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| 名前 | |
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| IUPAC名
二硫化ハフニウム
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| 識別子 | |
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3Dモデル（JSmol）
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| ケムスパイダー |
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| ECHA 情報カード | 100.038.738 |
パブケム CID
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CompTox ダッシュボード ( EPA )
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| プロパティ | |
| HF2 | |
| モル質量 | 246.62 g/モル[1] |
| 外観 | 茶色の無地 |
| 密度 | 6.03 g/cm3 [ 1] |
| バンドギャップ | ~1.8 eV（間接）[2] |
| 構造 | |
| hP3、P3m1、No164 [ 3 ] | |
a = 0.363 nm、c = 0.584 nm
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数式単位( Z )
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1 |
| 関連化合物 | |
その他の陰イオン
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二酸化ハフニウム |
その他の陽イオン
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二硫化タングステン 二硫化モリブデン |
特に記載がない限り、データは標準状態（25 °C [77 °F]、100 kPa）の材料に関するものです。
 確認する （何ですか ？）
 インフォボックス参照
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二硫化ハフニウムはハフニウムと硫黄の無機化合物である。これは層状のジカルコゲニドであり、化学式はHfS 2である。この材料の数原子層は、標準的なスコッチテープ技術を使用して剥離することができ（グラフェンを参照）、電界効果トランジスタの製造に使用することができる。[4]液相剥離を使用してHfS 2の高収率合成も実証されており、安定した数層のHfS 2フレークが生成されます。[5]二硫化ハフニウム粉末は、硫化水素と酸化ハフニウムを500〜1300℃で反応させることで生成できます。 [6]
参考文献
ウィキメディア・コモンズには、二硫化ハフニウムに関連するメディアがあります。
- ^ ab Haynes, William M. 編 (2011). CRC 化学・物理ハンドブック(第 92 版). ボカラトン、フロリダ州: CRC プレス. p. 4.66. ISBN 1-4398-5511-0。
- ^ 寺島 功; 今井 郁 (1987). 「ZrS 2および HfS 2の間接吸収端」.ソリッドステートコミュニケーション. 63 (4): 315. Bibcode :1987SSCom..63..315T. doi :10.1016/0038-1098(87)90916-1.
- ^ Hodul, David T.; Stacy, Angelica M. (1984). 「金属絶縁体転移付近における Hf(S 2−x Te x ) 1-yと Hf(Se 2−x Te x ) 1-yの特性の異常」Journal of Solid State Chemistry . 54 (3): 438. Bibcode :1984JSSCh..54..438H. doi :10.1016/0022-4596(84)90176-2.
- ^ 金沢徹;雨宮智宏；石川 淳;ウパディヤーヤ、ヴィクラント。鶴田健二田中拓夫；宮本康之 (2016) 「数層HfS2トランジスタ」。科学的報告書。6 : 22277。Bibcode :2016NatSR...622277K。土井：10.1038/srep22277。PMC 4772098。PMID 26926098。
- ^ Kaur, Harneet ( 2017 ). 「二次元層状二硫化ハフニウムの高収率合成と化学的剥離」ナノリサーチ。arXiv : 1611.00895。doi :10.1007/s12274-017-1636-x。S2CID 99414438 。
- ^ Kaminskii, BT; Prokof'eva, GN; Plygunov, AS; Galitskii, PA (1973-07-01). 「ジルコニウムおよびハフニウム硫化物粉末の製造」.ソビエト粉末冶金および金属セラミックス. 12 (7): 521–524. doi :10.1007/BF00796747. S2CID 95277086.