アンチモン化ガリウム

アンチモン化ガリウム
名前
	IUPAC名ガリウム(III)アンチモン
	その他の名前アンチモン化ガリウム
識別子
CAS番号	12064-03-8 ;
3Dモデル（JSmol）	インタラクティブ画像; インタラクティブ画像;
ケムスパイダー	3436915 ;
ECHA 情報カード	100.031.859
パブケム CID	4227894;
CompTox ダッシュボード ( EPA )	DTXSID70884536;
	インチ InChI=1S/Ga.Sb キー: VTGARNNDLOTBET-UHFFFAOYSA-N ; InChI=1/Ga.Sb/rGaSb/c1-2 キー: VTGARNNDLOTBET-KXXLTECTAC;
	笑顔 [が]#[す]; [Ga+3].[Sb-3];
プロパティ
化学式	ガリウムアンチモン
モル質量	191.483 グラム/モル
密度	5.614グラム/ cm3
融点	712 °C (1,314 °F; 985 K)
水への溶解度	不溶性の
バンドギャップ	0.726 eV (300 K)
電子移動度	3000 cm 2 /(V*s) (300 K)
熱伝導率	0.32 W/(cm*K) (300 K)
屈折率( n D )	3.8
構造
結晶構造	閃亜鉛鉱、cF8
空間群	F-43m、No.216
危険
NFPA 704 (ファイアダイヤモンド)	1 0 0
引火点	不燃性
関連化合物
その他の陰イオン	窒化ガリウムリン化; ガリウムヒ化; ガリウム
	特に記載がない限り、データは標準状態（25 °C [77 °F]、100 kPa）の材料に関するものです。確認する（何ですか？）インフォボックス参照

ガリウムアンチモン（GaSb）は、III-V族のガリウムとアンチモンの半導体化合物です。室温での格子定数は約0.610 nmです。^[1]室温での直接バンドギャップは約0.73 eVです。^[1]^[2]^[3]

歴史

金属間化合物 GaSb は、1926 年にVictor Goldschmidtによって初めて合成されました。彼は不活性ガス雰囲気下で元素を直接結合し、GaSb の格子定数を報告しました。この格子定数はその後修正されています。 Goldschmidt はガリウムリンとガリウムヒ素も合成しました。^[4] Ga-Sb 相平衡は、1955 年に Koster ^[5]と Greenfield ^{[6]によって調査されました。}

アプリケーション

GaSb は、赤外線検出器、赤外線 LEDやレーザー、トランジスタ、熱光起電力システムに使用できます。

参照

参考文献

^ ab Vurgaftman, I., Meyer, JR, Ram-Mohan, LR (2001). 「III-V 化合物半導体とその合金のバンドパラメータ」. Journal of Applied Physics . 89 (11): 5815–5875. Bibcode :2001JAP....89.5815V. doi :10.1063/1.1368156.
^ Dutta, PS, Bhat, HL, Kumar, V. (1997). 「ガリウムアンチモンの物理と技術: 新興の光電子材料」. Journal of Applied Physics . 81 (9): 5821–5870. Bibcode :1997JAP....81.5821D. doi :10.1063/1.365356.
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^ ゴールドシュミット、ヴィクトル・モーリッツ (1926)。「Geochemische Vereilungsgesetze der Elemente : 7. Die Gesetze der Krystallochemie」。Skrifter Norske Videnskaps-Akademi I Oslo (ドイツ語)。私はホス・ジェイコブ・ディブワドに委任します：29。
^ ケスター、ヴェルナー;トーマ、ベルトルト (1955-04-01)。「ガリウム-アンチモン、ガリウム-ヒ素、アルミニウム-ヒ素のシステムの構築」。国際材料研究ジャーナル。46 (4): 291–293。Bibcode :1955IJMR...46..291K。土井：10.1515/ijmr-1955-460408。ISSN 2195-8556。
^ Greenfield, IG; Smith, RL (1955). 「ガリウム-アンチモン系」. Transactions AIME . 7 (2): 351–353. Bibcode :1955JOM.....7..351G. doi :10.1007/BF03377506. ISSN 1047-4838.

外部リンク

NSM、Ioffe Institute に掲載されている物件。
海軍研究局の国家化合物半導体ロードマップ

[Vurgaftman2001-1] Vurgaftman, I., Meyer, JR, Ram-Mohan, LR (2001). 「III-V 化合物半導体とその合金のバンドパラメータ」. Journal of Applied Physics . 89 (11): 5815–5875. Bibcode :2001JAP....89.5815V. doi :10.1063/1.1368156.

[Dutta1997-2] Dutta, PS, Bhat, HL, Kumar, V. (1997). 「ガリウムアンチモンの物理と技術: 新興の光電子材料」. Journal of Applied Physics . 81 (9): 5821–5870. Bibcode :1997JAP....81.5821D. doi :10.1063/1.365356.

[Madelung2002-3] Madelung, O., Rössler, U., Schulz, M., eds. (2002). 「ガリウムアンチモン (GaSb)、直接エネルギーギャップ」。グループ IV 元素、IV-IV および III-V 化合物。パート b - 電子、輸送、光学およびその他の特性。Landolt - Börnstein - グループ III 凝縮物質。第 3 巻 b。Springer-Verlag。pp. 1–5。doi :10.1007/ 10832182_229。ISBN 978-3-540-42876-3。

[4] ゴールドシュミット、ヴィクトル・モーリッツ (1926)。「Geochemische Vereilungsgesetze der Elemente : 7. Die Gesetze der Krystallochemie」。Skrifter Norske Videnskaps-Akademi I Oslo (ドイツ語)。私はホス・ジェイコブ・ディブワドに委任します：29。

[5] ケスター、ヴェルナー;トーマ、ベルトルト (1955-04-01)。「ガリウム-アンチモン、ガリウム-ヒ素、アルミニウム-ヒ素のシステムの構築」。国際材料研究ジャーナル。46 (4): 291–293。Bibcode :1955IJMR...46..291K。土井：10.1515/ijmr-1955-460408。ISSN 2195-8556。

[6] Greenfield, IG; Smith, RL (1955). 「ガリウム-アンチモン系」. Transactions AIME . 7 (2): 351–353. Bibcode :1955JOM.....7..351G. doi :10.1007/BF03377506. ISSN 1047-4838.