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| 名前 | |
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| IUPAC名
二珪化タングステン
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| 識別子 | |
3Dモデル(JSmol)
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| ECHA 情報カード | 100.031.723 |
パブケム CID
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CompTox ダッシュボード ( EPA )
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| プロパティ | |
| WSi2 2 は、 | |
| モル質量 | 240.011グラム/モル |
| 外観 | 青灰色の正方晶 |
| 密度 | 9.3グラム/ cm3 |
| 融点 | 2,160 °C (3,920 °F; 2,430 K) |
| 不溶性の | |
| 危険 | |
| NFPA 704 (ファイアダイヤモンド) | |
| 引火点 | 不燃性 |
| 関連化合物 | |
その他の陰イオン
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炭化タングステン 窒化 タングステン |
その他の陽イオン
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二ケイ化モリブデン |
特に記載がない限り、データは標準状態(25 °C [77 °F]、100 kPa)の材料に関するものです。
インフォボックス参照
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二ケイ化タングステン(WSi 2)は、無機化合物であり、タングステンのケイ化物です。導電性セラミック材料です。
化学
二珪化タングステンは、強酸、フッ素、酸化剤、ハロゲン間化合物などの物質と激しく反応する可能性があります。
アプリケーション
タングステンジシリサイドは、抵抗率が60~80μΩ・cmで、1000℃で形成される接点材料としてマイクロエレクトロニクスで使用されている。導電性を高め信号速度を上げるため、ポリシリコン配線のシャントとしてよく使用される。タングステンジシリサイド層は、例えばモノシランまたはジクロロシランと六フッ化タングステンを原料ガスとして用いて化学蒸着法で作製できる。堆積した膜は非化学量論的であり、より導電性の高い化学量論的形態に変換するにはアニール処理が必要である。タングステンジシリサイドは、以前のタングステン膜の代替品である。[2]タングステンは、シリコンとタングステンなどの他の金属との間のバリア層としても使用されている。
二ケイ化タングステンは、マイクロエレクトロメカニカルシステムでの使用にも価値があり、主にマイクロスケール回路の製造用の薄膜として適用されています。このような目的で、二ケイ化タングステンの膜は、例えば三フッ化窒素ガスを使用してプラズマエッチングすることができます。
WSi 2 は耐酸化コーティングとして優れた性能を発揮します。特に、モリブデンジシリサイド(MoSi 2 )と同様に、タングステンのジシリサイドは放射率が高いため、高温放射冷却に適しており、熱シールドに応用できます。[3]
参考文献
- ^ ライド、デビッド・R.(1998)、化学と物理学のハンドブック(87版)、ボカラトン、フロリダ州:CRCプレス、pp.4-91、ISBN 0-8493-0594-2
- ^ 「CVD 製品 - 材料」。2001 年 9 月 7 日時点のオリジナルよりアーカイブ。2007 年 8 月 19 日閲覧。
- ^ 再利用可能な宇宙システムのための繊維状セラミックスへの高放射率コーティング Corrosion Science 2019

