背景 XASデータは、結晶モノクロメーターを使用して光子 エネルギーをコア電子 が励起される範囲(0.1~100 keV)に調整することによって取得されます。 [ 3 ] エッジは、励起されるコア電子によって部分的に命名されます。主量子数 n = 1、2、および3は、それぞれKエッジ、Lエッジ、およびMエッジに対応します。[ 4 ] 例えば、1s電子の励起はKエッジ で発生し、2sまたは2p電子の励起はLエッジ で発生します(図1)。
XASデータによって生成されたスペクトルには主に3つの領域があり、これらはそれぞれ独立した分光技術として考えられています(図2)。
最低空状態への遷移によって決定される吸収閾値 : 1980年、後に1983年に導入され、NEXAFS(近端X線吸収微細構造)とも呼ばれるX線吸収近端構造(XANES )は、化学ポテンシャルより10~150 eVの範囲の運動エネルギーを持つ光電子の準束縛状態へのコア遷移(多重散乱共鳴)が支配的であり、ファノ線形形状を持つ連続体と縮退した短寿命の最終状態によるものであるため、分子スペクトルでは「形状共鳴」と呼ばれています。この範囲では、強相関系における多電子励起と多体最終状態が関係します。 光電子の高運動エネルギー領域では、近傍原子との散乱断面積が弱く、吸収スペクトルはEXAFS (拡張X線吸収微細構造)が支配的であり、放出された光電子の近傍原子への散乱は単一散乱事象で近似できる。1985年に、多重散乱理論を用いて XANES とEXAFSの 両方を解釈できることが示されたため、現在では両方の領域に焦点を当てた実験的解析はXAFS と呼ばれている。 XASは、明確な対称性を持つコア初期状態からの吸収分光法 の一種です。そのため、量子力学的選択則によって 、連続スペクトル中の最終状態の対称性が選択されます。最終状態は通常、複数の成分の混合物です。最も強いピークは、電気双極子許容遷移(すなわちΔℓ = ± 1)から非占有最終状態への遷移によるものです。例えば、K端の最も強いピークは1s → p様最終状態からのコア遷移によるものであり、 L3 端の最も強いピークは2p → d様最終状態によるものです。
XAS法は、大きく分けて4つの実験カテゴリーに分類でき、それぞれが相補的な結果をもたらす可能性がある。すなわち、金属K端 、金属L端 、配位子K端 、およびEXAFSである。
X線吸収コントラスト以外の不均一なサンプルをマッピングする最も明白な方法は、電子顕微鏡のEDX法と同様に、X線蛍光による元素分析を行うことである。[ 5 ]
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外部リンク Zhang M (2020年8月15日). "XANES – 理論" . LibreTexts Project . 2015年4月2日のオリジナルからアーカイブ済み. 2015年 3月15日 取得 . Newville M (2008年7月25日). 「XAFSの基礎」(PDF) . シカゴ、イリノイ州: シカゴ大学。