| 会社種別 | 公共 |
|---|---|
| 目標: IQE | |
| 業界 | 半導体 |
| 設立 | 1988年イギリス、ウェールズ、カーディフ |
| 創設者 |
|
| 本部 | 、 イギリス |
サービスエリア | グローバル |
主要人物 | アメリコ・レモス(CEO) |
| 製品 | エピタキシャルウエハ |
| 収益 | |
| 総資産 | |
| 総資本 | |
従業員数 | 685(2021年末) |
| Webサイト | ホームページ |
| 脚注/参考文献 [1] | |
IQE PLCは、1988 年にウェールズのカーディフに設立された英国の半導体会社で、高度なエピタキシャルウェーハを製造しています。
同社はカーディフに本社を置き、英国ではウェールズのニューポート、カーディフ、ミルトン・キーンズ、米国ではペンシルベニア州ベツレヘム、マサチューセッツ州トーントン、ノースカロライナ州グリーンズボロ、アジアでは台湾にイノベーション・センターと工場を構えている。[要出典]
歴史
IQE は、1988 年にドリュー ネルソンとマイケル スコットによってエピタキシャル プロダクツ インターナショナル( EPI )として設立されました。当初、同社は主に光ファイバー通信で使用される光電子デバイス用のエピタキシャルウェーハの製造を専門としていました。有機金属化学気相成長 (MOCVD)技術は、長距離光ファイバー通信に使用される 1300 nm および 1550 nm の波長で動作するように設計された半導体レーザー、発光ダイオード(LED)、および光検出器の製造に使用されました。[引用が必要]
1999年、エピタキシャル・プロダクツ・インターナショナルはペンシルバニア州に拠点を置くクォンタム・エピタキシャル・デザインズ(QED)と合併し、IQEを設立した。[2] QEDはトム・ヒエルによって設立された。[3]
また、1999年には、合併後の新会社は欧州EASDAQ(NASDAQヨーロッパ)証券取引所で新規株式公開(IPO)を行い、その1年後にはロンドン証券取引所に上場した。[要出典]
QED との合併により、グループには分子線エピタキシー(MBE) 技術に基づく一連の新しい製造ツールと、無線通信用のさまざまな製品がもたらされました。合併後、IQE は MOCVD と MBE 技術の両方を使用して製造されたオプトエレクトロニクスと無線周波数 (RF) エピタキシャル ウェーハの初の独立したアウトソース製造業者になりました。ベスレヘムの施設は、擬似格子高電子移動度トランジスタ(pHEMT) や金属半導体電界効果トランジスタ(MESFET) を含む多数の無線製品を専門としていました。[要出典]
2000年に同社はシリコンベースのエピタキシーを専門とする新しい完全子会社を設立しました。IQE Siliconは、英国ウェールズのカーディフにあるグループ本社とヨーロッパ製造拠点に隣接する新しい施設に設立されました。新しい子会社は化学気相成長(CVD)ツールを使用して、シリコン処理性能の向上、微小電気機械システム(MEMS)、ナノテクノロジーアプリケーション向けのシリコンおよびゲルマニウムエピタキシャルウェーハを製造しました。[4]
また、2000年には、グループは英国ミルトン・キーンズに拠点を置くウェーハ・テクノロジーを買収した。この買収により、グループはガリウムヒ素(GaAs)とインジウムリン(InP)基板の自社生産を獲得し、赤外線用途のガリウムアンチモン(GaSb)とインジウムアンチモン(InSb)の生産能力も追加した。[5]
2006年、当グループはエムコア社から電子材料部門を買収し、ニュージャージー州サマーセットにIQEの米国第2拠点を設立しました。この買収により、MOCVDの生産能力がさらに拡大し、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)やバイポーラ電界効果トランジスタ(BiFET)などの補完的な無線周波数(RF)製品も追加されました。[6]
