梁俊武

梁俊武
梁骏吾
生まれる	( 1933-09-18 )1933年9月18日 中国湖北省漢口市
死亡	2022年6月23日(2022-06-23)（享年88歳） 北京、中国
母校	武漢大学
配偶者	ウェン・ルイメイ
科学者としてのキャリア
フィールド	半導体材料
機関	中国科学院半導体研究所
中国語名
中国語（簡体字）	梁骏吾
繁体字中国語	梁駿吾
転写 標準中国語 漢語ピンイン 梁俊武

梁骏吾（中国語：梁骏吾、1933年9月18日 - 2022年6月23日）は、半導体材料分野の中国の科学者であり、中国科学院の院士である。中国における初期の半導体シリコン材料の創始者として知られている。 ^[1]彼は中国共産党員であった。^[1]

梁氏は1933年9月18日、湖北省漢口（現武漢）に生まれた。1951年、武漢大学に入学し、物理学を専攻した。1956年、政府奨学金を得てソ連に留学し、 1960年に ソ連科学アカデミーのバイコフ冶金研究所で副博士号を取得した。

梁氏は1960年に中国に戻り、同年、中国科学院半導体研究所の助手研究員となった。 1970年には宜昌半導体工場の助手研究員となり、1979年までその職に就いた。1978年、中国科学院半導体研究所の研究員に昇進した。

2022年6月23日、彼は病気のため北京で88歳で亡くなった。^[2]

梁氏は中国科学院半導体研究所の研究員でもある温瑞梅氏と結婚した。^[3]

1960年代、梁は高純度ゾーン溶融シリコンのキーテクノロジーを解決しました。1964年には、常温レーザー用のGaAs液相エピタキシャル材料を準備しました。1979年には、大規模集積回路用の転位、渦がなく、微小欠陥が少なく、炭素が少なく、酸素を制御できる高品質のシリコンゾーン溶融単結晶の開発に成功しました。1980年代には、窒素ドープ中性子変換シリコン単結晶を開始し、シリコンウェーハの完全性と均一性の問題を解決しました。1990年代初頭には、有機金属気相エピタキシーによる超格子 量子井戸材料の成長を研究し、結晶の完全性、電気特性、超格子構造制御の面で中国の超格子量子井戸材料を実用レベルにまで高めました。また、太陽電池用の多結晶シリコンの研究と産業化にも重要な役割を果たしました。 ^[2]

• 1996年、環境中のヒ素の処理と検出のための新しい方法と装置により、国家科学技術進歩賞（第3級）を受賞。
• 1997年中国工程院（CAE）会員