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テルル化亜鉛は、化学式ZnTeで表される二元化合物です。この固体は、直接バンドギャップが2.26 eVの半導体材料です。[ 2 ]通常はp 型半導体です。結晶構造は、閃亜鉛鉱やダイヤモンドと同様に立方晶です。[ 1 ]
ZnTeは、灰色または茶褐色の粉末、あるいは昇華精製するとルビーレッドの結晶として現れます。テルル化亜鉛は通常、立方晶（閃亜鉛鉱、または「閃亜鉛鉱」）結晶構造を持ちますが、岩塩結晶または六方晶（ウルツ鉱構造）として調製することもできます。酸素の存在下で強い光ビームを照射すると燃焼します。格子定数は0.6101 nmで、アルミニウムアンチモン化物、ガリウムアンチモン化物、インジウムヒ素、鉛セレン化物とともに、またはそれらの上に成長させることができます。格子不整合が多少あるため、 GaAsなどの他の基板上にも成長させることができ、[ 4 ]薄膜太陽電池の製造において、ガラスなどの基板上に薄膜多結晶（またはナノ結晶）の形で成長させることもできます。ウルツ鉱型（六方晶系）結晶構造では、格子定数は a = 0.427 nm、c = 0.699 nm である。[ 5 ]
テルル化亜鉛は容易にドーピングできるため、光電子工学で使用される最も一般的な半導体材料の 1 つです。ZnTe は、青色LED、レーザーダイオード、太陽電池、マイクロ波発生器の部品など、さまざまな半導体デバイスの開発に重要です。たとえば、太陽電池では、 CdTe / ZnTe 構造[ 6 ]の裏面電界層および p 型半導体材料として、またはPIN ダイオード構造に使用できます。
この材料は、Cd x Zn (1-x) Te（概念的にはZnTeとCdTeの混合物）などの三元半導体化合物の構成要素としても使用でき、組成xを変化させることで光学バンドギャップを所望の値に調整することができる。
テルル化亜鉛はニオブ酸リチウムとともに、時間領域テラヘルツ分光法やテラヘルツイメージングにおけるパルス状テラヘルツ放射の生成によく用いられる。このような材料の結晶にサブピコ秒の持続時間の高強度光パルスを照射すると、光整流と呼ばれる非線形光学プロセスによってテラヘルツ周波数のパルスが放出される。[ 7 ]逆に、テルル化亜鉛結晶にテラヘルツ放射を照射すると、光学的複屈折を示し、透過光の偏光が変化するため、電気光学検出器として機能する。
バナジウムをドープしたテルル化亜鉛「ZnTe:V」は、可視光波長におけるセンサーの保護に利用できる可能性のある非線形光学光屈折材料です。ZnTe:V光リミッターは軽量かつコンパクトで、従来のリミッターのような複雑な光学系を必要としません。ZnTe:Vは、レーザー眩惑装置からの高強度妨害ビームを遮断しながら、観測対象シーンの低強度像を透過させることができます。また、ホログラフィック干渉計、再構成可能な光相互接続、レーザー光位相共役デバイスにも使用できます。他のIII-V族およびII-VI族化合物半導体と比較して、600～1300 nmの波長域で優れた光屈折性能を発揮します。マンガンをドーパントとして添加することで（ZnTe:V:Mn）、光屈折収率を大幅に向上させることができます。