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| 名前 | |
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| 推奨されるIUPAC名
ハフニウム(IV)ケイ酸塩 | |
| 体系的なIUPAC名
ハフニウム(4+)ケイ酸塩 | |
| 識別子 | |
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3Dモデル（JSmol）
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| ケムスパイダー |
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パブケム CID
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CompTox ダッシュボード ( EPA )
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| プロパティ | |
| フッ化ケイ素 | |
| モル質量 | 270.57 グラムモル−1 |
| 外観 | 正方晶[1] |
| 密度 | 7.0g/ cm3 |
| 融点 | 2,758 °C (4,996 °F; 3,031 K) [1] |
特に記載がない限り、データは標準状態（25 °C [77 °F]、100 kPa）の材料に関するものです。
インフォボックス参照
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ハフニウムケイ酸塩は、化学式HfSiO 4のケイ酸のハフニウム(IV)塩です。
原子層堆積法、化学気相堆積法、またはMOCVD法で成長させたハフニウムケイ酸塩およびジルコニウムケイ酸塩の薄膜は、現代の半導体デバイスにおける二酸化ケイ素の代替として高誘電率誘電体として使用することができます。 [2]酸化ハフニウムにシリコンを添加すると、バンドギャップが増加し、誘電率は減少します。さらに、アモルファス膜の結晶化温度が上昇し、高温でのSiとの熱安定性がさらに高まります。[3]デバイスの熱安定性と電気特性を改善するために、ハフニウムケイ酸塩に窒素が添加されることがあります。
自然発生
ハフノンはハフニウムオルトケイ酸塩の天然形態である。その名前は、この鉱物がより一般的なジルコンのHf類似物であることを示唆している。ハフノンは現在知られている唯一のハフニウムの鉱物（すなわち、ハフニウムが主成分のもの）である。ハフノンとジルコンは固溶体を形成する。ハフノンは完全にペグマタイト鉱物であり、大部分が分断された（複雑な起源/歴史）ペグマタイト中に産出する。[4]
参考文献
- ^ ab Haynes, William M. 編 (2011). CRC 化学・物理ハンドブック(第 92 版). ボカラトン、フロリダ州: CRC プレス. p. 4-66. ISBN 1-4398-5511-0。
- ^ Mitrovic, IZ; Buiu, O.; Hall, S.; Bungey, C.; Wagner, T.; Davey, W.; Lu, Y. (2007 年 4 月)。「ハフニウムケイ酸塩薄膜の電気的および構造的特性」。マイクロエレクトロニクス信頼性。47 (4–5): 645–648。doi :10.1016/ j.microrel.2007.01.065。
- ^ JH Choi; et al. (2011). 「ハフニウムベースの高誘電率材料の開発 - レビュー」.材料科学と工学: R. 72 ( 6): 97–136. doi :10.1016/j.mser.2010.12.001.
- ^ 「ハフノン」.