章。

[10] Das, VD; Bahulayan, C., 1%過剰TeドープPb 0.2 Sn 0.8 Te薄膜の電気輸送特性と熱電性能指数の厚さによる変化。半導体科学技術1995年、10(12)、1638。