半導体特性評価技術

半導体特性評価技術は、半導体材料またはデバイス（ p -n接合、ショットキーダイオード、太陽電池など）の特性評価に使用されます。特性評価できる半導体特性の例としては、空乏幅、キャリア濃度、キャリア生成および再結合率、キャリア寿命、欠陥濃度、トラップ状態などがあります。

電気特性評価は、抵抗率、キャリア濃度、移動度、接触抵抗、障壁の高さ、空乏幅、酸化物電荷、界面状態、キャリア寿命、および深準位不純物を 決定するために使用できます。

• 2点プローブ
• 4点プローブ
• 微分ホール効果
• 静電容量電圧プロファイリング
• 深準位過渡分光法(DLTS)
• 電子ビーム誘起電流
• ドライブレベル静電容量プロファイリング(DLCP)
• 電流-電圧特性（I-V）
• サンズ-V _OC (疑似 I-V)
• 光伝導減衰（PCD）

• 顕微鏡検査
• エリプソメトリー
• 光ルミネセンス
• エレクトロルミネセンス
• 吸収分光法または透過分光法
• ラマン分光法
• フーリエ変換赤外分光法
• 反射率変調
• カソードルミネッセンス

• 電子ビーム技術
  • 走査型電子顕微鏡（SEM）
  • 透過型電子顕微鏡（TEM）
  • オージェ電子分光法（AES）
  • 電子マイクロプローブ（EMP）
  • 電子エネルギー損失分光法（EELS）
• イオンビーム技術
  • スパッタリング
  • 二次イオン質量分析法（SIMS）
  • ラザフォード後方散乱分光法（RBS）
• X線技術
  • X線蛍光（XRF）
  • X線光電子分光法（XPS）
  • X線回折（XRD）
  • X線トポグラフィー
  • 中性子放射化分析（NAA）
  • 化学エッチング

これらの技術の多くはシリコン向けに完成されており、シリコンは最も研究されている半導体材料となっています。これはシリコンが手頃な価格であり、コンピューティングで広く使用されているためです。パワーエレクトロニクス、LEDデバイス、太陽光発電などの他の分野が発展するにつれて、さまざまな代替材料（有機半導体を含む）の特性評価の重要性は高まり続けます。多くの既存の特性評価方法は、これらの新しい材料の特殊性に対応するために適応させる必要があります。

• Schroder, Dieter K.半導体材料およびデバイスの特性評価。第 3 版。John Wiley and Sons, Inc. ホーボーケン、ニュージャージー、2006 年。
• McGuire, Gary E.半導体材料の特性評価: 原理と方法。第 1 巻。Noyes Publications、ニュージャージー州パークリッジ、1989 年。