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| 名前 | |||
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| IUPAC名
ヘキサカルボニルタングステン
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| その他の名前
タングステン
カルボニル | |||
| 識別子 | |||
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3Dモデル（JSmol）
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| ECHA 情報カード | 100.034.423 | ||
| EC番号 |
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パブケム CID
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CompTox ダッシュボード ( EPA )
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| プロパティ | |||
| C6O6Wの | |||
| モル質量 | 351.901 グラム/モル | ||
| 外観 | 無色の固体 | ||
| 密度 | 2.65グラム/ cm3 | ||
| 融点 | 170 °C (338 °F; 443 K) (分解) | ||
| 不溶性の | |||
| 溶解度 | THFを少量含む | ||
| 危険 | |||
| 労働安全衛生（OHS/OSH）： | |||
主な危険
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可燃性、CO発生源 | ||
| 危険 | |||
| NFPA 704 (ファイアダイヤモンド) | |||
| 安全データシート（SDS） | 外部SDS | ||
| 関連化合物 | |||
その他の陽イオン
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六カルボニルクロム 六 カルボニルモリブデン | ||
特に記載がない限り、データは標準状態（25 °C [77 °F]、100 kPa）の材料に関するものです。
 確認する （何ですか ？）
 インフォボックス参照
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タングステンヘキサカルボニル（タングステンカルボニルとも呼ばれる）は、化学式W(CO) 6で表される有機金属化合物である。この錯体は二水素錯体の最初の例を生み出した。[2]
クロムやモリブデンの類似物と同様に、この無色の化合物は、ゼロ酸化状態の タングステンの揮発性で空気中で安定した誘導体として注目に値します。
調製、特性、構造
多くの金属カルボニルと同様に、W(CO) 6 は一般に「還元カルボニル化」によって製造され、これは一酸化炭素雰囲気下での金属ハロゲン化物の還元を伴う。2023年の方法調査で説明されているように、「6族ヘキサカルボニルの合成のための最も費用対効果の高い経路は、CO圧力下でのマグネシウム、亜鉛、またはアルミニウム粉末による金属塩化物（CrCl 3、MoCl 5またはWCl 6）の還元に基づくものである」。[3]この化合物は比較的空気中で安定している。非極性有機溶媒にはほとんど溶けない。タングステンカルボニルは電子ビーム誘起堆積技術で広く使用されており、電子ビームによって容易に蒸発および分解されるため、タングステン原子の便利な供給源となる。[4]
W(CO) 6 は、双極子モーメントが0デバイの中心の W 原子から放射状に伸びる6 つの棒状の CO配位子からなる八面体構造をとっています。
反応性
W(CO) 6 のすべての反応は、 W(CO) 6内のいくつかの CO リガンドの置換から始まります。W(CO) 6 はMo(CO) 6と同様に動作しますが、速度論的により堅牢な化合物を形成する傾向があります。
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タングステンヘキサカルボニルをシクロペンタジエニドナトリウムで処理し、得られたNaW(CO) 3 (C 5 H 5 )を酸化すると、シクロペンタジエニルタングステントリカルボニル二量体が得られる。[5]
一つの誘導体は二水素錯体W(CO) 3 [P(C 6 H 11 ) 3 ] 2 (H 2 )である。[2]
これらのCO配位子のうち3つはアセトニトリルで置換することができる。[6] W(CO) 6は有機硫黄化合物の脱硫やアルケンメタセシス触媒の前駆体として使用されている。
安全性と取り扱い
すべての金属カルボニルと同様に、W(CO) 6 はCO だけでなく揮発性金属の危険な発生源でもあります。
参考文献
- ^ 偶数、J.ヤクシェフ、A.ダルマン、CE;ハバ、H.浅井正人;佐藤、TK;ブランド、H.ディ・ニットー、A.アイヒラー、R.フロリダ州ファン。ハートマン、W.ファン、M.イェーガー、E.カジ、D.金谷、Ｊ．金谷裕也；クヤグバータル、J.キンドラー、B.クラッツ、合弁会社;クリアー、Ｊ．工藤裕也;クルツ、N.ロンメル、B.宮下、S.森本和也；森田和也；村上正人;ながめ、Y.ニッチェ、H.他。 （2014年）。 「シーボーギウムカルボニル錯体の合成と検出」。科学。345 (6203): 1491–3。Bibcode :2014Sci...345.1491E. doi :10.1126/science.1255720. PMID 25237098. S2CID 206558746. (サブスクリプションが必要です)
- ^ ab Kubas, GJ、「金属二水素およびσ結合錯体」、Kluwer Academic/Plenum Publishers: ニューヨーク、2001年
- ^ Bruno, Sofia M.; Valente, Anabela A.; Gonçalves, Isabel S.; Pillinger, Martyn (2023). 「オレフィンエポキシ化のための高原子価金属オキソ触媒の前駆体としてのN,O,P-配位子のグループ6カルボニル錯体」。配 位化学レビュー。478 :214983。doi : 10.1016/ j.ccr.2022.214983。hdl : 10773 / 40120。S2CID 255329673。
- ^ Randolph, S.; Fowlkes, J.; Rack, P. (2006). 「集束ナノスケール電子ビーム誘起堆積およびエッチング」.固体および材料科学の批評的レビュー. 31 (3): 55. Bibcode :2006CRSSM..31...55R. doi :10.1080/10408430600930438. S2CID 93769658.
- ^ Manning, AR; Hacket, Paul; Birdwhistell, Ralph (1990).ヘキサカルボニルビス(η 5 -シクロペンタジエニル)ジクロム、モリブデン、タングステンおよびそれらの類似体、M 2 (η 5 -C 5 H 4 R) 2 (CO) 6 (M = Cr、Mo、W; R = H、Me、またはPhCH 2 ) .無機合成. 第28巻. pp. 148–149. doi :10.1002/9780470132593.ch39. ISBN 978-0-470-13259-3。
- ^ Kubas, GJ; van der Sluys, LS (1990). 「Cr、Mo、W のトリカルボニルトリス (ニトリル) 錯体」.無機合成. 第 28 巻. pp. 29–33. doi :10.1002/9780470132593.ch6. ISBN 978-0-470-13259-3。