| 名前 | |
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| 体系的なIUPAC名
テルル化水銀 | |
| その他の名前
テルル化水銀、テルル化水銀(II)
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| 識別子 | |
3Dモデル(JSmol)
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| ECHA 情報カード | 100.031.905 |
| EC番号 |
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パブケム CID
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CompTox ダッシュボード ( EPA )
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| プロパティ | |
| 水銀テルル | |
| モル質量 | 328.19グラム/モル |
| 外観 | ほぼ黒色の立方晶 |
| 密度 | 8.1グラム/ cm3 |
| 融点 | 670℃ |
| 構造 | |
| 閃亜鉛鉱、cF8 | |
| F 4 3m、No.216 | |
特に記載がない限り、データは標準状態(25 °C [77 °F]、100 kPa)の材料に関するものです。
インフォボックス参照
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テルル化水銀(HgTe) は、水銀とテルルの二元化合物です。半導体材料の II-VI グループに関連する半金属です。別名はテルル化水銀、テルル化水銀 (II) です。
HgTe は自然界ではコロラド石という鉱物として存在します。
物理的特性
特に記載がない限り、すべての特性は標準温度および圧力におけるものです。立方晶系の格子定数は約 0.646 nm です。体積弾性率は約 42.1 GPa です。熱膨張係数は約 5.2×10 −6 /K です。静的誘電率は 20.8、動的誘電率は 15.1 です。熱伝導率は 2.7 W·m 2 /(m·K)と低いです。HgTe 結合は弱いため、硬度は低くなります。硬度 2.7×10 7 kg/m 2。[1] [2] [3]
ドーピング
n型ドーピングは、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウムなどの元素で実現できます。ヨウ素と鉄もn型ドーピングを行います。HgTeは水銀空孔のため自然にp型になります。p型ドーピングは、亜鉛、銅、銀、金を導入することでも実現できます。[1] [2]
トポロジカル絶縁

テルル化水銀は2007年に発見された最初のトポロジカル絶縁体である。トポロジカル絶縁体はバルク内で電流を支えることはできないが、表面に閉じ込められた電子状態は電荷キャリアとして機能することができる。[5]
化学
HgTe結合は弱い。その生成エンタルピーは約-32kJ/molで、関連化合物であるテルル化カドミウムの値の3分の1以下である。HgTeは臭化水素酸などの酸によって容易にエッチングされる。[1] [2]
成長
バルク成長は、高い水銀蒸気圧の存在下で水銀とテルルの溶融物から行われます。HgTeは、スパッタリングや有機金属気相エピタキシーなどの方法でエピタキシャル成長させることもできます。[1] [2]
テルル化水銀ナノ粒子はテルル化カドミウムナノプレートからの陽イオン交換によって得ることができる。[6]
参照
参考文献
- ^ abcd Brice, J. および Capper, P. (編) (1987)水銀カドミウムテルル化物の特性、EMIS データレビュー、INSPEC、IEE、ロンドン、英国。
- ^ abcd Capper, P. (ed.) (1994)狭ギャップカドミウム系化合物の特性INSPEC、IEE、ロンドン、英国ISBN 0-85296-880-9
- ^ Boctor, NZ; Kullerud, G. (1986). 「水銀セレン化物の化学量論と水銀セレン系における相関係」. Journal of Solid State Chemistry . 62 (2): 177. Bibcode :1986JSSCh..62..177B. doi :10.1016/0022-4596(86)90229-X.
- ^ Spencer, Joseph; Nesbitt, John; Trewhitt, Harrison; Kashtiban, Reza; Bell, Gavin; Ivanov, Victor; Faulques, Eric; Smith, David (2014). 「単層カーボンナノチューブ内の約 1 nm HgTe 極端ナノワイヤの光遷移と振動エネルギーのラマン分光法」(PDF) . ACS Nano . 8 (9): 9044–52. doi :10.1021/nn5023632. PMID 25163005.
- ^ ケーニッヒ、M;ヴィードマン、S;ブリューネ、C;ロス、A;ブーマン、H;モーレンカンプ、LW。チー、XL;張、サウスカロライナ州 (2007)。 「HgTe量子井戸における量子スピンホール絶縁体状態」。科学。318 (5851): 766–770。arXiv : 0710.0582。Bibcode :2007Sci...318..766K。土井:10.1126/science.1148047。PMID 17885096。S2CID 8836690 。
- ^ Izquierdo, Eva; Robin, Adrien; Keuleyan, Sean; Lequeux, Nicolas; Lhuillier, Emmanuel; Ithurria, Sandrine (2016-08-12). 「狭帯域近赤外線エミッターとしての強く閉じ込められた HgTe 2D ナノプレートレット」。Journal of the American Chemical Society . 138 (33): 10496–10501. doi :10.1021/jacs.6b04429. ISSN 0002-7863. PMID 27487074.
外部リンク
- ドイツ化学情報センター(ベルリン)の熱物性データベース[永久リンク切れ ]
