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3Dモデル（JSmol）
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| ケムスパイダー |
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| ECHA 情報カード | 100.031.290 |
| EC番号 |
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パブケム CID
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| プロパティ | |
| ラジウムAlO3 | |
| モル質量 | 213.89グラム/モル |
| 外観 | 光学的に透明、黄褐色から茶色 |
| 臭い | 無臭 |
| 密度 | 6.52グラム/ cm3 |
| 融点 | 2,080 °C (3,780 °F; 2,350 K) |
| 25℃では鉱酸に不溶。H 3 PO 3 > 150℃で溶解[1] | |
特に記載がない限り、データは標準状態（25 °C [77 °F]、100 kPa）の材料に関するものです。
インフォボックス参照
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ランタンアルミネートは、化学式LaAlO 3（略してLAOとも呼ばれる）の無機化合物で、歪んだペロブスカイト構造を持つ光学的に透明なセラミック酸化物です。
プロパティ
結晶LaAlO 3は、相対誘電率が約25と比較的高い。LAOの結晶構造は、室温での擬立方格子定数が3.787オングストロームの菱面体歪んだペロブスカイトである[2]（ただし、ある情報源では格子定数は3.82であると主張している[3] ）。研磨された単結晶LAO表面には、肉眼で見える 双晶欠陥が見られる。
用途
エピタキシャル薄膜
LAO のエピタキシャル成長薄膜は、相関電子ヘテロ構造やデバイスにさまざまな用途で使用できます。LAO は、2 つの導電層間のエピタキシャル絶縁体として使用されることがあります。エピタキシャル LAO 膜は、いくつかの方法で成長させることができますが、最も一般的な方法はパルス レーザー堆積法(PLD) と分子線エピタキシー法(MBE) です。[引用が必要]
LAO-STOインターフェース
エピタキシャル LAO の最も重要かつ一般的な用途は、ランタンアルミネートとチタン酸ストロンチウムの界面です。2004 年に、4 つ以上の LAO ユニットセルをチタン酸ストロンチウム(SrTiO 3 、STO)上にエピタキシャル成長させると、その界面に導電性の 2 次元層が形成されることが発見されました。[4] LaAlO 3と SrTiO 3はそれぞれ非磁性絶縁体ですが、LaAlO 3 /SrTiO 3界面は導電性、[4]超伝導、[5]強磁性、[6]大きな負の面内磁気抵抗、[7]および巨大な永続光伝導を示します。[8]これらの特性が LaAlO 3 /SrTiO 3界面 でどのように現れるかの研究は、凝縮物質物理学の研究分野で成長しています。
基質
ランタンアルミネートの単結晶は、ペロブスカイトのエピタキシャル成長用基板として市販されており、[1] [9]、特に銅酸化物超伝導体用として利用されている。
非エピタキシャル薄膜
2000年代前半から中頃にかけて、ランタンアルミネートの薄膜は高誘電率誘電体の候補材料として考えられていました。その比誘電率は約25と魅力的でしたが、関連する温度（約1000℃）ではシリコンとの接触が十分に安定していませんでした。 [10]
参照
参考文献
- ^ ab LaAlO3 の仕様はサプライヤー MTI Corp. から提供されています。2013-11-01 にWayback Machineでアーカイブされています。
- ^ "LaAlO3". MTI Corp. 2015年8月4日閲覧。
- ^ "LaAlO3". Crystec . 2015年8月3日閲覧。
- ^ ab Ohtomo; Hwang (2004年1月29日). 「LaAlO 3 /SrTiO 3ヘテロ界面における高移動度電子ガス」. Nature . 427 (6973): 423– 6. Bibcode :2004Natur.427..423O. doi :10.1038/nature02308. PMID 14749825. S2CID 4419873.
- ^ Gariglio, S; Reyren, N; Caviglia, AD; Triscone, JM (2009). 「LaAlO3/SrTiO3 界面における超伝導」(PDF) . Journal of Physics: Condensed Matter . 21 (16): 164213. Bibcode :2009JPCM...21p4213G. doi :10.1088/0953-8984/21/16/164213. ISSN 0953-8984. PMID 21825393. S2CID 41420637.
- ^ Bert、Kalisky、Bell、Kim、Hikita、Hwang、Moler (2011 年 9 月 4 日)。「LaAlO3/SrTiO3 界面における強磁性と超伝導の共存の直接イメージング」。Nature Physics . 7 (10): 767. arXiv : 1108.3150 . Bibcode :2011NatPh...7..767B. doi :10.1038/nphys2079. S2CID 10809252.
- ^ Ben Shalom、Sachs, Rakhmilevitch、Palevski, Dagan (2010 年 3 月 26 日)。「SrTiO 3 /LaAlO 3界面におけるスピン軌道結合 と超伝導の調整: 磁気輸送研究」。Physical Review Letters。104 (12): 126802。arXiv : 1001.0781。Bibcode : 2010PhRvL.104l6802B。doi : 10.1103/PhysRevLett.104.126802。PMID 20366556。S2CID 43174779 。
- ^ テバノ、アントネッロ; E・ファッブリ; D・ペルゴレージ。 Gバレストリーノ; E トラヴェルサ (2012 年 1 月 19 日)。 「SrTiO3/LaAlO3 ヘテロ構造における室温巨大永続光導電性」。ACSナノ。6 (2): 1278 – 1283。土井:10.1021/nn203991q。PMID 22260261。
- ^ サプライヤーSurfaceNetのLaAlO3仕様
- ^ P. Sivasubramani; et al. (2005). 「Si (001) と直接接触しているアモルファス LaAlO3 からの La と Al の拡散」(PDF) . Applied Physics Letters . 86 (20): 201901. Bibcode :2005ApPhL..86t1901S. doi :10.1063/1.1928316.