モリス・タネンバウム

モリス・タネンバウム（1928年11月10日 - 2023年2月26日）は、ベル研究所とAT&Tコーポレーションで勤務したアメリカの物理化学者、経営者であった。

タネンバウムはトランジスタ開発と半導体製造の分野で多大な貢献をした。当時は公表されなかったが、彼は世界初のシリコントランジスタを開発し、1954年1月26日にベル研究所で実演した。^{[1] [2]彼はまた、世界初のガス拡散シリコントランジスタの開発にも貢献し、ベル研究所の幹部らにトランジスタ設計において}ゲルマニウムではなくシリコンの使用を支持するよう説得した。彼は後に世界初の高磁場超伝導磁石を開発したチームを率いた。

その後、彼は幹部となり、ベル研究所と AT&T の分離に携わり、 1984 年 1 月 1 日付で AT&T 社の初代最高経営責任者兼取締役会長に就任しました。

モリス・タネンバウムは、ルーベン・サイモン・タネンバウムと母親のモリー・タネンバウムの子として、1928年11月10日にウェストバージニア州ハンティントンで生まれました。タネンバウムの両親はユダヤ人で、ロシアとポーランドから最初にブエノスアイレス、アルゼンチンに、その後アメリカに移住しました。ルーベン・タネンバウムはデリカテッセンを経営していました。^[3]

モリス・タネンバウムはジョンズ・ホプキンス大学に入学し、 1949年に化学の学士号を取得した。^{[4]ジョンズ・ホプキンス大学}2年生 のとき、タネンバウムは将来の妻となるシャーロット・シルバーと出会った。^[4]彼らの婚約はジョンズ・ホプキンス大学卒業後の1949年9月に発表された。^[5]

転居するクラーク・ブリッカー教授に励まされ、タネンバウムはジョンズ・ホプキンス大学からプリンストン大学に博士課程のために移った。プリンストンでは、タネンバウムはまずブリッカー教授のもとで分光学を学んだ。その後、ウォルター・カウズマン教授のもとで金属単結晶の特性を研究する論文を書いた。タネンバウムは1952年に「亜鉛結晶の塑性流動と焼鈍挙動の研究」と題する博士論文を完成させ、プリンストン大学で化学の博士号を取得した。^{[6] [4] [7]}

モリス・タネンバウムは1952年にベル電話研究所の化学部門に加わった。ベル研究所でのキャリアの中で、彼は技術スタッフ（1952-1956年）から始まり、冶金部門の副部長（1956-1962年）、固体開発研究所の所長（1962-1964年）、そしてシステムエンジニアリングおよび開発担当の執行副社長（1975-1976年）に昇進するなど、さまざまな役職を歴任した。^[4]

その後、タネンバウムはウェスタン・エレクトリック社に移り、研究開発部長（1964年 - 1968年）、エンジニアリング部門副社長（1968年 - 1972年）、トランスミッション機器製造担当副社長（1972年 - 1975年）を務めた。^[4]

1975年にベル研究所に戻り、エンジニアリングおよびネットワークサービス担当副社長を務めた（1976-1978年）。ニュージャージーベル電話会社の社長を短期間務めた後（1978-1980年）、再びベル研究所に戻り、管理担当執行副社長を務めた（1980-1984年）。^[4] 1985年1月16日、彼は「財務管理および戦略計画担当のコーポレート執行副社長」に任命された。^[8] AT&Tとベル研究所が米国およびカナダ全土で通信技術を事実上独占しているという懸念から、反トラスト訴訟である米国対AT&T訴訟が起こり、最終的にベルシステムは解体された。タネンバウムは関連する上院法案の議論に深く関わり、「バクスターI」修正案の草案作成に協力した。^[9]

再編後、タネンバウムはAT&Tコーポレーションの初代最高経営責任者および取締役会長に就任した（1984年～1986年）。^[10] 1986年から1988年までAT&Tの財務担当副会長を務め、1988年から1991年までAT&Tの財務担当副会長兼最高財務責任者を務めた。^[4]

1952年にタネンバウムがベル研究所の化学部門に加わったとき、ベル研究所は半導体研究の温床だった。最初のトランジスタは1947年12月にウィリアム・ブラッドフォード・ショックレー、ジョン・バーディーン、ウォルター・ハウザー・ブラッテンによってそこで作られた。ゲルマニウムで作られた彼らの点接触トランジスタは1948年6月30日にニューヨーク市で行われた記者会見で発表された。^{[11] [12]}

