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| 会社種別 | 公開会社 |
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| ナスダック：RFMD | |
| 業界 | 半導体部品 |
| 設立 | 1991年 |
| 廃止 | 2015年1月2日 |
| 運命 | TriQuint Semiconductorと合併 |
| 後継 | コルボ |
| 本部 | ノースカロライナ州グリーンズボロ、米国 |
サービスエリア | 全世界 |
主要人物 | ロバート A. ブルッゲワース（社長兼最高経営責任者） |
| ブランド | PowerStar、PowerSmart、Polarisトータルラジオ |
| 収益 |
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| 総資産 |
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| 総資本 |
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従業員数 | 3,500 (2014) |
| Webサイト | rfmd.com |
| 脚注/参考文献 [1] [2] | |
RF Micro Devices （ RFMDまたはRF Microとも呼ばれる）は、ワイヤレスおよびブロードバンド通信を推進するアプリケーション向けの高性能無線周波数システムを設計および製造するアメリカの企業です。ノースカロライナ州グリーンズボロに本社を置くRFMDは、RFMDのシンボルでNASDAQで取引されています。[3]同社は1991年にノースカロライナ州グリーンズボロで設立されました。 [4] RF Microには3500人の従業員がおり、そのうち1500人はノースカロライナ州ギルフォード郡にいます。[5]
同社の製品は主に無線周波数集積回路（RFIC）とそれを利用したパッケージモジュールで、セルラーネットワークや携帯電話、無線LAN、GPS、Bluetoothなどの無線接続、ケーブルモデムやケーブルテレビインフラ、軍用レーダーなどのその他の用途に使用されていました。売上高の面で最も重要な用途は、携帯電話（スマートフォンを含む）で使用されるGaAsベースのパワーアンプとアンテナ制御ソリューション、 WiFi RFフロントエンド、無線インフラ機器で使用されるコンポーネントでした。[2]
同社は2014年2月にTriQuint Semiconductorとの合併を発表した。[6] 2015年1月2日、RFMDとTriquintは、対等合併を完了してQorvo（Nasdaq ：QRVO）を設立し、その日からQorvoがNASDAQ Global Stock Marketで取引を開始することを共同で発表した。 [7]
会社沿革
初期の歴史
最初のロゴ。1991年から2000年代半ばまで使用されました。
同社は1991年にノースカロライナ州グリーンズボロで、元アナログ・デバイセズの従業員であったウィリアム・J・プラット、パウエル・T・シーモア、ジェリー・D・ニールによって設立されました。[8]当初から、商用無線市場向けのRFIC製品の設計に注力していました。 [8]
1992年、RFMDは宇宙防衛請負業者TRW社からGaAs HBT（ガリウムヒ素ヘテロ接合バイポーラトランジスタ）技術のライセンスを取得しました。 1993年から1998年にRFMDが独自の半導体製造工場を建設するまで、TRW社を契約製造業者として利用し、TRW社は同社の10%の所有権を取得しました。[8] GaAs HBTは、携帯電話機で使用されるパワーアンプや小信号デバイスなどの高性能RFアプリケーションの主要技術として登場しました。[8]
RFMDは当初、クアルコムのデジタル携帯電話にICを供給していたが、生産量の増加に伴い、1998年までにサムスン、ノキア、LGを顧客として獲得した。1997年度末の時点で、同社の従業員数は133名、収益は2,900万ドルであった。[8]
IPOと知名度
同社は1997年6月3日にナスダック株式市場でRFMDの銘柄でIPOした。 [9] IPO当時、同社は商用無線アプリケーションに電力効率、直線性、複雑さ、サイズの面で利点のあるGaAs HBTプロセス技術を使用する先駆者でありリーダーであり、また古いGaAs MESFETとシリコン極性トランジスタプロセス技術の専門知識も持っていた。[9]
RFMDはシリコンベースの製品における地位を強化するために、 IBMとBlue Logicシリコンプロセス技術を使用する契約を締結し、1999年にIBMのシリコンゲルマニウムファウンドリサービスにアクセスできるようになりました。[8]
1998年に自社製造施設の建設が完了した後、1999年3月27日終了の会計年度の収益は3倍以上の1億5,300万ドル、純利益は2,000万ドルとなった。[8] RFMDの株価は1999年3月に約95ドルの高値まで上昇し、株式分割が数回行われた。[8]当時世界最大の携帯電話メーカーであったノキアとの供給契約に続いて、ノキアへの売上は2000会計年度の同社の収益の59%を占めた。 [8] ノキアは2011年まで数年間RFMDの最大の顧客であり続けた。[10] [11]
