サーミスタは、抵抗値が温度に大きく依存する半導体抵抗器の一種です。サーミスタという名称は、thermal(熱)とresistance(抵抗器)を組み合わせた造語です。温度によって抵抗値が変化するため、これらのデバイスは温度センサーとして、あるいは温度に応じて電流を制御するために使用できます。サーミスタの中には、温度上昇とともに抵抗値が減少するものもあれば、増加するものもあります。これにより、例えば突入電流保護のために低温回路への電流を制限したり、例えば熱暴走を防ぐために高温回路への電流を制限したりすることができます。
サーミスタは、その伝導モデルに基づいて分類されます。負の温度係数(NTC)サーミスタは高温で抵抗値が低く、正の温度係数(PTC)サーミスタは高温で抵抗値が大きくなります。[ 2 ]
NTCサーミスタは突入電流リミッタや温度センサとして広く用いられており、PTCサーミスタは自己復帰型過電流保護装置や自己制御型発熱体として用いられています。サーミスタの動作温度範囲は材料によって異なり、一般的には-100~300 ℃(-148~572 °F)です。
サーミスタは、使用される材料によって2種類に分類されます。
サーミスタは一般的に粉末状の金属酸化物を使用して製造されます。[ 3 ] 2020年現在、過去20年間で配合と技術が大幅に改善されています。現在、NTCサーミスタは、 0 ℃から70℃までの±0.1 ℃または±0.2 ℃といった広い温度範囲で優れた長期安定性を実現できます。NTCサーミスタ素子には、軸方向リード付きガラス封止型( DO - 35、DO-34、DO-41ダイオード)、ガラスコーティングチップ、裸線または絶縁リード線付きエポキシコーティング、表面実装型、薄膜型など、さまざまな種類があります[4]。サーミスタの一般的な動作温度範囲は-55 ℃から+150 ℃ですが、一部のガラスボディサーミスタは最大動作温度が+300 ℃です。
サーミスタは、抵抗温度検出器(RTD)とは異なり、サーミスタに使用される材料は一般的にセラミックまたはポリマーであるのに対し、RTDは純金属を使用します。温度応答も異なり、RTDはより広い温度範囲で使用できますが、サーミスタは通常、限られた温度範囲(通常は-90 ℃~130 ℃)でより高い精度を実現します。[ 5 ]
抵抗と温度の関係が線形であると一次近似で仮定すると、
どこ
問題のサーミスタの種類に応じて、正の値にも負の値にもなり得る。
もしが正の場合、抵抗は温度の上昇とともに増加し、このデバイスは正温度係数(PTC)サーミスタ、またはポジスタと呼ばれます。PTC抵抗器には、スイッチングサーミスタとシリスタの2種類があります。 が負の場合、抵抗は温度の上昇とともに減少し、このデバイスは負温度係数( NTC )サーミスタと呼ばれます。サーミスタではない抵抗器は、 抵抗値が広い温度範囲にわたってほぼ一定に保たれるように、できるだけ0に近づける。
温度係数kの代わりに、抵抗の温度係数を用いる場合もある。("alpha sub T") が使用されます。これは[ 6 ]と定義されます。
これ係数は、以下のパラメータ。
サーミスタは通常、金属酸化物を使用して作られます。[ 7 ]これらは通常、ビーズ、ディスク、または円筒形に押し出され、エポキシやガラスなどの不透過性材料でカプセル化されます。[ 8 ]
NTCサーミスタは、鉄族金属の酸化物、例えばクロム(CrO、Cr2O3)、マンガン(MnOなど)、コバルト(CoO)、鉄(酸化鉄)、ニッケル(NiO、Ni2O3)から製造されます。[ 9 ] [ 10 ]これらの酸化物は、銀、ニッケル、スズなどの導電性金属で構成された端子を持つセラミック本体を形成します。
PTCサーミスタは通常、チタン酸バリウム(Ba)、チタン酸ストロンチウム、またはチタン酸鉛(例:PbTiO 3)から作られます。[ 9 ] [ 10 ]
サーミスタは、前述の酸化物の共鳴音響混合とそれに続く焼結プロセスによっても製造できます。この方法により製造時間が短縮され、焼成工程を完全に省略できます。[ 11 ]
実際のデバイスでは、上記の線形近似モデルは限られた温度範囲でのみ正確です。より広い温度範囲では、より複雑な抵抗-温度伝達関数の方が性能をより忠実に表します。スタインハート-ハート方程式は、広く用いられている3次近似です。
