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| 名前 | |
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| IUPAC名
インジウム(III)ヒ素
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| その他の名前
インジウムヒ素
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| 識別子 | |
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3Dモデル（JSmol）
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| ケムスパイダー |
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| ECHA 情報カード | 100.013.742 |
パブケム CID
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| ユニ |
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CompTox ダッシュボード ( EPA )
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| プロパティ | |
| インジウムヒ素 | |
| モル質量 | 189.740 グラム/モル |
| 密度 | 5.67 g/cm3 [ 1] |
| 融点 | 942 °C (1,728 °F; 1,215 K)942 [1] |
| バンドギャップ | 0.354 eV (300 K) |
| 電子移動度 | 40000 cm 2 /(V*s) |
| 熱伝導率 | 0.27 W/(cm*K) (300 K) |
屈折率( n D )
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4 [2] |
| 構造 | |
| 閃亜鉛鉱 | |
6.0583Å
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| 熱化学[3] | |
熱容量 ( C )
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47.8 J·モル−1 ·K −1 |
標準モル
エントロピー ( S ⦵ 298 ) |
75.7 J·モル−1 ·K −1 |
標準生成エンタルピー (Δ f H ⦵ 298 ) |
-58.6 kJ·モル−1 |
ギブスの自由エネルギー (Δ f G ⦵ )
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-53.6 kJ·モル−1 |
| 危険 | |
| GHSラベル: | |
  [4]
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| 危険[4] | |
| H301、H331 [4] | |
| P261、P301+P310、P304+P340、P311、P405、P501 [4] | |
| NFPA 704 (ファイアダイヤモンド) | |
| 安全データシート（SDS） | 外部SDS |
| 関連化合物 | |
その他の陰イオン
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窒化インジウム リン化 インジウム アンチモン 化インジウム |
その他の陽イオン
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ガリウムヒ素 |
特に記載がない限り、データは標準状態（25 °C [77 °F]、100 kPa）の材料に関するものです。
 確認する （何ですか ？）
 インフォボックス参照
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インジウムヒ素（InAs）またはインジウム一ヒ素は、インジウムとヒ素からなる狭バンドギャップ半導体である。外観は灰色の立方晶で、融点は942℃である。[5]
インジウムヒ素はガリウムヒ素と特性が似ており、室温でのバンドギャップが 0.35 eV の 直接バンドギャップ材料です。
インジウムヒ素は、波長範囲 1.0～3.8 μm の赤外線検出器の製造に使用されます。検出器は通常、光起電性フォトダイオードです。極低温冷却検出器はノイズが低くなりますが、InAs 検出器は室温でも高出力アプリケーションに使用できます。インジウムヒ素はダイオード レーザーの製造にも使用されます。
InAs は、高い電子移動度と狭いエネルギーバンドギャップでよく知られています。強力なフォトデンバー放射体であるため、テラヘルツ放射源として広く使用されています。
量子ドットは、インジウムリンまたはガリウムヒ素上のインジウムヒ素の単層で形成されます。材料の格子定数の不一致により表面層に張力が生じ、それが量子ドットの形成につながります。 [6]量子ドットは、ガリウムヒ素マトリックス内に位置するインジウムヒ素ドットとして、インジウムガリウムヒ素でも形成されます。
参考文献
- ^ ヘインズ、p.4.66より
- ^ ヘインズ、12.157ページ
- ^ ヘインズ、5.22ページ
- ^ abcd 「インジウムヒ素」。American Elements 。 2018年10月12日閲覧。
- ^ 「インジウムヒ素（InAs）の熱特性」。2011年11月22日閲覧。
- ^ 「oe magazine - eye on technology」。2006年10月18日時点のオリジナルよりアーカイブ。2011年11月22日閲覧。
引用元
- ヘインズ、ウィリアムM.編 (2016)。CRC化学・物理ハンドブック(第 97 版) 。CRC プレス。ISBN 9781498754293。
外部リンク
- Ioffe 研究所データ アーカイブ エントリ
- ONR Web サイトの InAs に関する National Compound Semiconductor Roadmap エントリ