林蘭英

林蘭英（中国語:林兰英、1918年2月7日 - 2003年3月4日）は、中国の電気技師、材料科学者、物理学者、政治家。中国では「航空宇宙材料の母」「半導体材料の母」と呼ばれている。^{[ 1 ] [ 2 ] [ 3 ]}

1957年、彼女は中国に帰国し、中国科学院物理研究所の研究員となった。その後、中国科学院半導体研究所に移り、そこで研究者としての生涯を過ごした。

彼女の数々の功績の中には、中国初の単結晶シリコンの製造、そして中国初のシリコン抽出用単結晶炉の開発が含まれる。彼女はマイクロエレクトロニクスとオプトエレクトロニクスの発展の基礎を築き、高純度気相および液相における広範な材料開発を主導し、中国を世界のリーダーへと導いた。

彼女は中国科学院院士に叙せられ、中国科学技術協会の副会長に就任した。国家科学技術進歩賞を2回、中国科学院科学技術進歩賞の1等賞を4回受賞した。 1998年にはヘンリー・フォック功績賞を受賞した。政治分野では、全国人民代表大会代表および常務委員に選出された。

林は中国南部の福建省莆田市で生まれた。

林蘭英は、600年前の明王朝まで遡る由緒ある大家族の長女として生まれた。^{[ 1 ] [ 3 ] [ 2 ]}彼女の姉妹たちは幼くして嫁いだり、殺されたりした。蘭英は6歳になる前に、家族全員の洗濯や料理をしなければならなかった。

彼女の祖先である林潤は明王朝時代の監察官でした。監察官とは、他の官僚を統制・監督する役職でした。林潤は在職中に、国家権力に挑戦する二人の有力者と対峙しました。皇帝が二人の挑戦者に対処するのを手伝ったことで、皇帝は林潤に家を建てるための資金を与えました。その家は現在、林潤老家と呼ばれています。林家の人々は皆、この家で生まれ育ちました。^{[ 4 ]}

彼女は生涯を通じて女性として困難に直面した。米国から帰国後、彼女は中華全国婦女連合会に加入した。^{[ 8 ]}彼女は多くの会議を開催し、ジェンダー問題について語った。女性として、彼女は性別役割を受け入れず、常に自分のために闘った。彼女は科学分野では女性と男性は平等であり、この分野に女性が少ない理由は、女性はゴシップなどに気を取られやすく、そのため女性は無関係なことをより多く記憶しなければならず、仕事に集中できないからだと信じていた。

リンは多くのフォーラムで認められた：^{[ 3 ]}

• 1957年：中国で初めて単結晶ゲルマニウム（N型とP型）を製造し、トランジスタラジオの開発の基礎を築いた。
• 1958年：単結晶アンチモン化ガリウムを合成
• 1958年11月、初の単結晶シリコンを製造
• 1959年：単結晶硫化カドミウムを製造
• 1960年：シリコンの原料となる幅広い材料を製造
• 1962年：中国でTDKという名の初の単結晶炉を製造
• 1962年：中国で初めて位置ずれのない単結晶シリコンを製造
• 1962年：最高純度の単結晶インジウムアンチモンを初めて製造
• 1962年：初の単結晶ガリウムヒ素を合成
• 1963年：中国で初の半導体レーザーを開発
• 1963年：高純度シリコンを製造し、国家科学技術功績賞の二等賞を受賞。
• 1964年：低位置ずれシリコン製造プロセスを設計し、国家科学技術業績賞第2位を受賞。
• 1974年：位置ずれのない初の単結晶ガリウムヒ素を作製
• 1978年：中国科学院科学技術重要業績賞を受賞
• 1981年：集積回路を製作し、中国科学院重要科学技術業績賞を受賞。
• 1986年：SOS-CMOS集積回路を開発し、国家科学技術成果賞の三等賞を受賞。
• 1989年：GaInAsSb/ InP広域材料の研究を行い、国家科学技術成果賞第2位を受賞。
• 1989年：人工衛星におけるガリウムヒ素の融解実験に成功し、国家科学技術成果賞第3位を受賞。
• 1990年～1991年：国家科学技術成果賞の三等賞を4回受賞
• 1991年：5種類の異なるSOS-CMOS集積回路回路を用いて衛星を製作した。
• 1992年：単結晶リン化インジウムを製造
• 1998年：多種多様な材料を液化することで、効果的なガリウムヒ素太陽電池を製造した。
• 1990年～2000年： SiC、GaN材料の研究を主導し、高温材料における新たな成長技術を確立した。