ここで、 a、b、cはシュタインハルト・ハートパラメータと呼ばれ、各デバイスごとに指定する必要があります。Tは絶対温度、Rは抵抗です。この式は次元的に正しくありません。Rの単位を変更すると、異なる形式の式になり、実際には、この式は、例えばオーム(Ω) やキロオームで表される抵抗に対して良好な数値結果を与えますが、係数 a、b、c はその特定の単位を参照して指定する必要があります。[ 12 ] 抵抗を温度の関数として表すには、上記の三次方程式を解くことができ、その実根は次のように与えられる。
どこ
シュタインハルト・ハート方程式の誤差は、 200 ℃の範囲 の温度測定において、一般的に0.02℃未満である。 [ 13 ]例として、室温(25 ℃ = 298.15 K、RはΩ単位)で抵抗が3kΩのサーミスタの典型的な値は次のとおりである。
NTCサーミスタは、 B(またはβ)パラメータ方程式によっても特性評価できます。これは基本的に、スタインハート・ハート方程式です。、そして、
ここで、温度とBパラメータはケルビン単位であり、R₀は温度T₀(25 ℃ = 298.15 K)におけるサーミスタの抵抗である。[ 14 ] Rについて解くと、
または、
どこ。
これは温度について解くことができます。
Bパラメータ方程式は次のように書くこともできます。これは、サーミスタの抵抗と温度の関係を線形関数に変換するために使用できます。対この関数の平均傾きから、 Bパラメータの値の推定値が得られます。

多くのNTCサーミスタは、焼結金属酸化物などの半導体材料のプレス成形されたディスク、ロッド、プレート、ビーズ、または鋳造チップから作られています。半導体の温度を上げると、電荷キャリアが伝導帯に励起されて活性電荷キャリアの数が増加するため、サーミスタは機能します。利用可能な電荷キャリアが多いほど、材料が伝導できる電流は多くなります。チタン(Ti)をドープした酸化鉄(Fe 2 O 3 )などの特定の材料では、 n型半導体が形成され、電荷キャリアは電子です。リチウム(Li)をドープした酸化ニッケル(NiO)などの材料では、 p型半導体が生成され、正孔が電荷キャリアです。[ 15 ]
これは次の式で説明されます。
どこ
温度が大きく変化する場合は、校正が必要です。温度が小さく変化する場合は、適切な半導体を使用すれば、材料の抵抗は温度に比例します。約0.01ケルビンから2,000ケルビン(-273.14 ℃から1,700 ℃)の範囲のさまざまな半導体サーミスタがあります。[ 16 ]
ほとんどのPTCサーミスタは、チタン酸バリウム(BaTiO₃ )などの化合物を含むドープされた多結晶セラミックで作られており、特定の臨界温度で抵抗が急激に上昇するという特性を持っています。チタン酸バリウムは強誘電体であり、その誘電率は温度によって変化します。キュリー点温度以下では、高い誘電率によって結晶粒間に電位障壁が形成されないため、抵抗が低くなります。この領域では、デバイスは小さな負の温度係数を示します。キュリー点温度では、誘電率が十分に低下し、結晶粒界に電位障壁が形成されるため、抵抗は温度とともに急激に増加します。さらに高温になると、材料はNTC挙動に戻ります。
サーミスタのもう 1 つのタイプは、シリスタ(熱に敏感なシリコン抵抗器) です。シリスタは、半導体部品材料としてシリコンを使用します。セラミック PTC サーミスタとは異なり、シリスタは抵抗と温度の関係がほぼ線形です。[ 18 ] シリコン PTC サーミスタは、NTC サーミスタよりもドリフトがはるかに小さいです。これらは、軸方向の鉛入りガラスで密閉されたパッケージに気密に封入された安定したデバイスです。[ 19 ]
チタン酸バリウムサーミスタは自己制御型ヒーターとして使用できます。一定の電圧を印加すると、セラミックは一定の温度まで加熱されますが、消費される電力はセラミックからの熱損失によって異なります。
PTCサーミスタは電源投入時の特性が優れているため、幅広い用途に利用できます。電源に最初に接続すると、抵抗値が低く低温状態にあるため、大きな電流が流れますが、サーミスタが自己発熱するにつれて電流は徐々に減少し、最終的に制限電流(およびそれに伴うデバイス温度のピーク値)に達します。この電流制限効果はヒューズの代わりとして利用できます。多くのCRTモニターやテレビの消磁回路では、適切に選択されたサーミスタが消磁コイルと直列に接続されています。これにより電流がスムーズに減少し、消磁効果が向上します。これらの消磁回路の中には、サーミスタをさらに加熱し(そして結果として生じる電流をさらに減少させる)ための補助加熱素子を備えているものもあります。
