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| 名前 | |||
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| IUPAC名
ジシラン
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3Dモデル（JSmol）
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| チェビ |
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| ケムスパイダー |
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| ECHA 情報カード | 100.014.970 | ||
| 368 | |||
パブケム CID
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| ユニ |
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CompTox ダッシュボード ( EPA )
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| プロパティ | |||
| ケイ素2H6 | |||
| モル質量 | 62.218 グラムモル−1 | ||
| 外観 | 無色のガス | ||
| 密度 | 2.7 g/dm −3 | ||
| 融点 | −132 °C (−206 °F; 141 K) | ||
| 沸点 | −14 °C (7 °F; 259 K) | ||
| 反応[1] | |||
| 蒸気圧 | 25℃で2940.2±0.0 mmHg [2] | ||
| 共役酸 | ジシラニウム | ||
| 構造 | |||
| 0 日 | |||
| 危険 | |||
| 労働安全衛生（OHS/OSH）： | |||
主な危険
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非常に可燃性 | ||
| 関連化合物 | |||
関連するジシラン
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ヘキサメチルジシラン | ||
関連化合物
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特に記載がない限り、データは標準状態（25 °C [77 °F]、100 kPa）の材料に関するものです。
 確認する （何ですか ？）
 インフォボックス参照
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ジシランは、一般化学式Si 2 R 6の化合物で、1902 年にアンリ・モアッサンとサミュエル・スマイルズ (1877–1953) によって初めて特定されました (R = H)。モアッサンとスマイルズは、金属シリサイドに対する希酸の作用によって生成される生成物の中にジシランがあると報告しました。これらの反応は1857 年から 1858 年にかけてフリードリヒ・ヴェーラーとハインリヒ・バフによって以前に調査されていましたが、モアッサンとスマイルズが初めてジシランを明確に特定しました。彼らはジシランをシリコエタンと呼びました。これらの反応で生成される同族系列Si n H 2 n +2のより高級なメンバーは、その後カール・ソミエスキー (「カール・ソミエスキー」と綴られることもある) とアルフレッド・ストックによって特定されました。
標準温度および圧力では、ジシランは無色の刺激臭のあるガスです。ジシランとエタンは構造が似ていますが、ジシランの方がはるかに反応性があります。一般式Si 2 X 6 (X =水素、ハロゲン、アルキル、アリール、およびこれらのグループの混合物) の他の化合物はジシランと呼ばれます。ジシランは14 族の水素化物です。
合成
ジシランは通常、ケイ化マグネシウムの加水分解によって製造されます。この反応では、シラン、ジシラン、さらにはトリシランが生成されます。この方法はシランの製造には使用されなくなりましたが、ジシランの生成には依然として有効です。[3]微量のジシランの存在は、この方法による加水分解で生成されたシランの自然発火性の原因です（同様に、ジホスフィンはホスフィンサンプル中の自然発火性汚染物質であることが多いです）。
また、光化学的[4]とシランの熱分解の両方を介して熱分解ジシランによっても生成されます。
Si 2 Cl 6をリチウムアルミニウムヒドリドで還元すると、適度な収率でジシランが得られる。[5]
アプリケーションと反応
ジシランとシランは640℃前後で熱分解し、アモルファスシリコンを堆積します。この化学気相成長法は、太陽光発電装置の製造に関連しています。[3]特にシリコンウェーハの製造に利用されています。[6]
より一般的には、ジオルガノシランは、例えば シランクロリドの還元カップリングによって生成される。
- 2 (CH 3 ) 3 SiCl + 2 Na → (CH 3 ) 3 Si−Si(CH 3 ) 3 + 2 NaCl
ジシランガスは、SiCの熱分解によるグラフェン成長の過程でSi蒸気の圧力を制御するために使用することができます。Si蒸気の圧力は、生成されるグラフェンの品質に影響を与えます。[7]
参考文献
- ^ ジョン・ランブル（2018年6月18日）。CRC化学物理ハンドブック（第99版）。CRCプレス。pp.4–47。ISBN 978-1138561632。
- ^ 「ジシラン CAS番号:1590-87-0」。
- ^ ab Barry Arkles「シリコン化合物、シラン」、Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technology、John Wiley & Sons、ニューヨーク、1997年。DOI: doi :10.1002/0471238961.1909120101181112.a01。
- ^ 米国特許 4,604,274
- ^ PW Schenk「シラン」、Handbook of Preparative Inorganic Chemistry、第2版。G. Brauer編集、Academic Press、1963年、NY。第1巻、680ページ。
- ^ ジシラン 2004年9月27日アーカイブ、Wayback Machine
- ^ Mishra, N., Boeckl, J., Motta, N. and Iacopi, F. (2016)、シリコンカーバイド上のグラフェン成長：レビュー。Phys. Status Solidi A、213：2277-2289。doi：10.1002/pssa.201600091（2280ページを参照）