ドライブレベルの静電容量プロファイリング

ドライブレベル容量プロファイリング(DLCP)は、深いレベル、界面状態、不均一性などの異常が多い アモルファスおよび多結晶材料向けに特別に開発された、容量 - 電圧プロファイリング特性評価手法の一種です。

標準的な C-V プロファイルでは電荷応答は線形(dQ = CdV) であると想定されていますが、DLCP プロファイルでは、DLCP 技術で使用される AC 信号振幅が大幅に大きいため、電荷応答は著しく非線形な動作 (dQ = C ₀ dV + C ₁ (dV) ² + C ₂ (dV) ³ ) を示すことが予想されます。

DLCP は、アドミタンス分光法と同様に、欠陥の空間分布とエネルギー分布の両方を得ることができます。エネルギー分布はAC信号の周波数を変化させることで得られ、空間分布は印加されるDCバイアスの変更によって維持されます。

DLCP は厳密に動的な測定であり、C-V プロファイルに記録された定常状態の動作は破棄されます。その結果、DLCP はインターフェース状態の影響を受けません。

Heath, Jennifer T.、J. David Cohen、William N. Shafarman。「ドライブレベル容量プロファイリングを使用した CuIn(1-x)Ga(x)Se2 薄膜のバルクおよび準安定欠陥」応用物理学ジャーナル、 95.3 (2004)。