PTCサーミスタのもう1つのタイプはポリマーPTCで、「 Polyswitch」、「Semifuse」、「Multifuse」などのブランド名で販売されています。これは、炭素粒子が埋め込まれたプラスチックで構成されています。プラスチックが冷えているときは、炭素粒子はすべて互いに接触しており、デバイスを通して導電経路を形成します。プラスチックが加熱されると膨張し、炭素粒子を押し離し、デバイスの抵抗が上昇し、その結果、加熱が進み、抵抗が急速に増加します。BaTiO 3サーミスタと同様に、このデバイスは、温度測定ではなく、熱または回路制御に役立つ、非常に非線形な抵抗/温度応答を持っています。電流を制限するために使用される回路要素の他に、自己制限ヒーターは、熱トレースに役立つワイヤまたはストリップの形で作成できます。PTCサーミスタは、高温/高抵抗状態に「ラッチ」します。一度高温になると、冷却されるまでその高抵抗状態を維持します。この効果は原始的なラッチ/メモリ回路として利用でき、2つのPTCサーミスタを直列に接続し、一方のサーミスタを低温、もう一方のサーミスタを高温にすることで効果が増強される。[ 20 ]
サーミスタに電流が流れると熱が発生し、サーミスタの温度が周囲温度よりも上昇します。サーミスタを周囲温度の測定に使用する場合、補正を行わないと、この電気的な発熱によって大きな誤差(観測者効果)が生じる可能性があります。一方、この効果自体を利用することも可能です。例えば、グライダーの上昇率計に用いられる高感度な気流計、電子式昇降計、あるいはかつて電話交換機で行われていたようにリレーのタイマーとして利用できます。
サーミスタへの電力入力はちょうど
ここで、Iは電流、Vはサーミスタの両端の電圧降下です。この電力は熱に変換され、この熱エネルギーは周囲環境に伝達されます。伝達速度はニュートンの冷却法則によってよく説明されます。
ここで、T ( R )はサーミスタの温度をその抵抗Rの関数として表したものであり、は周囲の温度、Kは散逸定数で、通常はミリワット毎摂氏度単位で表されます。平衡状態では、この2つの速度は等しくなければなりません。
サーミスタにかかる電流と電圧は、特定の回路構成によって異なります。簡単な例として、サーミスタにかかる電圧が一定に保たれている場合、オームの法則により次のようになります。そして、平衡方程式を解くと、周囲温度はサーミスタの測定抵抗の関数として表される。
散逸定数は、サーミスタと周囲との熱的なつながりの度合いを示す指標です。一般的に、静止空気中および十分に攪拌された油中におけるサーミスタの値で表されます。小型ガラスビーズサーミスタの典型的な値は、 静止空気中では1.5 mW/℃、 攪拌された油中では6.0 mW/℃です。周囲温度が事前に分かっている場合は、サーミスタを用いて散逸定数の値を測定することができます。例えば、散逸定数はサーミスタを通過する流体の流量とともに増加するため、サーミスタを流量センサーとして使用することができます。
サーミスタで消費される電力は、自己発熱による温度測定誤差がごくわずかになるように、通常は非常に低いレベルに維持されます。しかし、サーミスタの用途によっては、サーミスタ本体の温度を周囲温度よりかなり高くするために、かなりの「自己発熱」が必要となる場合があり、その場合、センサーは環境の熱伝導率のわずかな変化さえも検出します。このような用途には、液面検出、液体流量測定、空気流量測定などがあります。[ 6 ]
最初のNTCサーミスタは1833年にマイケル・ファラデーによって発見され、彼は硫化銀の半導体特性について報告した。ファラデーは、硫化銀の抵抗が温度の上昇とともに劇的に減少することに気づいた。これはまた、半導体材料の最初の記録された観察でもあった。[ 30 ]
初期のサーミスタは製造が難しく、その技術の用途も限られていたため、サーミスタの商業生産は1930年代まで始まらなかった。[ 31 ]商業的に実現可能なサーミスタは、 1930年にサミュエル・ルーベンによって発明された。[ 32 ]
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