「トランジスタ効果」をサポートするより優れた半導体材料を見つけることは、ベル研究所の重要な研究分野であった。ゴードン・ティールと技術者のアーネスト・ビューラーは、1949年から1952年にかけて半導体結晶の成長とドーピングに関する先駆的な研究を行った。^[11]ティールのグループは、最初の成長接合ゲルマニウムトランジスタを製作し、1951年7月4日の記者会見でショックレーが発表した。^[13]一方、ジェラルド・ピアソンはシリコンの特性を調査する重要な初期研究を行った。^[11]

タネンバウムのベル研究所での最初の研究は、アンチモン化インジウム（InSb）やアンチモン化ガリウム（GaSb）などのIII-V族半導体の単結晶の可能性に焦点を当てていました。^[14]

1953年、タネンバウムはショックレーから、 III-IV族のシリコンを使ってトランジスタを作れるかどうか調べるよう依頼された。^[15]タネンバウムはピアソンの研究を基に、技術アシスタントのアーネスト・ビューラーと協力した。^[16]ビューラーはタネンバウムが「装置の構築と半導体結晶の成長における名工」と評した人物だった。^{[11]彼らは}デュポン社から入手した高純度シリコンのサンプルを使って結晶を成長させた。^[11]

1954年1月26日、タネンバウムは日誌に最初のシリコントランジスタの成功を記録した。しかし、ベル研究所はタネンバウムの発見を公に取り上げなかった。成功したトランジスタは、速度増加法^[17]を使用して構築されていたが、これは大規模製造には適していないと考えられていた。ベル研究所のカルビン・フラーが開拓した拡散法の方が有望だと思われていた。タネンバウムは、拡散法をシリコントランジスタの製造に応用できるかどうかを研究するグループのチームリーダーになった。^[11]

その間に、ゴードン・ティールはテキサス・インスツルメンツに移り、TIの研究部門の組織化に欠かせない存在となった。彼はまた、シリコントランジスタの研究者チームを率いた。1954年4月14日、彼とウィリス・アドコックは、最初の成長接合シリコントランジスタのテストと実証に成功した。タネンバウムと同様に、彼らは高度に精製されたデュポンのシリコンを使用した。ティールはシリコントランジスタを量産に持ち込むことができた。彼は1954年5月10日、オハイオ州デイトンで開催された無線技術者協会（IRE）の航空機搭載エレクトロニクスに関する全国会議で結果を発表し、TIトランジスタを展示した。^[11]

1954年までに、ベル研究所の研究者数名が拡散技術を用いて層状半導体を作成する実験を行っていた。チャールズ・A・リーは1954年後半に拡散ヒ素を用いたゲルマニウム半導体を開発した。 ^[18] 一方、タネンバウムはカルビン・フラー、DE・トーマスらと共同でシリコン半導体のガス拡散法の開発に取り組んだ。^{[19] [20] [21]フラーは結晶シリコンの薄片をガス状の}アルミニウムとアンチモンにさらし、それがシリコンに拡散して薄い多層を形成する 方法を開発した。 ^[16]タネンバウムは中間層との信頼性の高い電気的接触を確立する必要があった。^{[2] : 169–170}

数週間の実験の後、タネンバウムは1955年3月17日に研究ノートに「これは我々が待ち望んでいたトランジスタのようだ。作るのは簡単なはずだ」と記した。^{[2] : 169–170} 拡散ベースシリコントランジスタは、100メガヘルツ以上の信号を増幅および切り替えることができ、スイッチング速度は従来のシリコントランジスタの10倍であった。このニュースを受けて、役員のジャック・アンドリュー・モートンはヨーロッパ旅行から早めに戻り、シリコンを会社の将来のトランジスタとダイオードの開発の材料として採用することを決意した。^{[22] [16] [23]}

1956年、アーノルド・ベックマンの資金援助を受けて、ウィリアム・ショックレーはベル研究所を離れ、ショックレー・セミコンダクターを設立した。ショックレーはタネンバウムにオファーをしたが、タネンバウムはベル研究所に残ることを選んだ。^[4]二重拡散法で作られたnpnシリコントランジスタは、エッチングの周囲の層の上に盛り上がった部分、つまり「メサ」があることから「メサトランジスタ」と呼ばれた。^[12]ショックレー・セミコンダクターの当初の目標は、ベル研究所でタネンバウムと彼の同僚が開拓した「メサ」構造に基づいて、プロトタイプのnpnシリコントランジスタを製造することだった。^[24] 1958年5月までに、ショックレーの従業員はその目標を達成した。^[24]

ベル研究所はタネンバウムの初期の業績を生かさず、チップ技術の可能性を活かすことができなかった。マイクロチップや大規模集積回路に関しては、他の企業にますます依存するようになった。^[22]タネンバウムはこの機会を逃したことに失望を表明している。^[4]

