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| 名前 | |||
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| 推奨されるIUPAC名
トリメチルシラン | |||
| 識別子 | |||
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3Dモデル（JSmol）
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| ケムスパイダー |
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| ECHA 情報カード | 100.012.366 | ||
| EC番号 |
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パブケム CID
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| ユニ |
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CompTox ダッシュボード ( EPA )
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| プロパティ | |||
| C 3 H 10シリコン | |||
| モル質量 | 74.198 グラムモル−1 | ||
| 密度 | 0.638 g cm −3 | ||
| 融点 | −135.9 °C (−212.6 °F; 137.2 K) | ||
| 沸点 | 6.7 °C (44.1 °F; 279.8 K) | ||
| 危険 | |||
| GHSラベル: | |||
 
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| 危険 | |||
| H220、H224、H315、H319、H335 | |||
| P210、P233、P240、P241、P242、P243、P261、P264、P271、P280、P302+P352、P303+P361+P353、P304+P340、P305+P351+P338、P312、P321、P332+P313、P337+P313、P362、P370+P378、P377、P381、P403、P403+P233、P403+P235、P405、P410+P403、P501 | |||
| NFPA 704 (ファイアダイヤモンド) | |||
特に記載がない限り、データは標準状態（25 °C [77 °F]、100 kPa）の材料に関するものです。
インフォボックス参照
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トリメチルシランは、化学式 (CH 3 ) 3 SiH で表される有機ケイ素化合物です。これはトリアルキルシランです。Si-H 結合は反応性があります。室温で液体である 関連物質のトリエチルシランほど試薬として使用されることは多くありません。
トリメチルシランは、半導体産業において、プラズマ化学気相成長法（PE-CVD）によって誘電体やバリア層を堆積するための前駆物質として使用されています。 [1]また、プラズママグネトロンスパッタリング（PEMS）によってTiSiCNハードコーティングを堆積するためのソースガスとしても使用されています。 また、1000℃未満の比較的低温で低圧化学気相成長法（LP-CVD）によってシリコンカーバイドハードコーティングを堆積するためにも使用されています。 トリメチルシランは高価なガスですが、シラン（SiH 4）よりも安全に使用でき、シリコンと炭素を含む複数のソースガスでは実現できないコーティングの特性を生み出します。