また、2006年には、グループはシンガポールに拠点を置くMBETテクノロジーズを買収し、マルチサイト、マルチテクノロジー、マルチ製品の完全な能力を獲得し、世界最大の独立系エピタキシャルウェーハ契約製造業者となった。[7] 2009年には、バース大学からスピンアウトしたスタートアップ企業であるNanoGaNを買収し、 新しい自立型窒化ガリウム(GaN)基板の能力を追加した。[8] [9]
2012年にIQEグループは、米国ワシントン州スポケーンに本拠を置くギャラクシーコンパウンドセミコンダクターズと、米国ノースカロライナ州グリーンズボロに本拠を置くRFMDのMBEエピタキシー製造部門を買収した。 [10]
同社は2018年11月12日に証券取引所で製品の出荷量が大幅に減少し、収益性にも大きな影響を及ぼし株価が急落すると発表した。[11]
合弁会社CSDCは2019年10月にIQEに買収された。IQEは2015年3月の設立当時、MBEテクノロジーズを通じて株式の51%を保有していた。[12] [13]
製品
IQEは、ガリウムヒ素(GaAs)、窒化ガリウム(GaN)、インジウムリン(InP)、シリコンからエピタキシャルウエハーを製造しています。GaAsとGaNから作られたウエハーは直径8インチで、マイクロLEDディスプレイに使用できます。一方、6インチのInPウエハーは電気光学デバイスを対象としています。[14] [15] [16]
参考文献
- ^ 「IQE plc 年次報告書および会計書類 2022」(PDF) IQE 。 2023年7月4日閲覧。
- ^ 「IQE plc — 世界有数のエピウエハーサプライヤー」III-Vs Review 14 :10–11. 2000-01-01. doi : 10.1016/S0961-1290(01)80012-0. ISSN 0961-1290.
- ^ 「IQE、CTOとCOOを失職」EDN 2003年3月10日2023年12月20日閲覧。
- ^ 「IQE、IQEシリコン化合物の形成を発表 - ニュース」。化合物半導体。2000年11月30日。 2023年12月20日閲覧。
- ^ 「IQEがWAFER TECHNOLOGY LIMITEDを買収 - ニュース」。Compound Semiconductor。2000年11月23日。 2023年12月20日閲覧。
- ^ 「IQE、1200万ポンドを調達しEMDの買収を完了」www.semiconductor-today.com 2006年8月21日2023年12月20日閲覧。
- ^ 「IQEがシンガポールのエピウェーハファウンドリMBEテクノロジーを750万ポンドで買収」www.semiconductor-today.com 2006年12月22日2023年12月21日閲覧。
- ^ 「IQEがNanoGaNを買収」www.photonics.com 2009年10月6日2023年12月21日閲覧。
- ^ 「IQE、英国のGaNウエハー技術開発会社を買収」LEDs Magazine 2009年10月5日2023年12月21日閲覧。
- ^ 「IQEが赤外線会社を買収、2100万ドルを調達」reuters.com 2010年9月30日2023年12月20日閲覧。
- ^ Arathi S Nair (2018年11月12日). 「AppleサプライヤーIQEが通期業績について警告」ロイター。
- ^ 「IQEがCSDC合弁会社の完全所有権を取得」www.semiconductor-today.com 2019年10月10日2024年3月11日閲覧。
- ^ 「英国のIQE、シンガポールの合弁事業を買収へ」reuters.com 2019年10月10日2024年3月11日閲覧。
- ^ 「IQEがマイクロLED向け200mm RGBエピタキシーを発表」。compoundsemiconductor.net。2023年5月24日。 2024年8月3日閲覧。
- ^ 「IQE、AIおよびデータセンターアプリケーション向けの初の6インチInP DFBレーザープラットフォームを発表」。semiconductor-today.com。2023年10月3日。 2024年8月3日閲覧。
- ^ 「IQE がシリコン ウェーハの種類を増やす」. edn.com. 2008 年 8 月 13 日. 2024 年 8 月 3 日閲覧。
外部リンク
- 公式サイト
