仮想記憶T細胞

仮想記憶T細胞（T _VM ）はTリンパ球のサブタイプです。これらは記憶表現型を持つ細胞ですが、外来抗原に曝露されていません。記憶細胞に分類されますが、明らかな記憶機能はありません。これらは2009年に初めて観察され、記述されました。^{[ 1 ]}その名前は、既存のスペースの代替使用に基づく作業記憶を説明するコンピュータ化された「仮想記憶」に由来しています。

T _{VM は}胸腺切除中に自己反応性 T 細胞から発生する。自己反応性リンパ球は、体自身の構造を認識し、自己免疫疾患を引き起こす可能性があるため、胸腺で一般的に除去される。しかし、一部の自己反応性CD8 + T 細胞は T _{VMに分化するように設計されている。このプロセスは CD8-} Lckによって制御される。TVM 集団の生成と維持は、転写因子EomesとIRF4 、I 型干渉シグナル伝達に依存する。IL -15サイトカインの存在は不可欠である。^{[ 2 ] [ 3 ] [ 4 ]}

記憶T細胞の存在は、免疫されていない動物でも知られています。T _VMは、これまで出会ったことのない外来抗原に特異的かつ反応する細胞です。ナイーブT細胞、真の記憶T細胞、T _VMの間には、表現型の不一致があります。活性化後には機能的な違いが見られます。ナイーブ細胞と記憶細胞を区別するのは簡単ですが、真の記憶T細胞とT _VMを区別できるのはCD49dとCD122マーカーのみです。^{[ 1 ] [ 5 ]}

T _{VM は、ナイーブ T 細胞よりも}IL-12およびIL-18サイトカインを使用してより強い炎症反応を引き起こします。 ^{[ 1 ] [ 6 ] [ 3 ]}これらはIFN-γの重要な産生細胞です。^{[ 7 ]}他のナイーブ表現型と比較すると、T _{VM は}集団の 10〜30% を占めるにすぎませんが、より強い増殖で他のタイプのサブポピュレーションを上回ります。ただし、その反応は真の記憶細胞よりも遅いです。これらの特性は、仮想記憶 T 細胞が免疫応答中に自然免疫応答と獲得免疫応答の両方に関与する可能性があることを示唆しています。^{[ 1 ]}

もう1つの不可欠な特徴は、潜在状態の抑制です。これは、自己反応性T細胞クローンからの仮想記憶細胞の開発において既に起こっています。このため、一部の科学者はTVMが自己免疫との闘いに利用できると考えましたが、これまでのところ証拠は見つかっていません。^{[ 5 ]}

仮想記憶Tリンパ球の生理的役割はまだ解明されていませんが、研究によると、仮想記憶Tリンパ球は病原体に対して独自のタイプの反応を示し、効果的な免疫防御に必要なT細胞免疫系の機能的多様性に貢献していることが示唆されています。^{[ 2 ] [ 3 ]}

前の段落ではCD8+ Tリンパ球のみを扱っていましたが、CD4 +仮想記憶T細胞についても説明されています。^{[ 8 ]}これらの細胞の機能は不明ですが、抑制または形成のいずれにおいても、自己免疫疾患との関連性がさらに高いと推測されています。^{[ 8 ]}