2000年3月3日、RFMD株の終値は最高値の175ドル（その後の株式分割を調整すると87.5ドル）に達し、[12]発行済み株式数8,600万株に基づくと時価総額は約150億ドルに達した。 [13] RFMDは1999年から2003年までNASDAQ-100指数の構成銘柄だった。[14]ハイテクバブルでピークに達した後、株価は大幅に下落し、2014年まで10ドルを下回った。[12]
ポラリストランシーバー技術の開発
2002年、RFMDはGSM/GPRS/ EDGE携帯電話アーキテクチャを対象とした3つのICソリューションであるPolaris（Polaris Total Radio transceiver ）を発表しました。 [15]トランシーバー技術を追加することで、同社はGSM/GPRS/EDGE端末でのコンテンツの増加を目指しました。[16]
Polarisチップセットはモトローラの携帯電話に搭載され、2005年までに収益の伸びに大きく貢献しました。[17] RFMDは2007年にノキア向けにPolaris 3（完全に統合されたクアッドバンドEDGE RFフロントエンド）の大量出荷を開始しました。[18] しかし、2007年にモトローラの携帯電話の売上が低迷し、モトローラなどの顧客でRFMDのPolarisトランシーバーからシングルチップのベースバンド/トランシーバーへの戦略的シフトが明らかになったため、[19] RFMDのPolarisビジネスは困難に直面し始めました。
2008年5月、RFMDは、最大のPOLARIS 2顧客におけるトランシーバーの売上見込みが大幅に減少したことを受けて、現行製品のサポートは継続するが、セルラートランシーバーやGPSを含む無線システムに関連するすべての製品開発費を削減すると発表した。[20] 2008年6月、同社は、まだ増産中の最新のPolaris 3を含むPolarisソリューションが引き続き新しい携帯電話に設計され、Polaris 2が1億台出荷されたと発表した。同社は、Polaris RFソリューションの販売が2011年まで続くと予想している。[21]
その他の動向
2001年、RFMDは中国北京で組立・試験施設の操業を開始しました。[22]この施設は数回拡張されました。[23] [24] 2008年にRFMDは大量生産される携帯電話製品の試験をすべてこの施設に移管しました。[25]
RFMDは、軍事および商業用途向けのGaN（窒化ガリウム）ベースの製品開発の先駆者です。2004年以来、同社は米国政府からGaN研究開発契約を獲得しています。[26] 2013年には、ケーブルテレビインフラを対象とした製品を発表しました。[27] 2014年には、軍事[28]および電力網アプリケーションに関する契約を発表しました。 [29] RFMDは、GaN半導体技術（確立されたGaAs技術 も含む）を第三者に提供するオープンファウンドリを運営しています。[30]
買収と合併
2001年初頭、RFMDは、2000年にノースカロライナ州シャーロットでジェームズ・シーリー博士[32]によって設立されたRF Nitro Communications（RF Nitro） [31]を買収しました。RF Nitroは、コーネル大学からライセンスを受けた技術を使用して、100mm（4インチ）のウェハー上に、通常はブロードバンドワイヤレスや光ファイバーの最終製品に組み込まれるレーザーダイオードに実装される高度なワイドバンドギャップ半導体材料とRFIC製品（シリコンカーバイドとサファイア基板上のInGaP HBT、GaAs PHEMT、およびGaN HEMT ）を生産していました。 [33] [32]当時、コーネル大学からライセンスを受けた技術の注目すべき利点の1つは、低温で高い半導体成長率を実現できることでした。[34]
2007年後半、RFMDは別のRFコンポーネントメーカーであるSirenza Microdevicesを買収しました。これにより、RFMDは携帯電話アプリケーションからのRF統合とシステムレベルの設計の専門知識を活用し、ブロードバンド/CATV、無線インフラストラクチャ、WiMAX、航空宇宙および防衛を含む複数の高成長RF市場におけるSirenzaの広範なフットプリント全体にそれらの機能を適用できるようになると期待されていました。[35] [36] 2007年12月、RFMDは、英国を拠点とするGaAs pHEMT半導体の主要サプライヤーであったFiltronic Compound Semiconductor Ltdの買収を発表し、 [37]その後、2013年に英国の施設をCompound Photonicsに売却しました。[38] 2012年11月、RFMDはカリフォルニア州ロスガトスを拠点とするAmalfi Semiconductorを買収し、 CMOSパワーアンプ（PA）市場に参入しました。[39]
2014年2月、RFMDはTriQuint Semiconductorとの合併を発表した。[6] 2014年4月15日、両社はRF MicroとTriQuintの持ち株会社をRocky Holding Inc.と呼び、両社を子会社とみなすと発表した。各社の株主は50%の株式を所有する。[5] Rocky HoldingはNASDAQで取引され、RF MicroのRobert Bruggeworthが社長兼CEO、TriQuintのRalph Quinseyが会長となる。[5]この取引は今年後半に完了する予定で、その後、両社は1対4の株式併合を実施し、発行済み株式数は1億4,500万株となる。[5]
