インジウムガリウムリン

インジウムガリウムリン（InGaP）は、ガリウムインジウムリン（GaInP）とも呼ばれ、インジウム、ガリウム、リンで構成される半導体です。より一般的な半導体であるシリコンやガリウムヒ素に比べて電子速度が優れているため、高出力および高周波電子機器に使用されます。

これは主にHEMTおよびHBT構造に使用されますが、宇宙用途の高効率太陽電池の製造にも使用され、アルミニウム( AlGaInP合金) と組み合わせて、赤橙色、オレンジ、黄色、緑色の高輝度LED を作成するためにも使用されます。EFluor Nanocrystalなどの一部の半導体デバイスでは、InGaP をコア粒子として使用しています。

Ga _0.5 In _{0.5 P は}GaAsにほぼ格子整合した特別な固溶体です。これにより、 (Al _x Ga _1−x ) _0.5 In _0.5と組み合わせることで、赤色発光半導体レーザー、例えば赤色発光(650 nm ) RCLED やPMMA プラスチック光ファイバー用VCSEL用の格子整合量子井戸の成長が可能になります。

Ga _0.5 In _{0.5 Pは、}GaAs上に成長した二重接合および三重接合太陽電池の高エネルギー接合として使用されます。近年、AM0（宇宙での太陽光入射量 = 1.35 kW/m ²）効率が25%を超えるGaInP/GaAsタンデム太陽電池が実証されています。 ^[1]

基礎となるGaInAsに格子整合した GaInP の異なる組成が、高エネルギー接合 GaInP/GaInAs/Ge 三重接合太陽電池として利用されます。

GaInP のエピタキシーによる成長は、GaInP が真にランダムな固溶体 (つまり混合物) ではなく、秩序だった材料として成長する傾向があるため、複雑になることがあります。これにより、材料のバンドギャップと電子的および光学的特性が変化します。

参照

^ Alex Freundlich. 「多重量子井戸タンデム太陽電池」。ヒューストン大学先端材料センター。2009年5月10日時点のオリジナルよりアーカイブ。 2008年11月14日閲覧。