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アーサー・ロベルト・フォン・ヒッペル（1898年11月19日- 2003年12月31日）[ 1 ]は、ドイツ系アメリカ人の材料科学者および物理学者であった。フォン・ヒッペルは、誘電体、強磁性体および強誘電体材料、半導体の研究の先駆者であり、第二次世界大戦中はレーダーの共同開発者でもあった。 [ 2 ]
フォン・ヒッペルは1898年11月19日、メクレンブルク＝シュヴェリーン州ロストックでロベルト・フォン・ヒッペルの息子として生まれた。ゲッティンゲン大学で物理学の学位を取得し、数学と物理学の指導教官には、ダフィット・ヒルベルト、リヒャルト・クーラント、ロベルト・ポール、そしてノーベル賞受賞者のペーター・デバイ、マックス・ボルン、グスタフ・ヘルツらがいた。 1924年にノーベル賞受賞者のジェームズ・フランクの指導のもとで物理学の博士号を取得し、1930年にはフランクの娘ダグマーと結婚し、義父となった。
1933年、ドイツでナチスが政権を握ると、フォン・ヒッペルは別の国へ移住することを決意した。主な理由は妻がユダヤ人であったこと、そして新体制に対する政治的立場も理由の一つであった。1934年、彼はトルコのイスタンブールにある大学の職を得ることができ、その後1年間デンマークに滞在し、コペンハーゲンのニールス・ボーア研究所で研究を行った。1936年、カール・コンプトンの招待を受け、フォン・ヒッペルは再び移住し、今度はアメリカ合衆国へ渡り、マサチューセッツ工科大学の助教授となった。この間、彼は写真フィルムに記録された正負のリヒテンベルク図形を用いて、高電圧ガス放電の特性と挙動を研究した。1940年、彼は絶縁研究研究所を設立し、この研究所はすぐにこの分野で世界で最も重要な研究・教育センターの一つとなった。
フォン・ヒッペルは、 MIT放射線研究所とともに、戦時中にレーダー技術の開発に貢献した。1948年には、ハリー・トルーマン米大統領から大統領功労賞を授与された。また、チタン酸バリウム（BaTiO₃ ）の強誘電性および圧電性を発見したことでも有名になった。
戦争中、絶縁研究室で得られた誘電体に関する研究結果は機密情報であった。戦後、これらの研究結果は出版用に準備された。1954年、フォン・ヒッペルは『誘電体と波』を出版し、22人の共同研究者とともに『誘電体材料とその応用』をまとめた。 [ 3 ]絶縁研究室は、いくつかの技術報告書も発表した。[ 4 ]
アーサーは、目的に合わせて特性が規定された材料を設計する、つまり分子工学というアイデアを、1956年に論文[ 5 ]で発表した。この論文では、材料中の不純物や転位、および欠陥の利用について論じている。彼は『分子科学と分子工学』（1959年）を編集した。[ 6 ] [ 7 ]
材料研究学会の最高賞は、彼の功績を称えて名付けられている。
彼は2003年に105歳で亡くなった。息子のフランク・N・フォン・ヒッペルは理論物理学者で、プリンストン大学の公共政策学教授である。もう一人の息子、エリック・フォン・ヒッペルはMITスローン経営大学院の教授で、ユーザーイノベーションに関する先駆的な研究を行っている。彼の叔父であるオイゲン・フォン・ヒッペルは、フォン・ヒッペル・リンドウ病（彼の名が冠されている）の一部である眼血管腫について記述した。
フォン・ヒッペルは、アイシェ・クリンの歴史小説『国なき者』の中で、ナチス・ドイツから逃れる際にトルコで学術的な職に就いたドイツ人科学者の一人として簡単に触れられている。