K吸収端

開殻遷移金属イオンのK端は、強いエッジジャンプよりも低いエネルギーで、弱いプレエッジ1sから価電子金属dへの遷移を示します。この双極子禁制の遷移は、四重極機構および/または最終状態への4p混合によって強度を増します。プレエッジには、配位子場と酸化状態に関する情報が含まれています。金属の酸化度が高いほど、金属d軌道に対する1s軌道の安定化が大きくなり、プレエッジのエネルギーが高くなります。配位子との結合相互作用も、金属の有効核電荷（Zeff _）の変化を引き起こし、プレエッジのエネルギーの変化につながります。

プレエッジ遷移下の強度は、吸収金属の周囲の幾何学的構造に依存し、分子の構造的対称性と相関関係があります。^{[ 4 ]}中心対称性を持つ分子はプレエッジ強度が低く、分子が中心対称性から離れるにつれて強度は増加します。この変化は、分子が中心対称性を失うにつれて4p軌道と3d軌道の混合が増加するためです。

立ち上がりエッジは前縁に続いて現れ、複数の重なり合った遷移から構成される場合があり、それらを分離するのは困難である。立ち上がりエッジのエネルギー位置には、金属の酸化状態に関する情報が含まれている。

銅錯体の場合、立ち上がり端は強い遷移からなり、結合に関する情報を提供します。Cu ^{I種の場合、この遷移は明確な肩であり、強い電気双極子許容 1s→4p 遷移から生じます。これらの Cu I}錯体の立ち上がり端遷移の正規化された強度とエネルギーは、 2 配位、3 配位、および 4 配位の Cu ^Iサイトを区別するために使用できます。^{[ 5 ]}より高い酸化状態の銅原子の場合、1s→4p 遷移はより高いエネルギーにあり、近端領域と混ざっています。しかし、Cu ^IIIおよび一部の Cu ^II錯体では、形式的に禁制の 2 電子 1s→4p+シェイクダウン遷移から立ち上がり端領域で強い遷移が観察されます。この「シェイクダウン」プロセスは、励起状態の緩和につながる 1s→4p 遷移から生じ、続いて配位子から金属への電荷移動が励起状態に移動します。

この立ち上がりエッジ遷移を原子価結合配置（VBCI）モデルに当てはめることで、基底状態波動関数の構成と基底状態の共有結合性に関する情報を得ることができます。VBCIモデルは、基底状態と励起状態を、金属を基盤とするd状態と配位子を基盤とする電荷移動状態の線形結合として記述します。基底状態に対する電荷移動状態の寄与が大きいほど、基底状態の共有結合性が高くなり、金属-配位子結合が強いことを示します。

近端領域は、コアポテンシャルの影響下にある連続レベルへの遷移を記述するため、定量的に解析するのが困難です。この領域はEXAFS領域に類似しており、構造情報を含んでいます。MXANソフトウェアに実装されている多重散乱コードを使用することで、端領域からの計量パラメータの抽出が可能です。^{[ 6 ]}

エッジよりも低いエネルギーでの遷移は、リガンドのp軌道特性を持つ軌道につながる場合に限り発生する可能性があり、これらの特徴はプレエッジと呼ばれます。プレエッジ強度（D ₀）は、未充填軌道におけるリガンド（L）特性の量と関連しています。

${\displaystyle D_{0}(L\ 1s\rightarrow \psi ^{*})=const\ \vert \langle L\ 1s\vert \mathbf {r} \vert \psi ^{*}\rangle \vert ^{2}=\alpha ^{2}\ const\ \vert \langle L\ 1s\vert \mathbf {r} \vert L\ np\rangle \vert ^{2}}$

どこ$\displaystyle \psi ^{*}}$は未充填軌道の波動関数、rは遷移双極子演算子であり、$\displaystyle \alpha ^{2}}$軌道における「共有結合性」または配位子特性です。${\displaystyle \psi ^{*}={\sqrt {1-\alpha ^{2}}}\vert M_{d}\rangle -\alpha \vert L_{np}\rangle }$強度と量子遷移演算子の関係を示す上記の式は、実験値を用いて簡略化することができる。

${\displaystyle D_{0}={\frac {\alpha ^{2}h}{3n}}I_{s}}$

ここで、 nは吸収性配位子原子の数、hは正孔の数、I _{_s}は実験的に決定可能な遷移双極子積分である。したがって、プレエッジの強度を測定することで、分子軌道における配位子特性の量を実験的に決定することが可能となる。