三セレン化アンチモン

三セレン化アンチモン
名前
	その他の名前アンチモンセル石; セレン化アンチモン(III); セレノキシアンチモン;
識別子
CAS番号	1315-05-5 ;
3Dモデル（JSmol）	インタラクティブ画像;
ケムスパイダー	11483776 ;
ECHA 情報カード	100.013.870
パブケム CID	6391662;
CompTox ダッシュボード ( EPA )	DTXSID30895002;
	InChI InChI=1S/2Sb.3Se/q2+3;3-2 キー: WWUNXXBCFXOXHC-UHFFFAOYSA-N ; InChI=1S/2Sb.3Se/q2+3;3-2; キー: WWUNXXBCFXOXHC-UHFFFAOYSA-N;
	笑顔 [SbH3+3].[SbH3+3].[Se-2].[Se-2].[Se-2];
プロパティ
化学式	スラブ2セ3
モル質量	480.433 グラムモル−1
外観	黒い結晶
密度	5.81 g/cm 3、固体
融点	611 °C (1,132 °F; 884 K)
構造
結晶構造	斜方晶系、oP20、空間群 = Pnma、No. 62
危険
	NIOSH（米国健康暴露限界）：
PEL (許可)	TWA 0.5 mg/m 3（アンチモンとして）
REL (推奨)	TWA 0.5 mg/m 3（アンチモンとして）
関連化合物
その他の陰イオン	酸化アンチモン(III)、硫化アンチモン(III)、テルル化アンチモン(III)
その他の陽イオン	セレン化ヒ素(III)、セレン化ビスマス(III)
	特に記載がない限り、データは標準状態（25 °C [77 °F]、100 kPa）の材料に関するものです。確認する（何ですか？）インフォボックス参照

三セレン化アンチモンは、化学式Sb ₂Se ₃の化合物です。この物質は、斜方晶系空間群で結晶化する硫酸塩鉱物アンチモンセライト( IMA 記号: Atm ^[2] ) として存在します。^[3]^{この化合物では、アンチモンは形式上の}酸化状態が+3、セレンは -2 です。この化合物の結合は共有結合性であり、この物質および関連物質の黒色と半導体特性によって証明されています。 [4]低周波誘電率 (ε ₀ ) は、室温で結晶のc軸に沿って 133 と測定されており、これは異常に大きい値です。 ^[5]バンドギャップは室温で 1.18 eV です。^[6]

この化合物はアンチモンとセレンの反応によって形成され、融点は885 Kである。^[4]

アプリケーション

Sb ₂ Se ₃は現在、薄膜太陽電池への応用に向けて積極的に研究されています。^[7]光から電気への変換効率は9.2%という記録的な数値が報告されています。^[8]

参考文献

^ ab NIOSH 化学物質の危険性に関するポケットガイド。「#0036」。国立労働安全衛生研究所(NIOSH)。
^ Warr, LN (2021). 「IMA-CNMNC承認鉱物記号」. Mineralogical Magazine . 85 (3): 291–320. Bibcode :2021MinM...85..291W. doi : 10.1180/mgm.2021.43 . S2CID 235729616.
^ Jambor, JL; Grew, ES「新しい鉱物名」American Mineralogist、第79巻、387-391ページ、1994年。
^ ab Madelung, O (2004).半導体: データハンドブック(第3版). Springer. ISBN 9783540404880。
^ Petzelt, J.; Grigas, J. (1973 年 1 月). 「Sb2S3、Bi2S3、Sb2Se3 単結晶の遠赤外線誘電分散」.強誘電体. 5 (1): 59–68. Bibcode :1973Fer.....5...59P. doi :10.1080/00150197308235780. ISSN 0015-0193.
^ Birkett, Max; Linhart, Wojciech M.; Stoner, Jessica; Phillips, Laurie J.; Durose, Ken; Alaria, Jonathan; Major, Jonathan D.; Kudrawiec, Robert; Veal, Tim D. (2018). 「光反射法による近接空間昇華成長 Sb2Se3 のバンドギャップ温度依存性」APL Materials . 6 (8): 084901. doi : 10.1063/1.5027157 .
^ ボジオ、アレッシオ;フォティ、ジャンルカ。パシーニ、ステファノ。スポルトーレ、ドナート（2023年1月）。「Sb2Se3 ベースの薄膜太陽電池の基本特性に関するレビュー」。エネルギー。16 (19): 6862.土井: 10.3390/en16196862。
^ ウォン、リディア・ヘレナ;ザクタエフ、アンドリー;ジョナサン・ダグラス少佐。Hao, 小京市;ウォルシュ、アーロン。トドロフ、テオドール K.エドガルド・サウセド（2019）。「新興無機太陽電池効率表 (バージョン 1)」。J 物理エネルギー。1 (3): 032001。書誌コード:2019JPEn....1c2001W。土井：10.1088/2515-7655/ab2338。hdl : 10044/1/70500。

[PGCH-1] NIOSH 化学物質の危険性に関するポケットガイド。「#0036」。国立労働安全衛生研究所(NIOSH)。

[2] Warr, LN (2021). 「IMA-CNMNC承認鉱物記号」. Mineralogical Magazine . 85 (3): 291–320. Bibcode :2021MinM...85..291W. doi : 10.1180/mgm.2021.43 . S2CID 235729616.

[3] Jambor, JL; Grew, ES「新しい鉱物名」American Mineralogist、第79巻、387-391ページ、1994年。

[:0-4] Madelung, O (2004).半導体: データハンドブック(第3版). Springer. ISBN 9783540404880。

[5] Petzelt, J.; Grigas, J. (1973 年 1 月). 「Sb2S3、Bi2S3、Sb2Se3 単結晶の遠赤外線誘電分散」.強誘電体. 5 (1): 59–68. Bibcode :1973Fer.....5...59P. doi :10.1080/00150197308235780. ISSN 0015-0193.

[6] Birkett, Max; Linhart, Wojciech M.; Stoner, Jessica; Phillips, Laurie J.; Durose, Ken; Alaria, Jonathan; Major, Jonathan D.; Kudrawiec, Robert; Veal, Tim D. (2018). 「光反射法による近接空間昇華成長 Sb2Se3 のバンドギャップ温度依存性」APL Materials . 6 (8): 084901. doi : 10.1063/1.5027157 .

[7] ボジオ、アレッシオ;フォティ、ジャンルカ。パシーニ、ステファノ。スポルトーレ、ドナート（2023年1月）。「Sb2Se3 ベースの薄膜太陽電池の基本特性に関するレビュー」。エネルギー。16 (19): 6862.土井: 10.3390/en16196862。

[8] ウォン、リディア・ヘレナ;ザクタエフ、アンドリー;ジョナサン・ダグラス少佐。Hao, 小京市;ウォルシュ、アーロン。トドロフ、テオドール K.エドガルド・サウセド（2019）。「新興無機太陽電池効率表 (バージョン 1)」。J 物理エネルギー。1 (3): 032001。書誌コード:2019JPEn....1c2001W。土井：10.1088/2515-7655/ab2338。hdl : 10044/1/70500。