彼女の社会活動には以下が含まれます: ^{[ 3 ]}

• 1959年：ソビエト科学アカデミーに行き、1ヶ月間勤務した。
• 1963年：ソ連のモスクワへ行き、国際半導体会議に参加した。
• 1963年：チェコスロバキアのプラハを訪れ、国際半導体材料会議に参加した。
• 1971年：中国人民政治協商会議副主席の嬴政氏とともにタイを訪問。
• 1972年：周恩来首相とともに女性科学者の呉建雄氏と会談
• 1978年：中国科学院の同僚と共にフランスとドイツを訪問し、薄膜材料に関する国際会議に参加するため日本へ渡航した。
• 1980年：北朝鮮を訪問し、講演を行い、北朝鮮の金日成主席と会談した。
• 1985年：全国人民代表大会代表団の一員としてアメリカを訪問
• 1986年8月、西ドイツへ行き、航空宇宙材料に関する科学セミナーに参加した。
• 1987年：国際女性議員会議に参加
• 1987年：全米科学技術協会の代表団の一員として米国を訪問し、米国科学振興協会（AAAS）に入会した。
• 1988年9月27日～30日、シカゴで開催された「世界物質宇宙加工会議」に参加。
• 1988年10月3日～7日、イタリアのリー・ジャストで開催された第三世界科学アカデミー（TWAS）主催の「第三世界科学の発展における女性の影響」と題する会議に参加した。
• 1989年：8月20日～26日、米国航空宇宙局（NASA）主催の航空宇宙材料会議に参加。
• 1989年10月、Guanglin Kongと共にアメリカで開催された第13回アモルファス半導体国際会議に参加。
• 1990年：スウェーデンを訪問後、モスクワ国立大学を訪問
• 1994年10月、香港科技大学にて航空宇宙分野におけるガリウムヒ素の成長に関する報告書を作成。
• 1995年：中国政府代表団の一員として、第31回国連世界女性会議に参加。
• 1996年：ドイツのブレーメンで開催された宇宙研究委員会の会議に参加

林は様々な政治活動に参加した。^{[ 3 ]}

• 1962年：中華全国青年連合会副会長に就任
• 1964年12月、第3回全国人民代表大会の代表および全国人民代表大会常務委員に就任。
• 1975年1月、第4期全国人民代表大会の代表に就任。
• 1978年2月、第5期全国人民代表大会の代表に就任。
• 1978年9月～1983年、中華全国婦女連合会（ACWF）の会員となる。
• 1978年：中国電子学会（CIE）の委員に就任
• 1979年7月、中国電子学会（CIE）の常務理事に就任。
• 1980年4月、中国科学技術協会（CAST）の第二副会長に就任。
• 1981年5月、中国科学院（CAS）技術部の部長に就任。
• 1982年9月、中国共産党第12回全国代表に選出される。
• 1983年5月、第6期全国人民代表大会の代表に就任。
• 1986年：中国科学技術協会（CAST）の第三副会長に就任。
• 1988年3月、第7期全国人民代表大会の代表および全国人民代表大会常務委員に就任。
• 1988年：中国電子学会（CIE）の名誉理事に就任
• 1991年：中国科学技術協会（CAST）の第4代副会長に就任。
• 1993年3月、第8期全国人民代表大会の代表および全国人民代表大会常務委員に就任。
• 1996年：国家微小重力重点実験室の所長に就任