2015年1月2日、RFMDとTriquintは、対等合併を完了してQorvo（NASDAQ：QRVO）を設立し、その日からQorvoがNASDAQグローバル株式市場で取引を開始することを共同で発表しました。 [7]
市場と競合相手
GaAsベースのRFIC
CMOSロジック集積回路の製造ではファウンドリモデルが主流となっているが、 GaAs ICの製造は主にRFMDのような垂直統合型企業が行っており、これらの企業はICの設計と独自のプロセス技術を用いた自社製造施設での製造の両方を行っている。[40]このため、需要が落ち込んだときに製造能力が十分に活用されないリスクがあり、RFMDは頻繁に影響を受け、収益性が低下している。[41]実際、RFMDは最近、第三者が設計したGaAsベースの製品を製造するためのファウンドリサービスを提供し始めている。[30]最大の独立系GaAsファウンドリ競合企業である台湾のWIN Semiconductorは、さまざまな結果を出している。[42] [43]
携帯電話、無線インフラ、無線LANなどの無線アプリケーション向けGaAsベースRFIC市場における垂直統合型競合企業としては、Skyworks Solutions、Avago、ANADIGICS、村田製作所、TriQuint Semiconductorなどがあり、[44] RFMDはTriQuint Semiconductorと合併契約を締結している。
近年、無線 GaAs デバイス市場が成長を続けているにもかかわらず、RFMD はさまざまな結果を出しています。[40] 競合他社の Skyworks と Avago の GaAs 収益は着実に増加していますが、[40] RFMD は 2011 年と 2012 年に売上が減少し、市場シェアを失いました。RFMD の GaAs デバイス市場シェアは、2008 年 (当時は第 1 位) の 20% [45]から2011 年には 12.4% [46]に低下し、2012 年にはさらに低下しました[40]。その後、2013/2014 年に回復しました。2014 年第 2 四半期、RFMD は前四半期比で大幅な成長を報告し、四半期収益が過去最高の 3 億 1,600 万ドルに達し、収益性も向上しました。また、2014 年第 3 四半期にはさらなる成長を予測しています。[47]
2004年から2011年にかけて販売されたRFMDのPolarisチップセットは、Freescale [48]など、確立されているが衰退しつつあるベースバンドアーキテクチャと連携しており、成長著しい携帯電話ベースバンド/アプリケーションプロセッサ企業であるQualcommやMediaTek のRFトランシーバソリューションと本質的に競合していました。これらの企業は急速に優位に立っていて、ベースバンド/アプリケーションプロセッサとともにリファレンスデザインの一部として独自のRFトランシーバソリューションを使用していましたが、フロントエンド/PAコンポーネントソケットはGaAsチップメーカーに開放されたままでした。その後、Skyworks [49] 、TriQuint [50]、Avagoなどの企業が、業界をリードするこれらのリファレンスデザインのフロントエンド/PAソケットを獲得することに成功したことは注目に値します。
CMOSベースのRFICへの移行
携帯電話などのワイヤレス アプリケーション向けのCMOSシリコン ベースの RFICは、 GaAs と比較してパフォーマンスの面で徐々に競争力が高まってきていますが (コストとチップ統合に関する利点はあるものの)、まだ劣っています。そのため、2014 年初頭の時点で、ローエンド (2G) パワー アンプ市場の一部で GaAs 製品に取って代わっています。 [51] [52]アンテナ スイッチ アプリケーションでは、すでに シリコン オン インシュレータ技術が GaAs に大きく取って代わっており[51]、RFMD もこの移行の一部となっています。[38] 過去にはさまざまな時期に、パワー アンプなどの CMOS ベースの RFIC に企業が強い期待を寄せていましたが、実現には至りませんでした。[44]しかし、携帯電話のシリコン チップ コンテンツの主要プロバイダーであるQualcomm は、この分野に多額の投資を行っており、2014 年 2 月に CMOS ベースのパワー アンプ技術を使用した3G / 4Gフロントエンド ソリューションの量産出荷を報告しました。 [53]
CMOSベースのソリューションの普及により、Peregrine SemiconductorなどのCMOS RF企業や、Qualcommなどの携帯電話用SoCおよびチップセットプロバイダーとの競争が激化し、GaAsベースのデバイスの市場規模が大幅に縮小する可能性があります。[51] しかし、RFMDを含む伝統的にGaAsに焦点を当ててきた企業は、すでにスイッチにシリコンオンインシュレーター（SOI）技術を使用しており、 [52] [54]、パワーアンプ用のCMOS技術にも投資しています。[39] [51] RFMDは、2013年9月にCMOS PAの大量出荷を発表しました。[55]
参考文献
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外部リンク
ウィキメディア・コモンズには、 RF マイクロデバイスに関連するメディアがあります。
- Wayback Machineの公式ウェブサイト(2014 年 2 月 21 日アーカイブ)