アサド・アビディ

アサド・アリ・アビディ
生まれる	( 1956-07-12 )1956年7月12日（68歳） ペシャワール、カイバル・パフトゥンクワ州、パキスタン
国籍	パキスタン人、アメリカ人
母校	インペリアル・カレッジ ・ロンドン カリフォルニア大学バークレー校
知られている	RF CMOS RF回路モデリング
受賞歴	IEEEドナルド・O・ペダーソン固体回路賞（2008年） IEEE第三千年紀メダル IEEEドナルド・G・フィンク賞論文賞米国技術アカデミー 会員
科学者としてのキャリア
フィールド	電気工学 電子工学
機関	ベル研究所 カリフォルニア大学ロサンゼルス校 ラホール経営科学大学
博士課程の指導教員	ロバート・G・マイヤー

アサド・アリ・アビディ（1956年7月12日生まれ）^[1]は、パキスタン系アメリカ人の電気技師です。カリフォルニア大学ロサンゼルス校の終身教授であり、ラホール経営科学大学（LUMS）のアブドゥス・サラム教授職の初代就任者です。^{[2]彼は、1980年代後半から1990年代前半にかけて}RF CMOS技術を開発したことで最もよく知られています。2008年現在、すべてのワイヤレスネットワークデバイスと現代の携帯電話の無線トランシーバーは、RF CMOSデバイスとして大量生産されています。

アビディはロンドン大学インペリアル・カレッジで学士号を取得し、1981年にカリフォルニア大学バークレー校で修士号と博士号を取得。ベル研究所で電気技師として働き、1985年1月にUCLAに終身在職権を持つ研究者として加わった。2007年に3年間の長期休暇を取り、ラホール経営科学大学（LUMS）の工学部の初代学部長を務め、 2009年にロサンゼルスに戻った。^[3] 2017年に、LUMSのアブドゥス・サラム教授職に初代就任した。^[4]

アビディは著名な学者であり、米国工学アカデミーと世界科学アカデミーの会員である。2008年にIEEEドナルド・O・ペダーソン固体回路賞を受賞。2015年にはカリフォルニア大学バークレー校からアナログおよびRF回路の理論と実践への貢献が認められ、著名な卒業生として表彰された。^{[5] [6] [7]}

パキスタンで生まれ育ったアビディは、パキスタンのハサン・アブダル士官学校で入学するまで教育を受け、英国のダドリー工科大学で高等学校を卒業し、1976年にロンドンのインペリアル・カレッジで電気工学の理学士号（一級優等）を取得しました。 ^[8]その後、カリフォルニア大学バークレー校に進学し、1978年に電気工学の修士号、1981年にロバート・マイヤーの指導の下で博士号を取得しました。アビディはIEEEフェローであり、米国工学アカデミー（NAE）の会員です。^{[8] [9]}彼はLUMS（ラホール経営科学大学）理工学部の初代学部長に就任しました。^[10]

アビディは1985年以来、 UCLAで勤務し、現在は同校の特別教授を務めている。^[8] 1981年から1984年まで、ベル研究所の先端LSI開発研究所の技術スタッフの一員として勤務した。1989年にはヒューレット・パッカード研究所の客員研究員を務めた。彼はNAEの数少ないパキスタン出身の会員の1人である。^[5]また、 ISSCCトップ10著者として認められた。 ^[8]

ベル社、次いでUCLAで勤務していた間、彼は金属酸化物半導体（MOS）技術における無線研究の先駆者となり、相補型MOS（CMOS）スイッチトキャパシタ（SC）技術に基づく無線アーキテクチャに重要な貢献をした。^[11] 1980年代初頭にベル社で勤務していた間、彼はマーティ・レプセルター、ジョージ・E・スミス、ハリー・ボルとともに、Advanced LSI Development LabでサブミクロンMOSFET（金属酸化物半導体電界効果トランジスタ）VLSI（超大規模集積回路）技術の開発に取り組んだ。ラボの数少ない回路設計者の1人として、アビディはサブミクロンNMOS集積回路技術の高速通信回路における可能性を実証し、光ファイバー受信機でGb/sデータレート向けの最初のMOS増幅器を開発した。アビディの研究は当初、当時高速回路の主流であったGaAsおよびバイポーラ接合トランジスタの支持者から懐疑的に受け止められた。 1985年に彼はUCLAに加わり、 1980年代後半から1990年代初頭にかけてRF CMOS技術の先駆者となった。彼の研究はRF回路の設計方法を、個別のバイポーラトランジスタからCMOS集積回路へと変えた。^[12]

