硫化サマリウム(III)

硫化サマリウム(III)
名前
	その他の名前三硫化二サマリウム; 三硫化サマリウム
識別子
CAS番号	12067-22-0 ;
3Dモデル（JSmol）	インタラクティブ画像;
ケムスパイダー	145783;
ECHA 情報カード	100.031.875
EC番号	235-076-6;
パブケム CID	166593;
CompTox ダッシュボード ( EPA )	DTXSID90923512;
	InChI InChI=1S/3S.2Sm/q3-2;2+3;
	笑顔 [S-2].[S-2].[S-2].[Sm+3].[Sm+3];
プロパティ
化学式	スム2ス3
モル質量	396.915グラム/モル
外観	赤褐色の結晶
密度	5.87 g/cm 3、固体
融点	1,720 °C (3,130 °F; 1,990 K)
バンドギャップ	1.71eV
磁化率（χ）	+3300.0·10 −6 cm 3 /モル
構造
結晶構造	斜方晶系
	特に記載がない限り、データは標準状態（25 °C [77 °F]、100 kPa）の材料に関するものです。確認する（何ですか？）インフォボックス参照

硫化サマリウム(III) ( Sm ₂ S ₃ )は、希土類元素サマリウムと硫黄の化合物です。この化合物では、サマリウムは +3 の酸化状態にあり、硫黄は -2 の状態にある陰イオンです。

生産

サマリウム(III)硫化物を作る方法の一つは、サマリウム金属を硫黄で加熱することです。薄膜を作るもう一つの方法は、サマリウム(III)塩化物、酒石酸錯体、チオ硫酸ナトリウムに交互に浸すことです。^[1]

プロパティ

低温α型は斜方晶系で結晶化する。単位格子の大きさはa=7.376、b=3.9622、c=15.352Å、体積は448.7Å3である_。各単位格子には式（Sm ₈ S ₁₂）が4つある。密度は5.88kg/リットルとなる。固体中のサマリウム配位は2種類あり、1つは8配位で、硫黄が2冠三角錐を囲んでいる。もう1つは7冠の歪んだ八面体配置である。この構造は他の軽希土類元素硫化物と似ている。^[2]

硫化サマリウム(III)は1.7 eVのバンドギャップを持つ半導体です。 ^[3]大面積電極上の薄膜として、 1グラムあたり最大360ファラッドの比静電容量を持つスーパーキャパシタ誘電体として研究されています。^[4]

関連するサマリウム硫化物には、一硫化物SmSと混合原子価のSm ₃ S ₄があり、これらも半導体です。^[5] KSm ₂ CuS ₆は層状の第四級硫化物です。^[6]

参考文献

^ Kumbhar, VS; Jagadale, AD; Lokhande, CD (2013 年 7 月)。「化学的に堆積したソフト α-Sm2S3 薄膜のスーパーキャパシタンス評価」。Journal of Power Sources。234 : 107–110。doi : 10.1016 /j.jpowsour.2013.01.078。
^ 有賀篤史;辻見幸子。中井、泉（1996）。「セスキ硫化サマリウムα-Sm2S3の結晶構造」。分析科学。12 (1): 151–152。土井：10.2116/analsci.12.151。
^ Marin, Chris M.; Wang, Lu; Brewer, Joseph R.; Mei, Wai-Ning; Cheung, Chin Li (2013 年 6 月)。「結晶性 α-Sm2S3 ナノワイヤ: 異常な本質的に縮退した半導体の構造と光学特性」。Journal of Alloys and Compounds。563 : 293–299。doi :10.1016/j.jallcom.2013.02.082 。
^ Ghogare, TT; Lokhande, VC; Ji, T.; Patil, UM; Lokhande, CD (2020 年 6 月). 「グラフェン酸化物 / サマリウム硫化物 (GO/Sm2S3) 複合薄膜: 調製と電気化学的研究」.表面と界面. 19 : 100507. doi :10.1016/j.surfin.2020.100507. S2CID 216370577.
^ Wang, Lu; Marin, Chris; Mei, Wai-Ning; Cheung, Chin (2015年5月31日). 「ランタン、サマリウム、ガドリニウム硫化物の電子構造」. AIMS Materials Science . 2 (2): 97–105. doi : 10.3934/matersci.2015.2.97 .
^ ポメロバ、タチアナ A.;ポドリプスカヤ、タチアナ・ユウ。クラティエバ、ナタリア V。チェルコフ、アレクサンダー G.ネボガティコワ、ナデジダ A.リジコフ、マキシム R.ユグノー、アーサー。ゴーティエ、レジス。ナウモフ、ニコライ G. (2018-11-05)。「層状ランタニド硫化物 KLn 2 CuS 6 (Ln = La、Ce、Pr、Nd、Sm) の合成、結晶構造、および液体剥離」。無機化学。57 (21): 13594–13605。土井：10.1021/acs.inorgchem.8b02213。ISSN 0020-1669。PMID 30354089。S2CID 53026735 。

[1] Kumbhar, VS; Jagadale, AD; Lokhande, CD (2013 年 7 月)。「化学的に堆積したソフト α-Sm2S3 薄膜のスーパーキャパシタンス評価」。Journal of Power Sources。234 : 107–110。doi : 10.1016 /j.jpowsour.2013.01.078。

[2] 有賀篤史;辻見幸子。中井、泉（1996）。「セスキ硫化サマリウムα-Sm2S3の結晶構造」。分析科学。12 (1): 151–152。土井：10.2116/analsci.12.151。

[3] Marin, Chris M.; Wang, Lu; Brewer, Joseph R.; Mei, Wai-Ning; Cheung, Chin Li (2013 年 6 月)。「結晶性 α-Sm2S3 ナノワイヤ: 異常な本質的に縮退した半導体の構造と光学特性」。Journal of Alloys and Compounds。563 : 293–299。doi :10.1016/j.jallcom.2013.02.082 。

[4] Ghogare, TT; Lokhande, VC; Ji, T.; Patil, UM; Lokhande, CD (2020 年 6 月). 「グラフェン酸化物 / サマリウム硫化物 (GO/Sm2S3) 複合薄膜: 調製と電気化学的研究」.表面と界面. 19 : 100507. doi :10.1016/j.surfin.2020.100507. S2CID 216370577.

[5] Wang, Lu; Marin, Chris; Mei, Wai-Ning; Cheung, Chin (2015年5月31日). 「ランタン、サマリウム、ガドリニウム硫化物の電子構造」. AIMS Materials Science . 2 (2): 97–105. doi : 10.3934/matersci.2015.2.97 .

[6] ポメロバ、タチアナ A.;ポドリプスカヤ、タチアナ・ユウ。クラティエバ、ナタリア V。チェルコフ、アレクサンダー G.ネボガティコワ、ナデジダ A.リジコフ、マキシム R.ユグノー、アーサー。ゴーティエ、レジス。ナウモフ、ニコライ G. (2018-11-05)。「層状ランタニド硫化物 KLn 2 CuS 6 (Ln = La、Ce、Pr、Nd、Sm) の合成、結晶構造、および液体剥離」。無機化学。57 (21): 13594–13605。土井：10.1021/acs.inorgchem.8b02213。ISSN 0020-1669。PMID 30354089。S2CID 53026735 。

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プロパティ

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