イソブチルゲルマン

イソブチルゲルマン
名前
	推奨されるIUPAC名 (2-メチルプロピル)ゲルマン
	その他の名前イソブチルゲルマン
識別子
CAS番号	768403-89-0 ;
3Dモデル（JSmol）	インタラクティブ画像;
ケムスパイダー	21389305 ;
ECHA 情報カード	100.208.368
EC番号	682-844-5;
パブケム CID	102393253;
CompTox ダッシュボード ( EPA )	DTXSID40726813;
	InChI InChI=1S/C4H12Ge/c1-4(2)3-5/h4H,3H2,1-2,5H3 キー: PILXXBFWCYMNMX-UHFFFAOYSA-N ; InChI=1/C4H12Ge/c1-4(2)3-5/h4H,3H2,1-2,5H3 キー: PILXXBFWCYMNMX-UHFFFAOYAD;
	笑顔 CC(C)C[Ge];
プロパティ
化学式	C 4 H 12ゲルマニウム
モル質量	132.78 g モル−1
外観	無色透明の液体
密度	0.96g/mL
融点	< −78 °C (−108 °F; 195 K)
沸点	66 °C (151 °F; 339 K)
水への溶解度	水に溶けない
関連化合物
関連化合物	ゲヘ4
	特に記載がない限り、データは標準状態（25 °C [77 °F]、100 kPa）の材料に関するものです。確認する（何ですか？）インフォボックス参照

イソブチルゲルマン( IBGe、化学式: (CH ₃ ) ₂ CHCH ₂ GeH _{3 ) は、有機}ゲルマニウム化合物です。これは無色の揮発性液体で、MOVPE (有機金属気相成長法) でゲルマンの代替として使用されます。IBGe は、歪みシリコン用途のSiGeやNAND フラッシュ用途のGeSbTeなど、 Ge 膜や Ge 含有半導体薄膜の堆積に使用されます。

プロパティ

IBGeは、半導体の化学気相成長法（CVD）および原子層堆積法（ALD）用の非自然発火性液体源です。蒸気圧が非常に高く、ゲルマンガスよりも危険性がかなり低いです。また、 ^IBGeは分解温度が低く（分解開始温度は約325～350℃）、 Ge、 SiGe、SiGeC、歪みシリコン、GeSb、GeSbTeなどのエピタキシャル成長ゲルマニウム層における炭素取り込み量が少なく、主族元素不純物が減少するなどの利点があります。 [1]

用途

Rohm and Haas 社（現在はDow Chemical Companyの傘下）、IMEM、およびCNRS は、イソブチルゲルマンを使用した有機金属気相成長法（ MOVPE ）リアクタで低温でゲルマニウム上にゲルマニウム膜を成長させるプロセスを開発した。この研究は、Ge/III-V ヘテロデバイスを対象としている。 ^[2]^[3] 350 °C という低温で高品質のゲルマニウム膜を成長できることが実証されている。^[4]^[5] この新しい前駆体で達成可能な 350 °C という低温成長により、III-V 材料におけるゲルマニウムのメモリ効果が排除された。最近、IBGe を使用して Si または Ge 基板上に Ge エピタキシャル膜を堆積し（Archived 2011-07-10 at the Wayback Machine）、続いてメモリ効果のないInGaPおよびInGaAs層のMOVPE堆積により、三接合太陽電池と、III-V 化合物とシリコンおよびゲルマニウムの統合が可能になった。イソブチルゲルマンは金を触媒としてゲルマニウムナノワイヤの成長にも使用できることが実証されている^[6]

