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| セメント質過剰症 | |
|---|---|
| 専門 | 歯科 |
セメント質過剰症は、1本以上の歯の根に正常なセメント質（石灰化した組織）が過剰に蓄積する特発性の非腫瘍性疾患です。 [1]セメント質の層が厚くなると、歯が大きく見えることがあります。これは主に歯の根尖または歯根端で発生します。細胞性セメント質は歯根の下半分で機能し、歯を顎のソケットに固定し、歯髄を保護し、外部の歯根吸収を修復するセメント細胞を含んでいます。[2]
兆候と症状
歯に不快感を感じ、続いてうずくような痛みを感じる。[3]セメント質の量が多すぎると、歯周靭帯や隣接する歯に圧力がかかる可能性がある。影響を受けた歯は無症状の場合もある。[4]診断を確定するために、 レントゲン写真で各根尖に放射線不透過性の（またはより明るい）腫瘤として示される場合がある。
原因
外傷やパジェット病などの発達障害は、上顎領域のセメント質肥大を発症する可能性が高い可能性がある。[5]
地域要因:
システム的要因:
これは、全身性セメント質増殖症という形で現れる 骨パジェット病の合併症の 1 つである可能性があります。
また、咬合歯の高さを増やすことは、摩耗に対する代償メカニズムである可能性もあります。
病態生理学
研究により、ENPP1およびGACI遺伝子の変異がセメント質過剰症の発症に寄与している可能性が示唆されている。[6] ENPP1の機能喪失は、セメント質過剰症の患者と直接関連する乳児の全身動脈石灰化( GACI)を引き起こした。 [7] ENPP1が阻害される と、ハイドロキシアパタイト結晶の形成を阻止することで骨の石灰化を制御するピロリン酸( PPi ) が不足する。[8] PPi は、歯肉下領域などの不適切な領域での結晶形成を自然に阻害する。 [8] PPiの制御が失われると、歯の下 3 分の 1 にセメント質が過剰に沈着する可能性がある。[8 ]
診断
根尖レントゲン写真では、歯根近傍の放射線不透過構造を特定することができます。これは、セメント質過形成症の場合、密な骨島または根尖骨異形成として現れることがあります。 [9]罹患歯の大部分は、セメント質過形成がさまざまな重症度で拡散しているため、棍棒状になります。そのほとんどは、根の根尖3分の1に現れます。[10]
合併症
このような沈着物は根に球根状の肥大を形成し、特に隣接する歯が癒合（癒着）した場合に抜歯の妨げとなる可能性がある。また、根尖孔を介した血液供給を遮断することで歯髄壊死を引き起こすこともある。[11]影響を受けた歯は、隣接する歯や組織に合併症を引き起こさない限り、必ずしも治療を必要としない。
疫学
セメント質過剰症は成人に多く見られ、加齢とともに増加します。[6]影響を受ける歯は下顎の乳臼歯、続いて下顎と上顎の二次小臼歯ですが、どの歯も影響を受ける可能性があります。[6]特定の人種が主に影響を受けるわけではありませんが、パジェット病や先端巨大症など骨ホルモンレベルに影響を与える病気を持つ人はセメント質過剰症を発症する可能性が高くなります。[6]
処理
歯に症状がない場合は治療は必要ありませんが、周囲の歯が影響を受ける可能性を減らすために、セメント質過剰症の進行を監視することが重要です。[6]セメント質過剰症の影響を受けた歯に痛みがある場合は、抜歯または歯内治療が必要になる場合があります。根管治療中にセメント質が過剰に蓄積すると根尖限界の判定が困難になる可能性があるため、リスク評価を考慮する必要があります。[12]根管治療が適切に行われている限り、予後は通常の歯と同じです。[12]
最近の研究
最近の研究では、「歯は道具」という仮説が提唱されており、初期の人類は前歯を食事以外の目的で使用していた可能性があると示唆しています。[13]このように過度の機械的力が使用されると、セメント質の生成が刺激され、歯の安定性が向上します。[13]研究では、ネアンデルタール人が世界のさまざまな課題にどのように適応したかを知る手がかりとなる可能性のある咬合と汚染の種類に焦点を当てています。
参考文献
- ^ L ネピア・ソウザ、S モンテイロ・リマ・ジュニオール、FJ ガルシア・サントス・ピメンタ、AC ロドリゲス・アントゥネス・ソウザ、R サンティアゴ・ゴメス。 「非定型高セメント症対セメント芽腫」。 dmfr.birjournals.org 。2009 年 9 月 8 日に取得。
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- ^ Lam, Ernest WN (2014-01-01)、White, Stuart C.、Pharoah, Michael J. (編)、「第31章 - 歯の異常」、Oral Radiology (第7版)、セントルイス (MO): Mosby、pp. 582–611、ISBN 978-0-323-09633-1、 2024-11-06取得
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