彼は1989年に1年間HP研究所の客員研究員を務め、超高速A/D変換を調査した後、UCLAに戻り、ディスクドライブ読み取りチャネル用のアナログ信号チェーン、高速A/D変換、信号処理および通信用のアナログCMOS回路を研究しました。^[12]アビディは、UCLAの同僚であるJ.チャンとマイケル・ガイタンとともに、1993年に最初のRF CMOSアンプを実証しました。 ^{[13] [14] 1995年に、アビディはCMOSスイッチドキャパシタ技術を使用して、}デジタル通信用の最初のダイレクトコンバージョントランシーバーを実証しました。^[11]

1990年代後半、携帯電話が普及し始めると、彼が開発したRF CMOS技術は無線ネットワークに広く採用されました。2008年現在、すべての無線ネットワークデバイスと現代の携帯電話の無線トランシーバーは、RF CMOSデバイスとして大量生産されています。^[12]

アビディは1984年から1990年までIEEE国際固体素子回路会議（ISSCC ）のプログラム幹事を務め、 1992年にはVLSI回路シンポジウムの議長を務めた。 ^{[要出典] 1990年から1991年までIEEE固体素子回路評議会の幹事を務めた。1992年から1995年まで}IEEE固体素子回路ジャーナルの編集長を務めた。^[15]

• 2013年 コロンビア大学アームストロング記念講師^[8]
• 2013年ISSCC60年間の優秀貢献者^[8]
• 2012年IEEEジャーナルオブソリッドステートサーキット最優秀論文賞（共同受賞）^[8]
• 2012 ISSCC優秀技術論文賞^[8]
• 2009 世界科学アカデミー-TWAS ^[8]
• 2008 UCLA HSSEAS 優秀教育賞 ロッキード・マーティン賞^[8]
• 2008 IEEEドナルド・O・ペダーソン固体回路賞^[16]

  「RF-CMOSの開発における先駆的かつ継続的な貢献」

• 2007年米国工学アカデミー^[17]

  「MOS RF通信用集積回路の開発への貢献」

• ISSCCの50年の歴史における貢献者トップ10 ^[8]
• 2000年IEEE第三ミレニアムメダル^[8]
• 1998年デザインオートメーションカンファレンスデザインコンテスト賞^[8]
• 1997 ISSCCジャック・レイパー優秀技術方向性論文賞^[8]
• 1997 IEEEドナルド・G・フィンク賞論文賞^[18]
• 1996年第21回ヨーロッパ固体回路会議最優秀論文賞^[8]
• 1988年TRW革新的教育賞ポスドク研究員^[8]

• IEEEフェロー（ 1996）^[8]
• 米国工学アカデミー（NAE）会員（2007年）^[8]
• 世界科学アカデミー（TWAS）フェロー（2009）^[8]

• Ahmad Mirzaei、Asad Abidi、「SDR 受信機の IF および RF 回路の分析と設計: アンチエイリアシング プレフィルタ、正確で低ノイズの直交 LO 生成、および注入ロック デバイダ」、VDM Verlag、2008 年
• Emad Hegazi、Jacob Rael、Asad Abidi、『高純度発振器の設計者ガイド』、Springer、2005年。ISBN 1-4020-7666-5 
• Asad A. Abidi、PR Gray、RG Meyer 編著、Integrated Circuits for Wireless Communications、IEEE Press、NY、1998 年