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| 名前 | |
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| IUPAC名
クロム(2+)シリサイド
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| 識別子 | |
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3Dモデル（JSmol）
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| ケムスパイダー |
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| ECHA 情報カード | 100.031.472 |
| EC番号 |
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パブケム CID
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CompTox ダッシュボード ( EPA )
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| プロパティ | |
| CrSi2クロム | |
| モル質量 | 108.167 グラム/モル |
| 外観 | 白い粉 |
| 臭い | 無臭 |
| 密度 | 4.91 g/cm3 [ 1] |
| 融点 | 1,490 °C (2,710 °F; 1,760 K) [1] |
| 不溶性の | |
| バンドギャップ | 0.35 eV（間接）[2] |
磁化率（χ）
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-0.5 × 10−6エミュー/グラム[3] |
| 構造[4] | |
| 六角形、hP9 | |
| P6 2 22、第180号 | |
a = 0.44268 nm、c = 0.63751 nm
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数式単位( Z )
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3 |
| 危険 | |
| NIOSH（米国健康暴露限界）： | |
PEL (許可)
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TWA 1 mg/m3 [ 5] |
REL (推奨)
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TWA 0.5 mg/m3 [ 5] |
IDLH（差し迫った危険）
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250 mg/m3 [ 5] |
| 関連化合物 | |
その他の陽イオン
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二ケイ化モリブデン 二ケイ化タングステン |
関連化合物
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クロム(IV)シリサイド |
特に記載がない限り、データは標準状態（25 °C [77 °F]、100 kPa）の材料に関するものです。
インフォボックス参照
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クロム(II)シリサイドまたはクロムジシリサイドは、クロムとシリコンの無機化合物です。化学式はCrSi 2です。間接バンドギャップが0.35 eVのp型熱電半導体です。 [2]
参考文献
- ^ ab Haynes, William M. 編 (2016). CRC 化学・物理ハンドブック(第 97 版). CRC Press . p. 4.57. ISBN 9781498754293。
- ^ ab Mattheiss, LF (1991). 「CrSi2および関連する耐火性二珪化物の電子構造」. Physical Review B. 43 ( 15): 12549–12555. Bibcode :1991PhRvB..4312549M. doi :10.1103/PhysRevB.43.12549. PMID 9997056.
- ^ 篠田大三郎、浅辺静雄 (1966). 「鉄族遷移元素の珪化物の磁気的性質」.日本物理学会誌. 21 (3): 555. Bibcode :1966JPSJ...21..555S. doi :10.1143/JPSJ.21.555.
- ^ エングストロム、イングヴァール;レンベルク、ベルティル (1988)。 「IV-VII族遷移金属二ケイ化物の熱膨張研究」。応用物理学ジャーナル。63 (9): 4476–4484。Bibcode :1988JAP....63.4476E。土井：10.1063/1.340168。
- ^ abc NIOSH 化学物質の危険性に関するポケットガイド。「#0141」。国立労働安全衛生研究所(NIOSH)。