1962年にベル研究所の冶金部門の副部長に就任した後、タネンバウムは応用冶金学の基礎研究を行うグループを率いた。ジョン・ユージン・クンツラーは、商業的に重要な金属の低温での電気的特性に興味を持っていた。^[25] ルディ・コンプナーは、非常に低いマイクロ波信号を検出して測定するためのメーザー増幅器を作ろうとしており、メーザーを調整するために高磁場を必要としていた。クンツラーは、コンプナーのニーズを満たすために、鉛ビスマス合金を線状に引き伸ばし、銅で絶縁した超伝導コイルの開発を試みた。彼は1000ガウスから2000ガウスという記録的な磁場を生成できたが、コンプナーが使用するには十分ではなかった。^{[25] [26]ベルント・マティアスは、}ニオブとスズを混合した脆いセラミックのような材料Nb3Snが高温を実現できることを発見していた。^[27]

タネンバウムは技術者のアーネスト・ビューラーと協力し、Nb3Sn化合物をコイル状に成形して絶縁する方法を開発した。彼は、PIT（粉末管）アプローチの背後にあるアイデアはビューラーのおかげだとしている。彼らは、Nb3Snの脆弱性の問題を回避するために、材料が形成される時点を遅らせようとした。1）延性のある純粋なニオブ金属とスズ金属の粉末を適切な比率で混合する、2）それを銅、銀、ステンレス鋼などの非超伝導金属で形成されたチューブに充填する、3）複合チューブを細いワイヤーに引き伸ばしてコイル状にする、4）最後に、すでにコイル状にされたチューブを、ニオブとスズ粉末が化学的に反応してNb3Snが形成される温度まで加熱する。^{[25] [26]}

1960年12月15日、テスト初日に、タネンバウムとクンツラーのグループは、2400℃で焼成したNb3Sn棒の高磁場特性をテストしました。この棒は、彼らが利用できる最大の磁場強度である8.8Tでも超伝導状態を維持していました。^{[26]タネンバウムは、2.5Tを超える0.3Tごとに}スコッチウイスキー1本をクンツラーに賭けていたので、この結果は予想外のスコッチウイスキー21本でした。PITストランドのテストでは、さらに強力な効果が見られました。^{[26] : 644  [28]}

タネンバウムとクンツラーのグループは、最初の高磁場超伝導磁石を作成し、Nb3Snが大電流と強い磁場で超伝導を示すことを示しました。Nb3Snは、高出力磁石や電気機械に適した最初の既知の材料となりました。^{[29] [30]彼らの発見により、最終的には}医療用画像装置の開発が可能になりました。^[2]

タネンバウムは最終的に研究から経営へと転向したが、この焦点の変化がノーベル賞受賞の妨げになったのではないかと推測する人もいる。^[2]

タネンバウムは2023年2月26日にニュージャージー州ニュープロビデンスの自宅で亡くなった。 ^[31]

1962年、タネンバウムはアメリカ物理学会のフェローになった。^[32]

1970年、彼は電気電子技術者協会（IEEE）のフェローになった。^[4] 1972年、タネンバウムは「固体研究と技術、および研究から製造への技術移転における功績」により、米国工学アカデミーの会員に選出された。^[33] 1984年、彼はIEEEセンテニアルメダルを受賞した。^[4]

1990年、タネンバウムはアメリカ芸術科学アカデミー（AAAS）の会員となった。 ^{[34] 1996年、}マサチューセッツ工科大学の理事会であるMITコーポレーション の終身会員となった。^{[35] [4]}複数の名誉博士号を授与された。^[4]

2013年、タネンバウムはニュージャージー州研究開発評議会が授与する第34回エジソン特許賞において生涯功労賞である科学技術メダルを受賞した。^[2]

• オーラル ヒストリー センター。「モリス タネンバウム」。科学史研究所。
• Brock, David C.; Lécuyer, Christophe (2004 年 7 月 26 日)。Morris Tanenbaum、2004 年 5 月 3 日および 7 月 26 日にニュージャージー州マレーヒルの Bell Telephone Laboratories, Inc. で David C. Brock と Christophe Lécuyer が行ったインタビューの記録(PDF)。ペンシルベニア州フィラデルフィア: Chemical Heritage Foundation。
• Tanenbaum, Morris. 「直接体験：シリコン時代の始まり」。エンジニアリングとテクノロジーの歴史 Wiki。2018年2 月 12 日閲覧。
• 「オーラル・ヒストリー：モリス・タネンバウム」。エンジニアリングとテクノロジーの歴史ウィキ。 2018年2月9日閲覧。
• 「オーラルヒストリー：ゴールディ、ヒッティンガー、タネンバウム」。エンジニアリングとテクノロジーの歴史ウィキ。 2018年2月9日閲覧。