フォトデンバー効果

半導体 物理学において、光デンバー効果（発見者のハリー・デンバーにちなんで名付けられた^{[1] ）は、}電荷キャリアの超高速光生成後に半導体表面の近くに電荷双極子が形成されることである。^{[2] [3] [4]}双極子は、正孔と電子の移動度（または拡散定数）の差によって形成され、表面によってもたらされる対称性の破れと相まって、表面に垂直な方向で効果的な電荷分離につながる。電流の巨視的流れが禁止されている孤立したサンプルでは、​​デンバー場と呼ばれる電場によって、高速キャリア（多くの場合電子）は減速され、低速キャリア（多くの場合正孔）は加速される。

光デンバー効果の主な応用の 1 つは、テラヘルツ時間領域分光法のためのテラヘルツ (THz) 放射パルスの生成です。この効果はほとんどの半導体に存在しますが、InAs ^{[2] [3]}やInSb ^[4]などのナローギャップ半導体(主にヒ化物とアンチモン化物) では、電子移動度が高いため特に強くなります。光デンバー テラヘルツ放射を表面電界放射と混同しないでください。表面電界放射は、半導体の表面エネルギー バンドが価電子帯と伝導帯の間にある場合に発生し、フェルミ レベル ピン止めと呼ばれる現象を生み出します。これにより、バンド ベンディングが発生し、その結果、表面近くに空乏層または蓄積層が形成され、電荷キャリアの加速に寄与します。^[2]これらの 2 つの効果は、バンド ベンディングの方向に応じて、 双極子形成に建設的または破壊的に寄与する可能性があります。

• 光電気化学プロセス