参考文献

^ MOVPE による緩和傾斜 SiGe 層および歪みシリコン用のより安全な代替液体ゲルマニウム前駆体^{[リンク切れ‍ ]} ; DV Shenai 他、ICMOVPE-XIII、宮崎、日本、2006 年 6 月 1 日での発表、およびJournal of Crystal Growth (2007)での発表
^ Woelk, Egbert; Shenai-Khatkhate, Deodatta V.; Dicarlo, Ronald L.; Amamchyan, Artashes; Power, Michael B.; Lamare, Bruno; Beaudoin, Grégoire; Sagnes, Isabelle (2006). 「高純度ゲルマニウム膜用の新しい有機ゲルマニウムOMVPE前駆体の設計」Journal of Crystal Growth . 287 (2): 684–687. Bibcode :2006JCrGr.287..684W. doi :10.1016/j.jcrysgro.2005.10.094.
^ Shenai-Khatkhate 他、Rohm and Haas Electronic Materials、2005 年 7 月 11 日、米国モンタナ州 ACCGE-16 での発表、およびJournal of Crystal Growth (2006)に掲載
^ ホモエピタキシャルゲルマニウムの MOVPE 成長、M. Bosi ら著、Journal of Crystal Growth (2008)に掲載
^ イソブチルゲルマンを用いたゲルマニウムのホモおよびヘテロエピタキシー、G. Attolini 他著、Thin Solid Films (2008)誌掲載
^ イソブチルゲルマンを用いたゲルマニウムナノワイヤの成長、M. Bosi 他著、Nanotechnology (2019)誌掲載

さらに読む

IBGe: National Compound Semiconductor Roadmap からの簡単な説明。
Élaboration et Physique des Structures Épitaxiées (LPN) Hétéro Structures III-V pour l'optoélectronique sur Si: フランスの LPN-CNRS からのフランス語の記事。
高純度ゲルマニウム膜用の新しい有機ゲルマニウムOMVPE前駆体の設計^{[ permanent dead link ‍ ]} ; Journal of Crystal Growth、2006年1月25日。
歪みSiおよび化合物半導体用のGe前駆体、Semiconductor International、2006年4月1日。
SiGe エピタキシー用の新しいゲルマニウム前駆体の開発、Deo Shenai および Egbert Woelk、第 210 回 ECS 会議でのプレゼンテーション、メキシコ、カンクン、2006 年 10 月 29 日。

外部リンク

フォトニックおよびナノ構造研究所、LPN CNRS
IMEM-CNR研究所

[crystalgrowthabstract2-1] MOVPE による緩和傾斜 SiGe 層および歪みシリコン用のより安全な代替液体ゲルマニウム前駆体^{[リンク切れ‍ ]} ; DV Shenai 他、ICMOVPE-XIII、宮崎、日本、2006 年 6 月 1 日での発表、およびJournal of Crystal Growth (2007)での発表

[crystalgrowthabstract-2] Woelk, Egbert; Shenai-Khatkhate, Deodatta V.; Dicarlo, Ronald L.; Amamchyan, Artashes; Power, Michael B.; Lamare, Bruno; Beaudoin, Grégoire; Sagnes, Isabelle (2006). 「高純度ゲルマニウム膜用の新しい有機ゲルマニウムOMVPE前駆体の設計」Journal of Crystal Growth . 287 (2): 684–687. Bibcode :2006JCrGr.287..684W. doi :10.1016/j.jcrysgro.2005.10.094.

[3] Shenai-Khatkhate 他、Rohm and Haas Electronic Materials、2005 年 7 月 11 日、米国モンタナ州 ACCGE-16 での発表、およびJournal of Crystal Growth (2006)に掲載

[crystalgrowthpresentation2-4] ホモエピタキシャルゲルマニウムの MOVPE 成長、M. Bosi ら著、Journal of Crystal Growth (2008)に掲載

[crystalgrowthpresentation3-5] イソブチルゲルマンを用いたゲルマニウムのホモおよびヘテロエピタキシー、G. Attolini 他著、Thin Solid Films (2008)誌掲載

[Nanotechnology-6] イソブチルゲルマンを用いたゲルマニウムナノワイヤの成長、M. Bosi 他著、Nanotechnology (2019)誌掲載