彼女の多くの出版物の中には、次のものがある。^{[ 10 ]}

• 超音波アブラハムス・ブイオッキエッチングにより明らかになった半絶縁性ガリウムヒ素中の転位と析出物^{[ 11 ]}
• 半絶縁性GaAsにおける化学量論的欠陥（Wayback Machineに2016年3月4日にアーカイブ済み） ^{[ 12 ]}
• GaAs-AlGaAs変調ドープヘテロ構造における界面粗さ散乱^{[ 13 ]}
• 高重力下でのGaAs単結晶の成長^{[ 14 ]}
• 微小重力下で成長させた半絶縁性ガリウムヒ素の化学量論の改善^{[ 15 ]}
• 高純度GaAsにおける束縛フォノンの磁気分光法^{[ 16 ]}
• AlxGa12xAsバリアにおけるDX中心がGaAs/AlGaAs変調ドープヘテロ構造における二次元電子ガスの低温密度と移動度に及ぼす影響^{[ 17 ]}
• 半絶縁性GaAsショットキーパッドが活性層のショットキー障壁に及ぼす影響^{[ 18 ]}
• GaAs金属半導体電界効果トランジスタにおけるバックゲーティングと光感度^{[ 19 ]}
• α-Si:H膜におけるSW効果の光子エネルギー依存性^{[ 20 ]}
• 高濃度ホウ素ドープシリコン中の格子間酸素のニュートロン照射赤外線ベース測定法^{[ 21 ]}
• 微小重力条件下で成長させたGaAs単結晶の特性と応用^{[ 22 ]}
• 高重力条件下でのGaAs単結晶成長の予備結果^{[ 23 ]}
• 低重力環境で成長させた Te および Si ドープ GaAs の不純物および欠陥の空間分布 ( 2015 年 12 月 8 日アーカイブ) ^{[ 24 ]}
• リンおよびリン化鉄雰囲気中で焼鈍されたInPの微細欠陥と電気的均一性^{[ 25 ]}
• メソポーラスゼオライト中のCdSクラスターの形成、構造、および蛍光^{[ 26 ]}
• 新規な二重ヘテロエピタキシャルSOI構造Si/γ-Al2O3 _{/ Si}の作製^{[ 27 ]}
• ゼオライトY中の銀クラスターの光刺激発光^{[ 28 ]}
• アニール処理された無添加半絶縁性InPウェーハの欠陥特性とウェーハ全体の均一性^{[ 29 ]}
• 多段階プロセスによるシリコン上への高品質γ-Al2O3膜_の超低圧VLP-CVD成長^{[ 30 ]}
• ゼオライトYにおけるCdSクラスターの形成と光学特性に関するいくつかの新しい観察^{[ 31 ]}
• _{ゼオライト5A中のSe8}環クラスターの吸収スペクトル^{[ 32 ]}
• MOVPEによる単相領域でのGaSbおよびGaAsSbの成長^{[ 33 ]}
• 高純度LPE-GaAsの成長と特性^{[ 34 ]}
• BaFCl:Eu ^{2+の新しいカラーセンターと光刺激発光[ 35 ]}
• サファイア上の自己注入および再結晶シリコンのチャネリング解析^{[ 36 ]}
• 宇宙空間で成長した半絶縁性GaAs ^{[ 37 ]}
• 中性子照射により、水素雰囲気中で成長したシリコン結晶からフォトルミネッセンスが誘発された^{[ 38 ]}
• 金属有機気相エピタキシー法で成長させたGaNバッファ層と高濃度SiドープGaNの特性に対する厚さの影響^{[ 39 ]}
• 有機金属気相エピタキシーによるGaNバッファ層の成長速度の成長パラメータへの依存性^{[ 40 ]}
• InGaAs/GaAs量子ドット超格子の自己組織化^{[ 41 ]}
• ゼオライトY中のCdSクラスターの熱ルミネセンス^{[ 42 ]}

• 科学分野における女性の年表